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耐压:30V 电流:89A

型号：BSC0902NSI 编号：C534382

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。在栅源电压为4.5V时，具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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1+
￥3.71
10+
￥2.98
30+
￥2.67
100+
￥2.28

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:7.8A

型号：IRF7905TRPBF 编号：C537833

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。最大栅极额定电压20V。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点转换器的双SO-8 MOSFET

数据手册

1+
￥6.74
10+
￥5.55
30+
￥4.95
100+
￥4.36
500+
￥4.01

有货

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600V 60A

型号：IKW30N60H3 编号：C114962

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速双封装：采用沟槽和场截止技术的 IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

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1+
￥10.96
10+
￥9.18
30+
￥7.87
90+
￥6.73

有货

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200V 8.6V~18V

型号：IR11682STRPBF 编号：C148145

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR11682是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时控制功率开关的导通和关断

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1+
￥12.24
10+
￥10.27
30+
￥9.03
100+
￥7.77

有货

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650V 90A

型号：IKW75N65EH5 编号：C454259

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可插拔替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

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1+
￥14.07
10+
￥11.8
30+
￥10.38

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:426A

型号：IRFS7430TRLPBF 编号：C538028

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥15.02
10+
￥12.84
30+
￥11.47
100+
￥8.82
500+
￥8.19
800+
￥7.91

有货

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降压型 90A 4.25V~16V

型号：TDA21590AUMA1 编号：C3191591

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21590是一款高频率、低剖面的DC-DC转换器,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节。它集成了驱动器、活性二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2,具有多种保护功能,包括温度报告、过温保护、逐周期过流保护等。

1+
￥25.46
10+
￥21.8
30+
￥19.62

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A 40A

型号：BSZ0904NSIATMA1 编号：C6869294

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单芯片类肖特基二极管。极低导通电阻，在 VGS = 4.5V 时。 100% 雪崩测试。卓越的热阻。 N 沟道。符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥5.12
10+
￥4.1
30+
￥3.6
100+
￥3.09

有货

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650V 10.8A

型号：IKA08N65H5 编号：C536136

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥7.4168 ￥10.16
10+
￥6.2622 ￥9.94
50+
￥5.194 ￥9.8
100+
￥5.1145 ￥9.65

有货

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650V 10.8A

型号：IKA08N65F5 编号：C536135

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Q_G。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥8.5981 ￥12.11
10+
￥6.8137 ￥11.17
50+
￥5.3907 ￥10.57
100+
￥5.0796 ￥9.96
500+
￥4.9419 ￥9.69
1000+
￥4.8807 ￥9.57

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:270A

型号：IRLB3036PBF 编号：C538145

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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1+
￥9.95
10+
￥8.2
50+
￥7.23

有货

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双 IGBT 驱动 IC

型号：2ED020I12-FI 编号：C533039

封装：DSO-18

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。

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1+
￥13.55
10+
￥12.81
30+
￥12.37
100+
￥11.93

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:13A

型号：IPP80R360P7 编号：C537260

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,ij，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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1+
￥14.2142 ￥20.02
10+
￥12.1481 ￥17.11
50+
￥10.8559 ￥15.29
100+
￥9.5282 ￥13.42
500+
￥8.9318 ￥12.58
1000+
￥8.6762 ￥12.22

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1个N沟道耐压:200V 电流:72A

型号：IRFS4127TRLPBF 编号：C413499

封装：D2PAk

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.92
10+
￥12.77
30+
￥11.42
100+
￥8.58

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650V 83A

型号：IHW40N65R6 编号：C20613158

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：完整的产品系列和PSpice模型。由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。高耐用性和稳定的温度特性。低EMI。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。强大的单片反向导通二极管，正向电压低。应用：感应烹饪。微波炉

1+
￥15.3
10+
￥12.85
30+
￥11.31
90+
￥9.74

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1个N沟道耐压:100V 电流:180A

型号：IRFS4010TRLPBF 编号：C538014

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥15.69
10+
￥13.18
30+
￥11.61
100+
￥10

