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1个N沟道耐压:600V 电流:31A

型号：IPW60R070CFD7XKSA1 编号：C3278940

封装：TO-247-3-21

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的 CFD7 是 CFD2 系列的继任者，是为软开关应用（如相移全桥 (ZVS) 和 LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CFD7 在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且不影响设计过程中的易实现性。CFD7 技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。

1+
￥98.89
10+
￥91.45
30+
￥84.61

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耐压:600V

型号：IPDQ60R035CFD7XTMA1 编号：C3288753

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施。

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￥50.86
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￥49.56
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￥48.69
100+
￥47.83

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600V,电流:18A,耐压:650V

型号：IPT60R090CFD7XTMA1 编号：C3278555

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有一流的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不影响设计过程中的易实现性。

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￥19.09
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￥18.61
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￥18.28
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￥17.96

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1个N沟道耐压:600V 电流:11A

型号：IPA60R125CFD7XKSA1 编号：C3288916

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化的平台，专为软开关应用而设计，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施

1+
￥34.51
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￥33.74
30+
￥33.22
100+
￥32.7

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650V,电流:11A,耐压:700V

型号：IPL65R160CFD7AUMA1 编号：C3289362

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥137.853247
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￥135.593358
50+
￥129.943635
100+
￥126.553801
200+
￥124.293912

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1个N沟道耐压:700V 电流:14A

型号：IPB65R110CFD7ATMA1 编号：C3279177

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性结合在一起。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥17.36
30+
￥16.46

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1个N沟道耐压:600V 电流:7.5A

型号：IPB60R360CFD7ATMA1 编号：C3289283

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总之，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便和更凉爽。

1+
￥23.42
10+
￥22.9
30+
￥22.55
100+
￥22.2

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650V,电流:23A,耐压:700V

型号：IPP65R060CFD7XKSA1 编号：C3288984

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥28.42
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￥27.7
30+
￥27.21
100+
￥26.73

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1个N沟道耐压:600V 电流:25A

型号：IPL60R095CFD7AUMA1 编号：C3279338

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

1+
￥48.25
10+
￥41.86
30+
￥37.96
100+
￥34.7

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1个N沟道耐压:650V 电流:22A

型号：IPW65R110CFD7XKSA1 编号：C3289042

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥94.86
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￥90.68
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￥83.43
90+
￥77.11

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降压型

型号：IR35212MTRPBF 编号：C537651

封装：QFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

IR35212是一款双回路、数字、多相降压控制器,专为CPU和DDR电压调节设计,完全符合Intel VR13、VR12.5、VR12和IMVP8标准。它包括英飞凌的效率整形技术,可在整个负载范围内实现卓越的效率。动态相位控制可根据负载电流增加或减少相位。IR35212支持1或2相操作和主动二极管仿真模式,提供精确的输入和输出电流报告,并具有广泛的故障保护功能。

数据手册

1+
￥62.39
200+
￥24.15
500+
￥23.3
1000+
￥22.88

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：IRFH7084TRPBF 编号：C537895

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。同步整流应用

数据手册

1+
￥5.71
10+
￥4.73
30+
￥4.24
100+
￥3.75
500+
￥2.76
1000+
￥2.6

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1个N沟道耐压:150V 电流:35A

型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

数据手册

1+
￥5.23
10+
￥4.35
50+
￥3.54
100+
￥3.1
500+
￥2.84
1000+
￥2.7

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650V 74A

型号：IKW40N65H5 编号：C454249

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥11.57
10+
￥9.8
30+
￥7.25
100+
￥6.15
500+
￥5.67
1000+
￥5.45

有货

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1.2kV 75A

型号：IKW40N120T2 编号：C111028

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

数据手册

1+
￥26.04
10+
￥22.8
30+
￥19.28
90+
￥17.34
480+
￥16.44
960+
￥16.03

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:70A

型号：IRFP4868PBF 编号：C415700

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.59
10+
￥12.54
25+
￥10.67
75+
￥9.36
525+
￥8.76
975+
￥8.5

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:259A

型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.61
10+
￥4.66
30+
￥4.19
100+
￥3.72
500+
￥2.83
1000+
￥2.69

有货

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耐压:650V 电流:68.5A

型号：IPW65R041CFD 编号：C528753

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥39.22
10+
￥33.75
30+
￥30.49
90+
￥27.2
480+
￥25.69
960+
￥25

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:317A

型号：IRFB7434PBF 编号：C415697

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.66
10+
￥4.7
50+
￥3.37
100+
￥2.9
500+
￥2.61
1000+
￥2.47

有货

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1200V 沟槽式碳化硅 MOSFET

型号：IMZ120R060M1HXKSA1 编号：C536292

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换向的坚固体二极管。应用：能源发电。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

数据手册

1+
￥30.2
10+
￥25.64
30+
￥22.93
90+
￥20.2
510+
￥18.93
990+
￥18.36

有货

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650V 80A

型号：IKW50N65EH5 编号：C536218

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

数据手册

1+
￥11.86
10+
￥9.99
30+
￥8.82
90+
￥7.62
510+
￥7.08
990+
￥6.84

有货

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1.2kV 30A

型号：IHW15N120R3 编号：C350814

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。TRENCHSTOP™ 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低 EMI。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥13
10+
￥11.12
30+
￥9.95
90+
￥8.75
510+
￥8.2
990+
￥7.97

有货

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650V 80A

型号：IKW50N65H5 编号：C476108

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥20.32
10+
￥17.4
30+
￥14.38
90+
￥12.51
510+
￥11.66
990+
￥11.3

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:173A

型号：IRFS7537TRLPBF 编号：C538034

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥6.36
10+
￥5.38
30+
￥4.89
100+
￥4.4
500+
￥3.11
800+
￥2.96

有货

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1.2kV 16A

型号：IKW08T120 编号：C168885

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

数据手册

1+
￥12.53
10+
￥11.54
30+
￥9.68
90+
￥9.04
480+
￥8.75
960+
￥8.63

有货

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800V CoolMOSTM P7功率器件

型号：IPA80R280P7 编号：C536421

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低了 Ωg、CGth 和 CGth。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥13.48
10+
￥11.58
50+
￥10.39
100+
￥9.18
500+
￥8.63
1000+
￥8.39

有货

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1.2kV 25A

型号：IKW25N120H3 编号：C111025

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

数据手册

1+
￥21.34
10+
￥18.25
30+
￥14.32
90+
￥12.34
480+
￥11.44
960+
￥11.06

有货

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耐压:650V 电流:43.3A

型号：IPW65R080CFD 编号：C2916133

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥24.82
10+
￥21.13
30+
￥18.94
90+
￥16.73
510+
￥15.71
990+
￥15.25

有货

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1.2kV 80A

型号：IKW40N120CS6 编号：C454252

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低EMI。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

数据手册

1+
￥27.77
10+
￥24.01
30+
￥19.66
100+
￥17.4
500+
￥16.36

有货

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N沟道耐压:40V 电流:195A

型号：BSC014N04LSI 编号：C2934854

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。集成单片肖特基类二极管。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥9.29
10+
￥7.79
30+
￥6.98
100+
￥6.05
500+
￥5.19

有货

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