英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKW75N65EL5 编号：C454251

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOP™ 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管（IGBT），与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

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型号：IPW60R060P7 编号：C454258

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：TDA21590AUMA1 编号：C3191591

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21590是一款高频率、低剖面的DC-DC转换器,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节。它集成了驱动器、活性二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2,具有多种保护功能,包括温度报告、过温保护、逐周期过流保护等。

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型号：IMBG120R220M1HXTMA1 编号：C5342192

封装：TO-263-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的稳健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

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型号：IRF250P224 编号：C459947

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

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型号：PVG612S-TPBF 编号：C520649

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些产品在使用寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场的不敏感性和坚固性方面超过了机电继电器的性能。紧凑的产品特别适用于 12 至 48 伏交流或直流电源的高电流隔离开关。采用 6 引脚、模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

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型号：TLE4945L 编号：C539817

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

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型号：IPA60R180P7S 编号：C2916134

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IPA60R360P7S 编号：C459165

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IKA15N65F5 编号：C536139

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT，与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

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型号：IHW30N65R5 编号：C536126

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低 EMI。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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型号：IRFS7434TRLPBF 编号：C538030

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPA95R450P7 编号：C536434

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：一流的品质因数 RDS(on)*Eoss；降低 Qg、Ciss 和 Coss。一流的 V(GS)th 为 3V，最小的 V(GS)th 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。一流的 CoolMOS 质量和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级

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型号：IKW30N65WR5 编号：C536215

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关 (ZCS) 应用进行了优化。 TRENCHSTOP™ 5 技术应用提供: -高耐用性，温度稳定性能。 -极低的集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 和低最大值 (Emax)。 -由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰 (EMI)。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正 (PFC)

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型号：IGW40N60H3 编号：C536099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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型号：IRFS3006TRL7PP 编号：C538002

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IHW20N120R5 编号：C536118

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥19.12
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型号：IPP120N20NFD 编号：C537163

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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型号：TDA21472 编号：C539592

封装：IQFN-39-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21472是一款高效率的DC-DC转换器电压调节器,集成了驱动器、肖特基二极管和高侧及低侧MOSFET。它支持4.25 V至16 V的输入电压范围,输出电压范围从0.25 V到5.5 V,最大输出电流为70 A,开关频率可达1.5MHz。该器件还具有多种保护功能,包括逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定保护和MOSFET相位故障检测。其封装为5 mm x 6 mm x 1 mm的PQFN,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列等应用。

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￥22.78
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￥19.46
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￥17.48

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型号：IKW40N65F5 编号：C536217

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

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￥25.1064 ￥34.87
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￥18.6496 ￥30.08
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￥14.1596 ￥27.23
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￥12.662 ￥24.35
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￥11.9704 ￥23.02
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￥11.6584 ￥22.42

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型号：IRF300P226 编号：C537753

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dv/dt和dv/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

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1+
￥36.56
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￥35.67
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￥35.08

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型号：IR1168STRPBF 编号：C500524

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR1168是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的特性。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时对功率开关进行导通和关断操作

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￥33.46
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￥14.3728 ￥27.64

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型号：IKQ75N120CS6 编号：C536207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。由于VCEsat正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

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￥55.78
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￥48.59
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￥42.05

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型号：IRF40R207 编号：C3007638

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥3.91
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￥3.15
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￥2.78
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型号：IRFB7734PBF 编号：C537874

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥4
10+
￥3.29
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￥2.93
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￥2.57

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型号：IRGR3B60KD2TRP 编号：C3190816

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。低二极管VF。 10μs短路能力。方形RBSOA。超软二极管反向恢复特性。正VCE (on)温度系数。无铅

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￥9.91
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￥9.8
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￥9.69

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型号：ICE2QR2280G 编号：C535755

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET™- Q1系列（ICE2QRxx80G）是第一代准谐振集成功率IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、可读写DVD、DVD组合光驱、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关模式电源有望降低电磁干扰（EMI）、提高效率并降低次级二极管的电压应力

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型号：IKP20N60H3 编号：C116435

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack：采用沟槽和场截止技术的IGBT，具有软恢复、快速恢复的反并联二极管

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型号：IRFS4127TRLPBF 编号：C413499

封装：D2PAk

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IPTA60R180CM8XTMA1 编号：C27391715

封装：LHSOF-4

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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