有货

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650V CoolMOS CFDA功率晶体管

型号：IPW65R110CFDA 编号：C537493

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥18.35
10+
￥15.53
30+
￥13.2
90+
￥11.39

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600V 40A

型号：IKW40N60H3 编号：C128881

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速DuoPack绝缘栅双极型晶体管（IGBT），配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

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1+
￥18.37
10+
￥16.16
30+
￥14.78

有货

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1.35kV 40A

型号：IHW40N135R5 编号：C536128

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流而设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定特性。 -低VCEsat。 -由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。低EMI。应用：感应烹饪。微波炉

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1+
￥24.26
10+
￥20.7
30+
￥17.78
90+
￥15.64

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IGBT单管

型号：IKQ75N120CH3 编号：C467848

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

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1+
￥53.5
10+
￥48.29
30+
￥45.11

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1个N沟道耐压:650V 电流:26A

型号：IPA60R360P7S 编号：C459165

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥5.88
10+
￥4.91
50+
￥4.04
100+
￥3.56

有货

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600V 8A

型号：IKP04N60T 编号：C536186

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗DuoPack封装：采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT，搭配软恢复、快速恢复的反并联EmCon HE二极管。

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1+
￥6.26
10+
￥5.57
50+
￥4.9344 ￥5.14
100+
￥4.5024 ￥4.69
500+
￥4.3104 ￥4.49
1000+
￥4.224 ￥4.4

有货

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HEXFET功率MOSFET

型号：IRFB4615PBF 编号：C537864

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥6.79
10+
￥5.65
50+
￥4.26

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:43A

型号：IRFS3806TRLPBF 编号：C538013

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥8.73
10+
￥7.33
30+
￥6.56
100+
￥4.914 ￥5.46
500+
￥4.572 ￥5.08
800+
￥4.41 ￥4.9

有货

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600V 26A

型号：IKP15N60T 编号：C467845

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。专为变频器和不间断电源设计。适用于600V应用的TRENCHSTOP™和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。 -非常高的开关速度。 VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。无铅镀铅；符合RoHS标准。非常软、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。根据JEDEC针对目标应用进行了资格认证

数据手册

1+
￥10.66
10+
￥9.02
50+
￥7.73
100+
￥6.5464 ￥6.68
500+
￥6.0858 ￥6.21
1000+
￥5.88 ￥6

有货

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600V 48A

型号：IRGP4062DPBF 编号：C500538

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低 Vce (on) 沟槽 IGBT 技术。低开关损耗。最高结温 175℃。5μs 短路安全工作区。方形反向偏置安全工作区。100% 的部件经过 I(LM) 测试。正 Vce (on) 温度系数。超快软恢复共封装二极管。紧密的参数分布。无铅封装

数据手册

1+
￥10.73
10+
￥9.03
25+
￥7.96
100+
￥6.87

有货

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650V 55A

型号：IKP30N65H5 编号：C536198

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥11.2677 ￥15.87
10+
￥9.2293 ￥15.13
50+
￥7.4919 ￥14.69
100+
￥7.2624 ￥14.24
500+
￥7.1553 ￥14.03
1000+
￥7.1094 ￥13.94

有货

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2个N沟道耐压:100V 电流:11A

型号：IRFI4212H-117P 编号：C500534

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。

数据手册

1+
￥13.79
10+
￥12.11
50+
￥7.35

有货

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650V 30A

型号：IKW30N65WR5 编号：C536215

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关 (ZCS) 应用进行了优化。 TRENCHSTOP™ 5 技术应用提供: -高耐用性，温度稳定性能。 -极低的集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 和低最大值 (Emax)。 -由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰 (EMI)。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正 (PFC)

数据手册

1+
￥15.34
10+
￥12.89
30+
￥11.36
90+
￥9.79

有货

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1.2kV 30A

型号：IKW15N120T2 编号：C79568

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗 DuoPack：采用第二代 TrenchStop 技术的 IGBT，具有软、快速恢复反并联发射极控制二极管。

数据手册

1+
￥20.21
10+
￥17.37
30+
￥15.59
90+
￥13.77
480+
￥12.94
960+
￥12.59

有货

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