英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSDSON-8FL

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥4.87
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￥3.89
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￥3.4
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￥2.92
500+
￥2.63
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￥2.48

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型号：BSC011N03LSI 编号：C534283

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥6.68
10+
￥5.6
30+
￥5.01
100+
￥4.34
500+
￥4.04
1000+
￥3.9

有货

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型号：IRF200S234 编号：C459945

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dv/dt和di/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥10.54
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￥8.97
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￥8.1
100+
￥6.23
500+
￥5.8
800+
￥5.6

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型号：IPW65R080CFD 编号：C2916133

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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￥13.8
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￥12.61
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￥11.87
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￥11.11
510+
￥10.76
990+
￥10.61

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型号：IPP220N25NFD 编号：C537172

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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￥21.79
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￥18.76
30+
￥16.96
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￥15.14

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型号：IPD60R600P7S 编号：C536833

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

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1+
￥2.96
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￥2.31
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￥2.03
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￥1.69
500+
￥1.52
1000+
￥1.42

有货

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥3
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￥2.36
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￥2.08
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￥1.74
500+
￥1.59
800+
￥1.5

有货

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型号：BSC015NE2LS5I 编号：C3278724

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 为无卤产品

1+
￥7.16
10+
￥5.9
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￥5.21
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￥4.43
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￥4.08

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型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

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1+
￥7.98
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￥6.58
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￥5.81
100+
￥4.93
500+
￥4.55
1000+
￥4.37

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型号：IRFB5620PBF 编号：C520672

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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1+
￥9.2
10+
￥7.61
50+
￥6.74
100+
￥5.76
500+
￥5.32
1000+
￥5.12

有货

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型号：IRL40SC228 编号：C538127

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥13.02
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￥11.14
30+
￥9.97
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￥8.76
500+
￥8.22

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型号：IKCM10H60GA 编号：C3615235

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种电源和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制三相交流电机和永磁电机，适用于高开关频率应用（约15kHz）的变速驱动器，如洗衣机，因为其关断开关损耗非常低。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

1+
￥38.12
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￥31.89
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￥28.86
98+
￥25.8

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型号：IPTG111N20NM3FDATMA1 编号：C3278561

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。具有低 Qrr 的快速二极管 (FD)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61248-2-21 无卤。针对硬换向耐用性进行优化

1+
￥45.06
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￥38.6
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￥34.67
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￥31.37

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型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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￥10.8071 ￥16.13
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￥8.7609 ￥15.37
30+
￥7.0124 ￥14.92
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￥6.8009 ￥14.47
500+
￥6.7022 ￥14.26
800+
￥6.6552 ￥14.16

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型号：IPP65R190CFD 编号：C501516

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥13.64
10+
￥12.93
50+
￥11.72
100+
￥11.29
500+
￥11.09
1000+
￥11

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型号：IPW60R099P7 编号：C537464

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥15.92
10+
￥13.88
30+
￥11.2
90+
￥9.89
510+
￥9.3
990+
￥9.04

有货

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型号：IHW30N135R5 编号：C536124

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™ 技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。微波炉

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1+
￥15.95
10+
￥13.59
30+
￥11.27
90+
￥9.76
480+
￥9.07
960+
￥8.78

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型号：IPB60R099P7ATMA1 编号：C3279155

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥19.66
10+
￥16.76
30+
￥15.03
100+
￥13.29
500+
￥12.49
1000+
￥12.12

有货

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型号：IRFP3077PBF 编号：C520658

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性： TO-247封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥23.2344 ￥36.88
10+
￥20.0403 ￥31.81
30+
￥18.144 ￥28.8
100+
￥16.2225 ￥25.75
500+
￥15.3342 ￥24.34
1000+
￥14.9373 ￥23.71

有货

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型号：IPD60R360P7S 编号：C536820

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥2.18
10+
￥1.9
30+
￥1.78
100+
￥1.63
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥9.73
10+
￥8.02
30+
￥7.08
100+
￥6.02
500+
￥5.54

有货

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型号：IRFS3206TRRPBF 编号：C2688877

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥10.07
10+
￥8.42
30+
￥7.52
100+
￥5.81
500+
￥5.35

有货

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型号：IPW65R110CFD 编号：C454261

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥14.49
10+
￥13.24
30+
￥12.46
90+
￥11.66
510+
￥11.3

有货

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型号：IPW65R080CFDA 编号：C537490

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥55.3594 ￥74.81
10+
￥47.264 ￥73.85
30+
￥38.9826 ￥72.19
90+
￥38.1996 ￥70.74

有货

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型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

数据手册

1+
￥4.77
10+
￥4
50+
￥3.31
100+
￥2.93
500+
￥2.7

有货

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型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥8.23
10+
￥7.53
30+
￥7.08
100+
￥6.63
500+
￥6.42

有货

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型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥12.4264 ￥12.68
10+
￥10.2872 ￥11.69
50+
￥8.6268 ￥11.06
100+
￥8.1354 ￥10.43
500+
￥7.9092 ￥10.14
1000+
￥7.8078 ￥10.01

有货

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型号：IKW50N60H3 编号：C127956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供非常低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥18.65
10+
￥15.96
30+
￥12.84
90+
￥11.11

有货

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型号：IRL7472L1TRPBF 编号：C538140

封装：WHSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩SOA。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥23.24
10+
￥20.03
30+
￥18.11
100+
￥16.18

有货

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型号：IPW65R150CFD 编号：C537495

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥27.79
10+
￥23.55
30+
￥21.03
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