英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKW40N120CS6 编号：C454252

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低EMI。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

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1+
￥27.77
10+
￥24.01
30+
￥19.66
100+
￥17.4
500+
￥16.36

有货

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型号：BSC014N04LSI 编号：C2934854

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。集成单片肖特基类二极管。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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1+
￥9.29
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￥7.79
30+
￥6.98
100+
￥6.05
500+
￥5.19

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型号：IRFS7430TRLPBF 编号：C538028

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥18.41
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￥15.86
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￥14.27
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￥11.18
500+
￥10.44
800+
￥10.12

有货

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥3.44
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￥2.74
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￥2.44
100+
￥2.06
500+
￥1.89
800+
￥1.79

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型号：BSC011N03LSI 编号：C534283

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥6.08
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￥4.96
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￥4.35
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￥3.66
500+
￥3.35
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￥3.21

有货

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型号：IRL40SC228 编号：C538127

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥11.82
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￥10.01
30+
￥8.88
100+
￥7.72
500+
￥7.2

有货

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型号：IPB117N20NFD 编号：C536540

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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1+
￥16.4
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￥13.76
30+
￥12.11
100+
￥10.41
500+
￥9.65
1000+
￥9.32

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型号：BSC0924NDI 编号：C534392

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。集成单片肖特基二极管。针对高性能降压转换器进行优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-22标准无卤

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1+
￥3.43
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￥3.1
30+
￥2.94
100+
￥2.77
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

有货

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型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

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1+
￥7.9
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￥6.5
30+
￥5.73
100+
￥4.86
500+
￥4.47
1000+
￥4.29

有货

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型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥10.01
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￥7.8755 ￥8.29
30+
￥6.2475 ￥7.35
100+
￥5.3465 ￥6.29
500+
￥4.947 ￥5.82
1000+
￥4.7685 ￥5.61

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型号：SPW47N60CFD 编号：C539326

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术，固有快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。周期性雪崩额定值。符合JEDEC工业级应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

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1+
￥37
10+
￥32.43
30+
￥26.72
90+
￥23.98
480+
￥22.71
960+
￥22.14

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型号：IPD60R180P7S 编号：C672377

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥5
10+
￥4.09
30+
￥3.63
100+
￥3.18

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型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥5.59
10+
￥4.77
50+
￥3.56
100+
￥3.15
500+
￥2.9

有货

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型号：IPP60R180P7 编号：C537209

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥5.93
10+
￥4.77
50+
￥4.19
100+
￥3.5378 ￥3.61
500+
￥3.2046 ￥3.27
1000+
￥3.0282 ￥3.09

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型号：IRFS3206TRRPBF 编号：C2688877

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥10.2
10+
￥8.58
30+
￥7.69
100+
￥6
500+
￥5.55

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型号：IRFS4321TRLPBF 编号：C513162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDS(ON)降低损耗。低栅极电荷改善开关性能。改善二极管恢复性能，提高开关和EMI性能。 30V栅极电压额定值提高了稳健性。完全表征雪崩SOA。应用：运动控制应用。开关电源中的高效同步整流

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1+
￥15.06
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￥12.82
30+
￥11.42
100+
￥8.81
500+
￥8.16

有货

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型号：IPW65R080CFDA 编号：C537490

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥50.1227 ￥74.81
10+
￥42.0945 ￥73.85
30+
￥33.9293 ￥72.19
90+
￥33.2478 ￥70.74

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型号：TDA38840AUMA1 编号：C3167432

封装：IQFN-36

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38840是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使TDA38840成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化设计并实现快速控制响应。

1+
￥131.76
10+
￥125.61
30+
￥114.96
100+
￥105.66

有货

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型号：IPD60R280P7S 编号：C536813

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥3.38
10+
￥3.32
30+
￥3.27
100+
￥3.23

有货

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型号：IRFB5620PBF 编号：C520672

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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1+
￥9.2
10+
￥7.61
50+
￥6.74
100+
￥5.76
500+
￥5.32
1000+
￥5.12

有货

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型号：IPP65R190CFD 编号：C501516

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥13.64
10+
￥12.93
50+
￥11.72
100+
￥11.29
500+
￥11.09
1000+
￥11

有货

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型号：IRL40SC209 编号：C538126

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完全表征的电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥14.3913 ￥18.69
10+
￥11.9327 ￥17.81
30+
￥9.8553 ￥17.29
100+
￥9.5532 ￥16.76
500+
￥9.4164 ￥16.52
800+
￥9.3537 ￥16.41

有货

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型号：IPP220N25NFD 编号：C537172

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥21.43
10+
￥18.56
30+
￥16.85
100+
￥15.12

有货

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型号：IKCM10H60GA 编号：C3615235

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种电源和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制三相交流电机和永磁电机，适用于高开关频率应用（约15kHz）的变速驱动器，如洗衣机，因为其关断开关损耗非常低。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

1+
￥36.22
10+
￥29.99
28+
￥26.96
98+
￥23.9

有货

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型号：IMZ120R090M1H 编号：C536293

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th)= 4.5V 。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。稳健的体二极管，适用于硬换向。应用：能源发电。太阳能串逆变器和太阳能优化器

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1+
￥46.896 ￥48.85
10+
￥40.2308 ￥46.78
30+
￥34.5876 ￥45.51
90+
￥33.782 ￥44.45

有货

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型号：FF300R12KT4 编号：C541034

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

62mm C-系列模块,采用快速沟槽/场截止IGBT4和优化的发射极控制二极管

数据手册

1+
￥394.53
10+
￥384.16

有货

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型号：BSC0901NSIATMA1 编号：C3278725

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能同步整流进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

1+
￥4.95
10+
￥4
30+
￥3.52
100+
￥3.05
500+
￥2.63
1000+
￥2.48

有货

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型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥8.12
10+
￥7.41
30+
￥6.97
100+
￥6.51
500+
￥6.31

有货

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型号：IRFS7534TRLPBF 编号：C538033

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥8.72
10+
￥7.19
30+
￥6.35
100+
￥5.4
500+
￥4.98
800+
￥4.79

有货

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型号：IRLB3036PBF 编号：C538145

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥10
10+
￥8.39
50+
￥7.38
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￥6.35

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