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1个N沟道耐压:200V 电流:84A

型号：IPP120N20NFD 编号：C537163

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥22.03
10+
￥19.17
50+
￥17.38

有货

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650V 100A

型号：IKWH60N65WR6 编号：C5359103

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 60 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥23.58
10+
￥19.58
30+
￥17.21
90+
￥14.81

有货

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1个N沟道电流:48A

型号：IPW60R037P7XKSA1 编号：C454263

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

数据手册

1+
￥30.55
10+
￥26.43
30+
￥23.98

有货

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1.2kV 150A

型号：IKQ75N120CS6 编号：C536207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。由于VCEsat正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

数据手册

1+
￥44.34
10+
￥42.54
30+
￥39.29

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:8A

型号：IPA60R280P7SXKSA1 编号：C536373

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.88
50+
￥2.56

有货

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650V 14A

型号：IKA15N65F5 编号：C536139

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT，与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥7.1394 ￥9.78
10+
￥6.0102 ￥9.54
50+
￥4.9714 ￥9.38
100+
￥4.8866 ￥9.22

有货

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1.35kV 20A

型号：IHW20N135R5 编号：C536119

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：提供1350V的高击穿电压，提高可靠性。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。 -低Vce(sat)。 -由于Vce(sat)具有正温度系数，易于并联开关。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥11.28
10+
￥9.63
30+
￥8.6

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:281A

型号：IRFP7530PBF 编号：C513170

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥11.72
10+
￥9.97
25+
￥7.75

有货

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650V 30A

型号：IHW30N65R5 编号：C536126

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低 EMI。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥12.7756 ￥16.81
10+
￥10.5732 ￥16.02
30+
￥8.708 ￥15.55
90+
￥8.4448 ￥15.08
510+
￥8.3216 ￥14.86
990+
￥8.2656 ￥14.76

有货

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600V 80A

型号：IGW40N60H3 编号：C536099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥18.3677 ￥25.87
10+
￥15.0365 ￥24.65
30+
￥12.2043 ￥23.93
90+
￥11.832 ￥23.2
510+
￥11.6637 ￥22.87
990+
￥11.5821 ￥22.71

有货

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降压型 25A 4.3V~5.5V

型号：IR3888MTRPBFAUMA1 编号：C1854990

封装：IQFN-22

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3888是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。其内置的PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化了设计并实现了快速控制响应。

数据手册

1+
￥19.42
10+
￥18.41
30+
￥17.81
100+
￥17.21

有货

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650V 80A

型号：IKW75N65EL5 编号：C454251

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOP™ 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管（IGBT），与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥19.68
10+
￥17
30+
￥15.32
90+
￥13.6
510+
￥12.82
990+
￥12.48

有货

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1.2kV 20A

型号：IHW20N120R5 编号：C536118

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥20.02
10+
￥17.34
30+
￥14.83
90+
￥13.22
480+
￥12.48
960+
￥12.14

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降压型 70A 4.25V~16V

型号：TDA21472 编号：C539592

封装：IQFN-39-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21472是一款高效率的DC-DC转换器电压调节器,集成了驱动器、肖特基二极管和高侧及低侧MOSFET。它支持4.25 V至16 V的输入电压范围,输出电压范围从0.25 V到5.5 V,最大输出电流为70 A,开关频率可达1.5MHz。该器件还具有多种保护功能,包括逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定保护和MOSFET相位故障检测。其封装为5 mm x 6 mm x 1 mm的PQFN,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列等应用。

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1+
￥22.92
10+
￥19.59
30+
￥17.62

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载DC

型号：PVD1352NSPBF 编号：C538591

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开的固态继电器，用于模拟信号的通用开关，可替代机电继电器。利用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管的辐射控制，与光伏发生器进行光隔离。克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，具有长寿命、快速操作速度、低启动功率、无弹跳操作、低热失调电压和微型封装等固态优势

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单价：
￥43.09 / 个

有货

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650V,电流:29A,耐压:650V

型号：IPB65R050CFD7AATMA1 编号：C3289210

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥53.09
10+
￥45.27
30+
￥40.5

有货

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650V 160A

型号：IKY150N65EH7XKSA1 编号：C26014850

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 150 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。 EV充电

1+
￥77.52
10+
￥74.88

有货

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适用于磁场应用的单极性和双极性霍尔IC开关

型号：TLE4935L 编号：C3715773

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。

1+
￥4.39
10+
￥4.3
30+
￥4.23

有货

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霍尔效应开关

型号：TLE4945L 编号：C539817

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

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1+
￥5.9
10+
￥4.79
30+
￥4.23
100+
￥3.68

