电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-3L

Si2328DS-T1-GE3 N沟道MOSFET，采用经济高效的SOT-23-3L封装，专为要求严苛的电力应用设计。器件具备强大性能，最高工作电压VDSS达100V，连续电流承载能力高达5A，同时具有出色的100mR导通电阻，确保在高功率运行下也能保持低能耗。此款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是众多工程师设计解决方案的首选组件。

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型号：SM4840PRL-HXY 编号：C22366959

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM4840PRL 是一款高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代高集成度电路设计。该器件具备40V的额定电压VDSS，以及12A的强大连续电流ID能力，展现卓越的电力处理性能。其16mΩ的导通电阻RD(on)设计，确保在工作状态下能显著降低能耗，提升系统整体能效。SM4840PRL 适用于电源转换、负载开关控制及中等电流驱动等多种应用场合，是您打造高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。

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型号：FDS8949-HXY 编号：C22366957

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS8949 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率、高集成度的电子设计打造。该器件提供了40V的额定电压VDSS，可承载12A连续电流ID，展现出强大的电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为16mΩ，有效降低了系统能耗，提升了整体能效。FDS8949 适用于电源转换、负载开关控制以及中等电流驱动等各种应用环境，是实现低损耗、高效率电路设计的理想半导体器件。

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型号：STP4407-HXY 编号：C22366870

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STP4407 是一款高效能P沟道MOSFET，封装形式为紧凑型SOP-8，适合各类精密电子设备使用。该器件耐受电压高达VDSS30V，能稳定承载高达11A的连续漏极电流，展现出卓越的电力处理性能。其亮点在于拥有仅12.5mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著减少了能量损耗，提高了能源利用率。无论是电源控制、负载开关还是电机驱动应用，STP4407 MOS管都将以其出众的性能表现，成为您的设计首选方案。

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￥0.99435 ￥1.3258
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型号：FDD6612A-HXY 编号：C22366530

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD6612A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装技术，专为处理大电流和高功率应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，极大地提高了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、大电流开关控制等场合，是追求高效率、大电流应用的优质半导体元件选择。

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￥1.02015 ￥1.3602
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型号：SM4818PRL-HXY 编号：C22366603

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM4818PRL 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高电流应用设计。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能够承载8.5A的连续漏极电流，确保强大电力传输；17mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低系统功耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管器件选择。

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￥1.043328 ￥1.3376
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型号：STN442D-HXY 编号：C22366614

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STN442D 型号N沟道MOS管采用标准TO-252-2L封装，体积小巧，散热优良，适用于各类空间有限的设计方案。该器件具有60V的额定电压VDSS，最大连续电流ID高达30A，显示其出色的电力传输能力。更值得称赞的是其22mR的低导通电阻，大大提升了能源效率和系统响应速度。广泛应用于电源转换、马达驱动、负载开关等领域，所有产品出厂前均经过严格的质量把关，确保提供持久稳定的高性能表现。

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型号：IRF8113PBF-HXY 编号：C22366466

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF8113PbF 是一款N沟道MOSFET，采用了节省空间的SOP-8封装，特别适应现代电子产品的集成化需求。该器件可在30V的最大漏源电压下稳定运行，提供高达18A的连续电流承载能力，表现出强劲的电力控制性能。此外，其优异的导通电阻仅5.5mR，显著提高了系统能效，降低了功耗，是电源转换、电机驱动等高电流应用领域的可靠选择。

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￥1.074675 ￥1.4329
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型号：STN2610D-HXY 编号：C22366411

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STN2610D 是一款高品质N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，适合于各种空间紧凑的设计需求。该器件具有出色的电气性能，最大漏源电压VDSS达60V，连续漏极电流ID高达50A，展现出强大的电力处理能力。尤其突出的是其低至11mR的导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗并优化能源效率，广泛适用于开关电源转换、电机驱动、LED照明等领域，是您高效能电子设计的理想选择。

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￥1.09824 ￥1.408
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型号：SI4202DY-T1-GE3-HXY 编号：C22367030

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4202DY-T1-GE3 是一款高端N+N沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装工艺，旨在满足现代电子设备对高效、紧凑设计的需求。其核心技术参数包括耐受电压VDSS高达30V，最大连续漏极电流ID为11.5A，充分展现强大的电力处理效能。特别强调的是，器件的导通电阻RD(on)仅为10mR，有助于大幅削减功耗，实现更高的能源利用效率。

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￥1.107366 ￥1.4197
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型号：FDS8817NZ-HXY 编号：C22366458

