英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFS4010TRLPBF 编号：C538014

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥15.52
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￥13.01
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型号：IHW25N120E1 编号：C536121

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥15.7824 ￥24.66
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￥6.9784 ￥15.86

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型号：IRFI4410ZPBF 编号：C537918

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥17.32
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￥13.671 ￥14.7
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￥8.8146 ￥10.62
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￥8.549 ￥10.3

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型号：IRFS4410TRLPBF 编号：C538021

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥17.4726 ￥34.26
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￥12.1155 ￥29.55
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￥6.8262 ￥22.02

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型号：IKW15N120T2 编号：C79568

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗 DuoPack：采用第二代 TrenchStop 技术的 IGBT，具有软、快速恢复反并联发射极控制二极管。

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￥18.01
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型号：IHW15N120E1 编号：C536117

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低集电极-发射极饱和电压 (VcEsat)。由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰 (EMI)。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥20.52
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￥17.69
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￥16.02
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型号：IRFS7540TRLPBF 编号：C538035

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥22.7848 ￥29.98
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￥17.0676 ￥25.86
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￥13.1096 ￥23.41
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￥11.0824 ￥19.79
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型号：IKWH60N65WR6 编号：C5359103

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 60 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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￥23.58
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型号：IKWH70N65WR6 编号：C5359104

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 70A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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￥23.91
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￥22.73
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￥22.01
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￥21.41

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型号：IPB65R050CFD7AATMA1 编号：C3289210

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

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￥52.71
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￥44.89
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￥40.13

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型号：IPW65R048CFDA 编号：C537487

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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￥55.61
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￥39.4831 ￥55.61

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型号：IKZA100N65EH7XKSA1 编号：C20191531

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 100 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥64.2
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￥54.88
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￥49.2

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型号：PVG612PBF 编号：C538600

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。在使用寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能。特别适用于 12 至 48 伏交流或直流电源的高电流隔离开关。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥71.07
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￥60.69
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型号：FP10R12W1T4 编号：C541162

封装：插件,62.8x33.8mm

品牌：Infineon(英飞凌)

EasyPIM™ 模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管带有温度检测NTC

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￥122.39
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￥118.09

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型号：IPA60R280P7SXKSA1 编号：C536373

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥3.75
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￥2.68

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型号：IR3537MTRPBF 编号：C537661

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器，可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用，为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET，用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时，在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET，而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能，尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制，用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导，并最大程度地减少体二极管导通时间，从而提供一流的效率。

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1+
￥3.8 ￥5
10+
￥3.234 ￥4.9
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￥2.6992 ￥4.82
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￥2.66 ￥4.75

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型号：BSC0904NSI 编号：C534383

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅镀铅；符合RoHS标准。符合IEC61249-2-21的无卤要求

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1+
￥4.32
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￥3.5
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￥3.09

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型号：IPD60R600CM8XTMA1 编号：C26319078

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥5.94
10+
￥4.8
30+
￥4.23
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￥3.67

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型号：IPD95R2K0P7ATMA1 编号：C3279009

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数RDS(on) * EGS,typ，降低了Ωg、Cgin和Cgin。同类最佳的DPAK封装RDS(on)。同类最佳的VGS(th)为3V，且VGS(th)变化最小，为±0.5V。集成齐纳二极管ESD保护。同类最佳的品质和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。也适用于消费和太阳能应用中的PFC级

1+
￥6.34
10+
￥5.2
30+
￥4.58

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型号：BSC0501NSI 编号：C3278727

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥7.27
10+
￥6.05
30+
￥5.37

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型号：IRFS3806TRLPBF 编号：C538013

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥8.01
10+
￥6.61
30+
￥5.84
100+
￥4.266 ￥4.74
500+
￥3.924 ￥4.36
800+
￥3.762 ￥4.18

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型号：IRFS4620TRLPBF 编号：C538024

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥8.32
10+
￥6.9
30+
￥6.12
100+
￥5.24

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型号：IRFSL4410ZPBF 编号：C538048

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征了电容和雪崩SOA。增强了体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥8.6016 ￥17.92
10+
￥6.6614 ￥17.53
30+
￥4.8328 ￥17.26
100+
￥4.76 ￥17

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型号：IRFH7085TRPBF 编号：C520643

封装：PQFN(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。同步整流应用

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1+
￥9.3651 ￥10.07
10+
￥7.1048 ￥8.56
30+
￥5.6429 ￥7.73
100+
￥4.3508 ￥5.96
500+
￥4.0442 ￥5.54
1000+
￥3.9055 ￥5.35

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型号：IRFB4620PBF 编号：C537865

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥10.27
10+
￥8.65
30+
￥7.76

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型号：BSZ014NE2LS5IF 编号：C534641

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 100% 雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥11.27
10+
￥9.58
30+
￥8.53

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型号：IRGP4062DPBF 编号：C500538

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低 Vce (on) 沟槽 IGBT 技术。低开关损耗。最高结温 175℃。5μs 短路安全工作区。方形反向偏置安全工作区。100% 的部件经过 I(LM) 测试。正 Vce (on) 温度系数。超快软恢复共封装二极管。紧密的参数分布。无铅封装

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1+
￥12.67
10+
￥10.97
25+
￥9.9
100+
￥8.81

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型号：IRFS3004TRL7PP 编号：C538000

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥13.19
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￥11.05
30+
￥9.71

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型号：IRFI4212H-117P 编号：C500534

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。

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1+
￥13.79
10+
￥12.11
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￥7.35

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型号：IPP60R099P7XKSA1 编号：C672383

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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