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双同步整流控制IC

型号：IR11688STRPBF 编号：C537534

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR11688是一款双路智能次级侧控制器IC，针对驱动两个配置用于谐振转换器应用中同步整流的N沟道功率MOSFET进行了优化。每个通道可驱动一个或多个并联的MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为，在每个导通周期的大部分时间内绕过体二极管，以最大限度地降低功耗，并在阻断期间保持关断状态。通过感测每个整流MOSFET的漏源电压来确定源漏电流，并在每个导通周期开始时迅速开启每个栅极，并在输出整流电路各支路的电流接近零转换时关断。采用先进的消隐方案和双脉冲抑制技术，可确保在固定和可变频率应用中可靠运行，实现了高耐用性和抗噪性。可编程最小导通时间（MOT）功能提供了在宽范围开关频率下工作的灵活性。逐周期MOT保护电路能够自动检测轻载或空载状态，以便禁用栅极驱动，避免不必要的反向电流流过MOSFET。IR11688的Vcc电源电压范围为4.75V至18V，使其电源可从输出端获取，从而在输出电压低至5V的系统中无需辅助电源电路。当栅极驱动不进行开关操作时，IR11688的静态电流非常低，可在待机模式下实现最低功耗。

数据手册

1+
￥7.5123 ￥14.73
10+
￥5.7523 ￥14.03
30+
￥4.2191 ￥13.61
100+
￥4.0858 ￥13.18
500+
￥4.0269 ￥12.99
1000+
￥3.999 ￥12.9

有货

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1.2kV 15A

型号：IHW15N120E1 编号：C536117

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低集电极-发射极饱和电压 (VcEsat)。由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰 (EMI)。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥8.9425 ￥12.25
10+
￥7.5285 ￥11.95
30+
￥6.2275 ￥11.75
90+
￥6.1162 ￥11.54

有货

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800V 10.5V~25V

型号：ICE2QR2280G 编号：C535755

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET™- Q1系列（ICE2QRxx80G）是第一代准谐振集成功率IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、可读写DVD、DVD组合光驱、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关模式电源有望降低电磁干扰（EMI）、提高效率并降低次级二极管的电压应力

数据手册

1+
￥9.37
10+
￥7.79
30+
￥6.92
100+
￥5.93

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:246A

型号：IRFB7730PBF 编号：C495807

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。全面表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥10.6
10+
￥8.91
50+
￥7.98
100+
￥6.93
500+
￥6.47
1000+
￥6.26

有货

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降压型 30A 2V~17V

型号：IR3889MTRPBF 编号：C537726

封装：IQFN-36-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3889是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3889成为小尺寸解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3889具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。它也可以使用外部偏置电源工作，其工作输入电压（PVin）范围扩展至2.0 V至17 V。IR3889是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

单价：
￥11.2644 / 个

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1个N沟道耐压:40V 电流:400A

型号：IRFS3004TRL7PP 编号：C538000

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥13.68
10+
￥11.54
30+
￥10.21
100+
￥8.84

有货

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600V 18A

型号：IPTA60R180CM8XTMA1 编号：C27391715

封装：LHSOF-4

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥14.16
10+
￥11.87
30+
￥10.45
100+
￥8.98

有货

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200V 8.6V~18V 1A

型号：IR1168STRPBF 编号：C500524

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR1168是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的特性。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时对功率开关进行导通和关断操作

数据手册

1+
￥20.098 ￥38.65
10+
￥17.3992 ￥33.46
30+
￥15.756 ￥30.3
100+
￥14.3728 ￥27.64

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:20.7A

型号：SPP20N60CFD 编号：C168876

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术。 TO 220封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。超低栅极电荷。具备周期性雪崩额定值。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。内置快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。无铅镀铅；符合RoHS标准；无卤模塑料。符合JEDEC工业级应用标准

数据手册

1+
￥21.12
10+
￥18.26
50+
￥16.47

有货

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1.2kV 25A

型号：IKW25N120H3 编号：C111025

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

数据手册

1+
￥23.13
10+
￥20.18
30+
￥16.31
90+
￥14.54
480+
￥13.72
960+
￥13.35

有货

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650V 122A

型号：IKWH70N65WR6 编号：C5359104

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 70A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥23.91
10+
￥22.73
30+
￥22.01
90+
￥21.41

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