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1个N沟道耐压:600V 电流:39A

型号：IPL60R085P7AUMA1 编号：C3289358

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥28.31
10+
￥23.99
30+
￥21.42

有货

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1个N沟道耐压:1.2kV 电流:4.7A

型号：IMBG120R350M1HXTMA1 编号：C6879142

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换向的坚固体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

1+
￥30.44
10+
￥25.75
30+
￥22.96

有货

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IMZ120R220M1H

型号：IMZ120R220M1H 编号：C536295

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，易于实现栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器

数据手册

1+
￥35.54
10+
￥30.35
30+
￥27.18

有货

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HEXFET功率MOSFET

型号：IRFB4110GPBF 编号：C537859

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥36.71
10+
￥31.35
30+
￥28.08

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:100A

型号：IRF300P226 编号：C537753

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dv/dt和dv/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

数据手册

1+
￥37.24
10+
￥32.03
25+
￥28.85

有货

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600V, 33A, 650V

型号：IPT60R045CFD7XTMA1 编号：C3278556

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CFD7是CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 和改进的关断性能，CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

1+
￥47.94
10+
￥40.8
30+
￥36.45

有货

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IGBT模块

型号：FP10R12W1T4 编号：C541162

封装：插件,62.8x33.8mm

品牌：Infineon(英飞凌)

EasyPIM™ 模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管带有温度检测NTC

数据手册

1+
￥130.28
24+
￥126

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:64A

型号：BSC0504NSI 编号：C534345

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥2.06
10+
￥2.02
30+
￥1.99
100+
￥1.96

有货

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OptiMOS5功率MOSFET，25 V

型号：BSZ013NE2LS5I 编号：C534640

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.44
10+
￥4.33
30+
￥3.78
100+
￥3.23

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:18A

型号：IPA60R180P7S 编号：C2916134

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥5.48
10+
￥4.38
50+
￥3.83

有货

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2个N沟道耐压:25V 电流:35A

型号：IRFH4253DTRPBF 编号：C537886

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：控制和同步MOSFET集成在一个封装中。低电荷控制MOSFET（典型值10nC）。低RDSON同步MOSFET（<1.45mΩ）。 Q2上具有低正向电压的本征肖特基二极管。符合RoHS标准，无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：同步降压转换器的控制和同步MOSFET

数据手册

1+
￥6.63 ￥19.5
10+
￥4.0368 ￥16.82
30+
￥2.1308 ￥15.22
100+
￥1.9054 ￥13.61

有货

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1个N沟道耐压:950V 电流:2A

型号：IPN95R3K7P7ATMA1 编号：C3278582

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss，降低了Qg、CGS 和 CGD。同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。同类最佳的品质和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级

1+
￥6.78
10+
￥5.51
30+
￥4.88
100+
￥4.25

有货

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1个N沟道耐压:950V 电流:4A

型号：IPD95R2K0P7ATMA1 编号：C3279009

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数RDS(on) * EGS,typ，降低了Ωg、Cgin和Cgin。同类最佳的DPAK封装RDS(on)。同类最佳的VGS(th)为3V，且VGS(th)变化最小，为±0.5V。集成齐纳二极管ESD保护。同类最佳的品质和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。也适用于消费和太阳能应用中的PFC级

1+
￥6.83
10+
￥5.69
30+
￥5.07
100+
￥4.36

有货

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650V 18A

型号：IKP08N65F5 编号：C536188

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。符合JEDEC针对目标应用的标准。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥7.85
10+
￥6.98
50+
￥6.43
100+
￥5.87

有货

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OptiMOS5功率MOSFET，25 V

型号：BSZ014NE2LS5IF 编号：C534641

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 100% 雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥10.63
10+
￥8.94
30+
￥7.89
100+
￥6.81

有货

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1.2kV 25A

型号：IHW25N120E1 编号：C536121

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥12.8226 ￥18.06
10+
￥10.4981 ￥17.21
30+
￥8.5221 ￥16.71
90+
￥8.262 ￥16.2
510+
￥8.1396 ￥15.96
990+
￥8.0886 ￥15.86

