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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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特性:新型革命性高压技术,固有快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 超低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 周期性雪崩额定值。 符合JEDEC工业级应用标准。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准
数据手册
  • 1+

    ¥33.42
  • 10+

    ¥28.86
  • 30+

    ¥23.15
  • 90+

    ¥20.4
  • 480+

    ¥19.14
  • 960+

    ¥18.57
  • 有货
  • 62mm C-系列模块,采用快速沟槽/场截止IGBT4和优化的发射极控制二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥341.76
    • 10+

      ¥333.82
  • 有货
  • 特性:双N沟道。 集成单片肖特基二极管。 针对高性能降压转换器进行优化。 逻辑电平(额定4.5V)。 100%雪崩测试。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-22标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.47
    • 10+

      ¥3.14
    • 30+

      ¥2.97
    • 100+

      ¥2.81
    • 500+

      ¥2.13
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的 dV/dt 和 dl/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.42
    • 10+

      ¥3.53
    • 50+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.25
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 具备完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥15.5127 ¥18.69
    • 10+

      ¥13.0013 ¥17.81
    • 30+

      ¥10.8927 ¥17.29
    • 100+

      ¥10.5588 ¥16.76
    • 500+

      ¥10.4076 ¥16.52
    • 800+

      ¥10.3383 ¥16.41
  • 有货
  • 该模块家族可集成各种功率和控制组件,以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机,适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用,同时具备 EMI 安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合,以实现出色的电气性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥68.28
    • 10+

      ¥60.09
    • 28+

      ¥55.1
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥3.88
    • 50+

      ¥3.01
    • 100+

      ¥2.59
    • 500+

      ¥2.34
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥10.91
    • 10+

      ¥9.32
    • 50+

      ¥7.41
    • 100+

      ¥6.39
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用:不间断电源。太阳能转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.15
    • 10+

      ¥10.37
    • 30+

      ¥9.26
    • 90+

      ¥8.12
    • 510+

      ¥7.61
    • 990+

      ¥7.38
  • 有货
  • CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    • 1+

      ¥13.34
    • 10+

      ¥11.38
    • 30+

      ¥10.15
    • 100+

      ¥8.89
  • 有货
  • 特性:低RDS(ON)降低损耗。 低栅极电荷改善开关性能。 改善二极管恢复性能,提高开关和EMI性能。 30V栅极电压额定值提高了稳健性。 完全表征雪崩SOA。应用:运动控制应用。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥15.6
    • 10+

      ¥13.27
    • 30+

      ¥11.81
    • 100+

      ¥9.08
  • 有货
  • 第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.2475 ¥22.75
    • 10+

      ¥17.1351 ¥21.69
    • 30+

      ¥14.5245 ¥21.05
    • 90+

      ¥14.0829 ¥20.41
    • 480+

      ¥13.8759 ¥20.11
    • 960+

      ¥13.7862 ¥19.98
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.28
    • 500+

      ¥1.89
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48
    • 10+

      ¥3.82
    • 50+

      ¥2.85
    • 100+

      ¥2.52
    • 500+

      ¥2.33
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.2244 ¥15.96
    • 10+

      ¥4.4109 ¥15.21
    • 30+

      ¥2.8044 ¥14.76
    • 100+

      ¥2.7189 ¥14.31
    • 500+

      ¥2.679 ¥14.1
    • 800+

      ¥2.6619 ¥14.01
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 集成单片肖特基类二极管。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥7
    • 10+

      ¥5.73
    • 30+

      ¥5.1
    • 100+

      ¥4.47
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥16.72
    • 10+

      ¥14.36
    • 30+

      ¥12.89
    • 100+

      ¥11.16
  • 有货
  • 特性:非常低的开关损耗。 无阈值导通状态特性 。 基准栅极阈值电压,VGS(th)= 4.5V 。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 稳健的体二极管,适用于硬换向。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
    数据手册
    • 1+

      ¥43.65
    • 10+

      ¥41.57
    • 30+

      ¥40.31
  • 有货
  • 62mm C系列模块,带有快速沟槽/场截止IGBT4和发射极控制HE二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥502.5 / 个
  • 有货
  • 特性:改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征电容和雪崩 SOA。 增强体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.98
    • 10+

      ¥5.38
    • 30+

      ¥5.06
    • 100+

      ¥4.69
  • 有货
  • 特性:低VCE (on)非穿通IGBT技术。 低二极管VF。 10μs短路能力。 方形RBSOA。 超软二极管反向恢复特性。 正VCE (on)温度系数。 无铅
    • 1+

      ¥7.44
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥7.17
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥7.52
    • 10+

      ¥6.29
    • 30+

      ¥5.61
    • 100+

      ¥4.65
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.04
    • 10+

      ¥6.74
    • 50+

      ¥6.02
    • 100+

      ¥5.1058 ¥5.21
    • 500+

      ¥4.753 ¥4.85
    • 1000+

      ¥4.5962 ¥4.69
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.45
    • 10+

      ¥7.01
    • 30+

      ¥6.22
    • 100+

      ¥5.33
  • 有货
  • 采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT,与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.311 ¥14.73
    • 10+

      ¥8.424 ¥14.04
    • 50+

      ¥6.815 ¥13.63
    • 100+

      ¥6.605 ¥13.21
    • 500+

      ¥6.51 ¥13.02
    • 1000+

      ¥6.465 ¥12.93
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层,符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥10.74
    • 10+

      ¥9
    • 30+

      ¥8.05
    • 100+

      ¥6.97
  • 有货
  • 专为D类音频放大器应用设计。由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。使用最新工艺以实现每单位硅面积的低导通电阻。优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻,以改善D类音频放大器的关键性能因素,如效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。这些特性使半桥成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.77
    • 10+

      ¥13.52
    • 50+

      ¥12.11
    • 100+

      ¥10.66
  • 有货
  • 特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175℃。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥24.12
    • 10+

      ¥22.81
    • 30+

      ¥22.03
    • 90+

      ¥19.55 ¥21.25
    • 510+

      ¥19.2096 ¥20.88
    • 990+

      ¥19.0624 ¥20.72
  • 有货
  • 特性:CoolSiC Schottky二极管第5代。 高速IGBT H3。 低开关损耗。 3 kV AC 1min绝缘。 Al₂O₃基板,低热阻。 集成NTC温度传感器。应用:太阳能应用
    • 1+

      ¥275
    • 30+

      ¥265
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。 无卤素。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥3.381 ¥4.83
    • 10+

      ¥2.592 ¥4.32
    • 50+

      ¥2.035 ¥4.07
    • 100+

      ¥1.91 ¥3.82
    • 500+

      ¥1.835 ¥3.67
    • 1000+

      ¥1.795 ¥3.59
  • 有货
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