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双 IGBT 驱动 IC

型号：2ED020I12-FI 编号：C533039

封装：DSO-18

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。

数据手册

1+
￥15.2
10+
￥14.38
30+
￥13.9
100+
￥13.41

有货

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600V 50A

型号：IKW50N60H3 编号：C127956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供非常低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥16.92
10+
￥14.46
30+
￥11.59
90+
￥10.02

有货

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600V 40A

型号：IKW40N60H3 编号：C128881

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速DuoPack绝缘栅双极型晶体管（IGBT），配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

数据手册

1+
￥40.43
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￥35.18
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1200V 沟槽式碳化硅 MOSFET

型号：IMZ120R140M1H 编号：C536294

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。坚固的体二极管，适用于硬换向。应用：能源生产。太阳能串式逆变器和太阳能优化器

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1+
￥41.63
10+
￥37.2334 ￥39.61
25+
￥32.2476 ￥38.39
100+
￥31.3824 ￥37.36

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600V CoolMOs CM8功率晶体管

型号：IPP60R037CM8XKSA1 编号：C28760736

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥42.2
10+
￥35.95
50+
￥32.15

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1个N沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IRFR7446TRPBF 编号：C97243

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥2.71
10+
￥2.13
30+
￥1.89

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耐压:650V 电流:6A

型号：IPD60R360P7S 编号：C536820

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

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1+
￥3.11
10+
￥2.43
30+
￥2.14
100+
￥1.78

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耐压:30V 电流:89A

型号：BSC0902NSI 编号：C534382

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。在栅源电压为4.5V时，具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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￥3.64
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￥2.88
30+
￥2.56
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￥2.16
500+
￥1.98

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1个N沟道耐压:40V 电流:362A

型号：IRFS7434TRL7PP 编号：C538029

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征电容和雪崩 SOA。增强体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥7.58
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￥6.24
30+
￥5.5
100+
￥4.66

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650V 10.8A

型号：IKA08N65F5 编号：C536135

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Q_G。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥7.7504 ￥12.11
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￥6.0318 ￥11.17
50+
￥4.6508 ￥10.57
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￥4.3824 ￥9.96
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￥4.2636 ￥9.69
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￥4.2108 ￥9.57

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适用于磁场应用的单极性和双极性霍尔IC开关

型号：TLE4935L 编号：C3715773

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。

1+
￥10.16
10+
￥8.46
30+
￥7.53
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￥6.48

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1个N沟道耐压:800V 电流:13A

型号：IPP80R360P7 编号：C537260

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,ij，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥10.2102 ￥20.02
10+
￥7.0151 ￥17.11
50+
￥4.7399 ￥15.29
100+
￥4.1602 ￥13.42
500+
￥3.8998 ￥12.58
1000+
￥3.7882 ￥12.22

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600V 60A

型号：IKW30N60H3 编号：C114962

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速双封装：采用沟槽和场截止技术的 IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

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1+
￥11.32
10+
￥9.52
30+
￥8.21
90+
￥7.06

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1个N沟道耐压:60V 电流:281A

型号：IRFP7530PBF 编号：C513170

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥12.96
10+
￥11.21
25+
￥8.99

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650V 83A

型号：IHW40N65R6 编号：C20613158

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：完整的产品系列和PSpice模型。由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。高耐用性和稳定的温度特性。低EMI。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。强大的单片反向导通二极管，正向电压低。应用：感应烹饪。微波炉

1+
￥15.38
10+
￥12.93
30+
￥11.39
90+
￥9.82

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650V 80A

型号：IGW50N65F5 编号：C536107

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥17.8496 ￥27.89
10+
￥14.3532 ￥26.58
30+
￥11.3564 ￥25.81
90+
￥11.0088 ￥25.02
510+
￥10.8504 ￥24.66
990+
￥10.7756 ￥24.49

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1.35kV 30A

型号：IHW30N135R5 编号：C536124

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™ 技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥18.24
10+
￥15.53
30+
￥12.87
90+
￥11.13
480+
￥10.35
960+
￥10.01

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1200V 沟槽式碳化硅 MOSFET

型号：IMZ120R030M1HXKSA1 编号：C3289091

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源生产。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

1+
￥84.72
10+
￥74.29
30+
￥67.93

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1个N沟道耐压:150V 电流:33A

型号：IRFSL5615PBF 编号：C538049

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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1+
￥3.78
10+
￥3.36
50+
￥2.76
100+
￥2.56
500+
￥2.43

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1个N沟道耐压:30V 电流:64A

型号：BSC0504NSI 编号：C534345

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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1+
￥3.81
10+
￥3.06
30+
￥2.68
100+
￥2.3

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1个N沟道耐压:60V 电流:173A

型号：IRFB7537PBF 编号：C537871

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥4.6
10+
￥3.72
50+
￥3.29
100+
￥2.85

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OptiMOs5功率MOSFET，30 V

型号：BSZ0500NSI 编号：C534661

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.48
10+
￥4.38
30+
￥3.83
100+
￥3.28

有货

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OptiMOS5功率MOSFET，25 V

型号：BSZ013NE2LS5I 编号：C534640

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.84
10+
￥4.74
30+
￥4.18
100+
￥3.64

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:7.8A

型号：IRF7905TRPBF 编号：C537833

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。最大栅极额定电压20V。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点转换器的双SO-8 MOSFET

数据手册

1+
￥6.33
10+
￥5.13
30+
￥4.54
100+
￥3.95
500+
￥3.59

有货

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600V 8A

型号：IKP04N60T 编号：C536186

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗DuoPack封装：采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT，搭配软恢复、快速恢复的反并联EmCon HE二极管。

数据手册

1+
￥6.7032 ￥8.82
10+
￥5.3658 ￥8.13
50+
￥4.312 ￥7.7
100+
￥4.06 ￥7.25
500+
￥3.948 ￥7.05
1000+
￥3.9032 ￥6.97

有货

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650V 42A

型号：IKP20N65F5 编号：C536194

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT，与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥9.2799 ￥14.73
10+
￥7.4412 ￥14.04
50+
￥5.8609 ￥13.63
100+
￥5.6803 ￥13.21
500+
￥5.5986 ￥13.02
1000+
￥5.5599 ￥12.93

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:100A

型号：BSC009NE2LS5I 编号：C122543

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥11.71
10+
￥9.68
30+
￥8.56

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:78A

型号：IPL60R125P7AUMA1 编号：C3289363

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥13.34
10+
￥11.29
30+
￥10.02

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1个N沟道电流:16A

型号：IPW60R120P7 编号：C537467

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

数据手册

1+
￥18.8825 ￥22.75
10+
￥15.8337 ￥21.69
30+
￥13.2615 ￥21.05
90+
￥12.8583 ￥20.41
480+
￥12.6693 ￥20.11
960+
￥12.5874 ￥19.98

有货

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600V 80A

型号：IKW50N60DTP 编号：C501514

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

数据手册

1+
￥20.38
10+
￥17.82
30+
￥16.22
90+
￥14.58
510+
￥13.83
990+
￥13.51

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