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:433A

型号：BSC005N03LS5IATMA1 编号：C3278641

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。为快速开关优化电荷。为感应导通耐用性优化 Qgd / Qgs。 100% 雪崩测试。 N 沟道。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥14.69
10+
￥12.43
30+
￥11.02
100+
￥9.12

有货

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1A DC电机驱动器

型号：TLE4205G 编号：C5157949

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 4205G是一款适用于宽温度范围的集成式功率全桥直流电机驱动器，例如汽车应用中就有这样的需求。该电路包含两个功率比较器，可组合成一个全桥电路。对于感性负载，有集成的续流二极管连接到+ΔVS和地。输出端在高达18 V的电源电压下对地短路保护，并且在出现过热时会关闭。这款IC特别适用于汽车的前照灯光束调节。

1+
￥15.29
10+
￥12.9
30+
￥11.41
100+
￥9.88

有货

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降压型 10A 4.75V~45V

型号：TLF51801ELV 编号：C540216

封装：SSOP-14-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLF51801ELV 是一款同步降压控制器,适用于汽车应用。该控制器支持外部功率MOSFET,最大输出电流可达10A。具有可调输出电压、±2%的输出电压容差、外部功率晶体管、集成自举二极管、PWM调节、非常低的掉电操作（最大占空比高于99%）、4.75V到45V的输入电压范围、100到700kHz的可调开关频率、PG-SSOP-14封装、同步输入、非常低的关断电流消耗（<2uA）、软启动功能、输入欠压锁定功能。

数据手册

1+
￥18.5201 ￥25.37
10+
￥15.9432 ￥21.84
30+
￥14.4102 ￥19.74
100+
￥12.8553 ￥17.61
500+
￥12.1399 ￥16.63
1000+
￥11.8187 ￥16.19

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:88A

型号：IRFS4410TRLPBF 编号：C538021

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥19.8708 ￥34.26
10+
￥14.184 ￥29.55
30+
￥10.165 ￥26.75
100+
￥9.0896 ￥23.92
500+
￥8.5918 ￥22.61
800+
￥8.3676 ￥22.02

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:48A

型号：IPP60R060P7XKSA1 编号：C3288931

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥23.24
10+
￥19.89
30+
￥17.9

有货

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1个N沟道电流:23A

型号：IPB60R080P7ATMA1 编号：C7210840

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

1+
￥24.57
10+
￥20.94
30+
￥18.78

有货

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1.2kV 50A

型号：IKW25T120 编号：C127955

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗DuoPack封装：采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT，搭配软恢复、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。约1

数据手册

1+
￥24.584 ￥43.9
10+
￥17.5214 ￥38.09
30+
￥12.4344 ￥34.54
90+
￥11.3652 ￥31.57

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:110A

型号：IRFS7540TRLPBF 编号：C538035

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥24.8834 ￥29.98
10+
￥18.8778 ￥25.86
30+
￥14.7483 ￥23.41
100+
￥13.1859 ￥20.93
500+
￥12.4677 ￥19.79
800+
￥12.1464 ￥19.28

有货

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650V 74A

型号：IKW40N65F5 编号：C536217

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥27.5473 ￥34.87
10+
￥20.7552 ￥30.08
30+
￥16.0657 ￥27.23
90+
￥14.3665 ￥24.35
510+
￥13.5818 ￥23.02
990+
￥13.2278 ￥22.42

有货

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HEXFET功率MOSFET

型号：IRL60B216 编号：C538132

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完整的电容和雪崩 SOA 特性。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥33.2
10+
￥28.22
30+
￥25.26

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:23A

型号：IPA60R080P7 编号：C536341

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥33.2073 ￥52.71
10+
￥27.9363 ￥52.71
30+
￥22.6653 ￥52.71

有货

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600V CoolMOs CM8功率晶体管

型号：IPP60R037CM8XKSA1 编号：C28760736

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥40.94
10+
￥34.88
50+
￥31.19

有货

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耐压:650V 电流:63.3A

型号：IPW65R048CFDA 编号：C537487

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

单价：
￥41.5776 / 个￥58.56 / 个

有货

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1.2kV 92A

型号：IKW75N120CH7XKSA1 编号：C20191520

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 75 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥59.62
10+
￥50.8
30+
￥45.42

有货

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