英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFS7530TRL7PP 编号：C445669

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPW65R110CFD 编号：C454261

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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型号：IPTG111N20NM3FDATMA1 编号：C3278561

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。具有低 Qrr 的快速二极管 (FD)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 无卤。针对硬换向耐用性进行优化

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型号：IRFB7545PBF 编号：C2997913

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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型号：IPB60R099P7ATMA1 编号：C3279155

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IKCM30F60GD 编号：C476130

封装：插件

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

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型号：IPD60R600P7S 编号：C536833

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

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型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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型号：IRF200S234 编号：C459945

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dv/dt和di/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IRFR7540TRPBF 编号：C3007637

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IRFB4127PBF 编号：C413498

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IRFB4310PBF 编号：C454255

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IRFB4615PBF 编号：C537864

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IRFS7734TRLPBF 编号：C406802

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPW65R150CFD 编号：C537495

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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型号：IKCM15L60GD 编号：C536159

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块家族可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

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型号：DF80R12W2H3FB11 编号：C17271226

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：CoolSiC Schottky二极管第5代。高速IGBT H3。低开关损耗。 3 kV AC 1min绝缘。 Al₂O₃基板，低热阻。集成NTC温度传感器。应用：太阳能应用

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￥285
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型号：IRFB3307PBF 编号：C520671

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥4.0828 ￥6.92
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型号：BSZ0904NSIATMA1 编号：C6869294

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单芯片类肖特基二极管。极低导通电阻，在 VGS = 4.5V 时。 100% 雪崩测试。卓越的热阻。 N 沟道。符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

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￥13.8043 ￥18.91
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￥10.1682 ￥16.14
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￥7.632 ￥14.4
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￥6.6886 ￥12.62
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￥6.2646 ￥11.82
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￥6.0791 ￥11.47

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型号：IRFP3077PBF 编号：C520658

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性： TO-247封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥19.5464 ￥36.88
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￥13.6783 ￥31.81
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￥9.504 ￥28.8
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￥8.4975 ￥25.75
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￥8.0322 ￥24.34
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￥7.8243 ￥23.71

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型号：IRL7472L1TRPBF 编号：C538140

封装：WHSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩SOA。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥22.32
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￥17.19
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￥15.25

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型号：IHW30N160R5 编号：C536125

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：电磁炉。微波炉

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1+
￥22.71
10+
￥19.63
30+
￥17.8
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￥15.95

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型号：IRFS7437TRLPBF 编号：C881765

封装：TO-263AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。无卤。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥4.44
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￥4.37
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型号：IPN95R3K7P7ATMA1 编号：C3278582

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss，降低了Qg、CGS 和 CGD。同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。同类最佳的品质和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级

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￥5.9
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￥4.25
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型号：BSC015NE2LS5I 编号：C3278724

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 为无卤产品

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￥5.21
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型号：IR11682STRPBF 编号：C148145

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR11682是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时控制功率开关的导通和关断

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