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1个N沟道耐压:600V 电流:31A

型号：IPW60R070CFD7XKSA1 编号：C3278940

封装：TO-247-3-21

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的 CFD7 是 CFD2 系列的继任者，是为软开关应用（如相移全桥 (ZVS) 和 LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CFD7 在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且不影响设计过程中的易实现性。CFD7 技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。

1+
￥98.89
10+
￥91.45
30+
￥84.61

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650V,电流:23A,耐压:700V

型号：IPP65R060CFD7XKSA1 编号：C3288984

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥28.42
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￥27.7
30+
￥27.21
100+
￥26.73

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1个N沟道耐压:600V 电流:20A

型号：IPP60R070CFD7 编号：C537188

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

数据手册

单价：
￥16.74 / 个

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650V,电流:11A,耐压:700V

型号：IPL65R160CFD7AUMA1 编号：C3289362

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥14.88
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￥14.51
30+
￥14.27
100+
￥14.02

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600V,电流:18A,耐压:650V

型号：IPT60R090CFD7XTMA1 编号：C3278555

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有一流的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不影响设计过程中的易实现性。

1+
￥19.09
10+
￥18.61
30+
￥18.28
100+
￥17.96

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1个N沟道耐压:600V 电流:11A

型号：IPA60R125CFD7XKSA1 编号：C3288916

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化的平台，专为软开关应用而设计，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施

1+
￥34.51
10+
￥33.74
30+
￥33.22
100+
￥32.7

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1个N沟道耐压:600V 电流:25A

型号：IPL60R095CFD7AUMA1 编号：C3279338

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

1+
￥48.25
10+
￥41.86
30+
￥37.96
100+
￥34.7

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1个N沟道耐压:600V 电流:7.5A

型号：IPB60R360CFD7ATMA1 编号：C3289283

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总之，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便和更凉爽。

1+
￥23.42
10+
￥22.9
30+
￥22.55
100+
￥22.2

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1个N沟道耐压:650V 电流:22A

型号：IPW65R110CFD7XKSA1 编号：C3289042

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥94.86
10+
￥90.68
30+
￥83.43
90+
￥77.11

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降压型

型号：IR35212MTRPBF 编号：C537651

封装：QFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

IR35212是一款双回路、数字、多相降压控制器,专为CPU和DDR电压调节设计,完全符合Intel VR13、VR12.5、VR12和IMVP8标准。它包括英飞凌的效率整形技术,可在整个负载范围内实现卓越的效率。动态相位控制可根据负载电流增加或减少相位。IR35212支持1或2相操作和主动二极管仿真模式,提供精确的输入和输出电流报告,并具有广泛的故障保护功能。

数据手册

1+
￥62.39
200+
￥24.15
500+
￥23.3
1000+
￥22.88

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：IRFH7084TRPBF 编号：C537895

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。同步整流应用

数据手册

1+
￥6.01
10+
￥5.01
30+
￥4.51
100+
￥3.8095 ￥4.01
500+
￥2.85 ￥3
1000+
￥2.7075 ￥2.85

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1个N沟道耐压:300V 电流:70A

型号：IRFP4868PBF 编号：C415700

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.6
10+
￥12.55
25+
￥10.68
75+
￥9.36
525+
￥8.77
975+
￥8.51

有货

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耐压:650V 电流:68.5A

型号：IPW65R041CFD 编号：C528753

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥42.85
10+
￥36.31
30+
￥32.43
90+
￥28.5
480+
￥26.68
960+
￥25.87

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1个N沟道耐压:40V 电流:259A

型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.88
30+
￥3.49
100+
￥2.9545 ￥3.11
500+
￥2.261 ￥2.38
1000+
￥2.147 ￥2.26

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:53A

型号：IPD60R180P7S 编号：C672377

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥4.93
10+
￥4.01
30+
￥3.56
100+
￥3.11
500+
￥2.84
1000+
￥2.7

有货

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650V 74A

型号：IKW40N65H5 编号：C454249

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥11.22
10+
￥9.59
30+
￥7.24
100+
￥6.23
500+
￥5.78
1000+
￥5.57

有货

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650V 80A

型号：IKW50N65H5 编号：C476108

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥16.63
10+
￥14.34
30+
￥11.97
90+
￥10.5
510+
￥9.83
990+
￥9.54

有货

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1.2kV 75A

型号：IKW40N120T2 编号：C111028

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

数据手册

1+
￥29.49
10+
￥25.67
30+
￥21.51
90+
￥19.21
480+
￥18.15

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:173A

型号：IRFS7537TRLPBF 编号：C538034

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.49
30+
￥4.07
100+
￥3.66
500+
￥2.56
800+
￥2.43

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:317A

型号：IRFB7434PBF 编号：C415697

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.79
10+
￥4.84
50+
￥3.5
100+
￥3.03
500+
￥2.74
1000+
￥2.6

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:84A

型号：IPB117N20NFD 编号：C536540

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥11.29
10+
￥10.32
30+
￥9.71
100+
￥9.09
500+
￥8.81
1000+
￥8.68

有货

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800V CoolMOSTM P7功率器件

型号：IPA80R280P7 编号：C536421

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低了 Ωg、CGth 和 CGth。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥13.48
10+
￥11.58
50+
￥10.39
100+
￥9.18
500+
￥8.63
1000+
￥8.39

有货

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1.6kV 60A

型号：IHW30N160R5 编号：C536125

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：电磁炉。微波炉

数据手册

1+
￥20.18
10+
￥17.36
30+
￥15.69
90+
￥14
510+
￥13.22

有货

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1.2kV 80A

型号：IKW40N120CS6 编号：C454252

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低EMI。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

数据手册

1+
￥29.91
10+
￥26.26
30+
￥22.05
100+
￥19.86
500+
￥18.85

有货

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IMZ120R060M1HXKSA1

型号：IMZ120R060M1HXKSA1 编号：C536292

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换向的坚固体二极管。应用：能源发电。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

数据手册

1+
￥31.39
10+
￥26.68
30+
￥23.88
90+
￥21.04

有货

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控制集成电源系统，双列直插式智能功率模块，3Φ桥600V/30A

型号：IKCM30F60GD 编号：C476130

封装：插件

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

数据手册

1+
￥81.14
10+
￥75.08
28+
￥68.9
98+
￥63.5

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:76A

型号：IRFB4127PBF 编号：C413498

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥4.82
30+
￥4.25
100+
￥3.68
500+
￥3.34
1000+
￥3.16

有货

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1.2kV 16A

型号：IKW08T120 编号：C168885

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

数据手册

1+
￥12.77
10+
￥11.77
30+
￥9.91
90+
￥9.28
480+
￥8.99
960+
￥8.86

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IRFR7446TRPBF 编号：C97243

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.13
30+
￥1.88
100+
￥1.57
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:145A

型号：BSC0901NSIATMA1 编号：C3278725

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能同步整流进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

1+
￥4.86
10+
￥3.91
30+
￥3.43
100+
￥2.96
500+
￥2.54
1000+
￥2.39

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品类不断扩充中
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