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS8817NZ 是一款高品质N沟道MOS管，封装在小巧的SOP-8形式中，特别适合于空间有限的电路板设计。该器件具有出色的电气性能，支持最大30V的工作电压和高达18A的连续电流处理能力，确保了强大而稳定的电力传输。其超低的导通电阻仅为5.5mR，极大地提升了能源效率并减少了发热损耗，是您电源管理、电机驱动等高要求应用场景的理想之选。

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￥1.12072 ￥1.4009
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￥0.88 ￥1.1
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￥0.55648 ￥0.6956

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型号：SI4420DYPBF-HXY 编号：C22366468

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4420DYPbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济空间的SOP-8封装，专为高功率密度设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可持续处理18A的大电流，展现强大电力控制能力。其出色之处在于仅5.5mR的超低导通电阻(RD(on))，极大提升了系统效率，降低了能耗，是电源转换、电机驱动、电池管理系统等高要求应用的理想之选。

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￥1.13576 ￥1.4197
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型号：HSiRA18BDP 编号：C42401404

封装：DFN3X3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用，如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等，能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。

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￥1.143076 ￥1.3772
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￥0.905447 ￥1.0909
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￥0.803606 ￥0.9682
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型号：STS7PF30L-HXY 编号：C22366871

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STS7PF30L 是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，专为高压、大电流应用场景设计。其特性包括最高30V的电压额定值VDSS，以及高达11A的连续漏极电流ID，充分展现了卓越的电力传输能力。尤其值得关注的是，该器件的导通电阻RD(on)仅为12.5mΩ，极大地优化了功率损耗并提升了系统效率。无论在电源管理、电池保护或马达驱动等方面，STS7PF30L MOS管均以其出色性能，成为您电路设计的理想之选。

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￥1.196775 ￥1.5957
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￥0.93975 ￥1.253
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型号：SM95N03AD1RL-HXY 编号：C22367003

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM95N03AD1RL 是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高密度、高性能电路设计。该器件能在30V电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，确保强大而稳定的电力传输。其独特优势在于拥有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效降低了功率损耗，提高了整体能效。SM95N03AD1RL 适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效低耗的半导体应用领域。

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￥1.2052 ￥1.5065
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型号：AON6380-HXY 编号：C22366421

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6380 型号MOS管，采用先进DFN5X6-8L封装技术，结构紧凑，散热性能优秀。作为一款高性能N沟道MOSFET，其具备30V的最高耐压值，以及惊人的70A连续漏极电流能力，充分展现了超强的电力处理性能。尤其引人注目的是仅有5.7mΩ的超低导通电阻，大大提升了能源效率并减少了功率损耗。广泛应用于高功率开关电源、快速充电器、电机驱动等高电流领域，是业界领先的高效能半导体器件解决方案。

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￥1.222496 ￥1.3892
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型号：HRRH090P03 编号：C42401311

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款P沟道MOSFET具备12A的最大持续电流（ID/A），并能承受30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为10毫欧，有效降低了导通状态下的电力损耗。栅源电压（VGS/V）为20V，保证了良好的开关性能。适用于各种需要高效能和稳定性的电路设计，如日常电子设备中的电源管理模块或是消费性产品的负载保护电路。

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￥1.297954 ￥1.5638
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￥1.028204 ￥1.2388
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￥0.912502 ￥1.0994
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￥0.665494 ￥0.8018

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型号：SMC8205AGW-HXY 编号：C22366417

封装：TSSOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SMC8205AGW 型号MOS管，选用节省空间的TSSOP-8封装，专为现代精密电路设计打造。这款高性能N+N沟道MOSFET具有稳定的20V电压额定值和强大的6A连续漏极电流承载能力，保证了卓越的电力控制表现。尤为突出的是，其导通电阻仅低至21mΩ，有助于大幅削减功耗并提升整体效能。适用于包括开关电源、马达驱动、负载开关在内的多元化应用场景，是追求高效节能方案的不二之选。

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￥1.32391 ￥1.8913
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型号：FDS6910-HXY 编号：C22367033

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6910 是一款高效能N+N沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装形式，特别适应于高集成度与高性能需求的应用场景。产品关键参数如下VDSS工作电压高达30V，可持续提供11.5A的大电流处理能力，充分满足严苛的电力传输需求。其导通电阻RD(on)仅为10mR，极大程度地减少了功率损失，实现了卓越的能效表现。FDS6910 MOS管因具备优越的开关性能、低导通电阻及高稳定性，广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子等多个领域，是您的设计工程中不可或缺的优质半导体组件。

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￥1.3272 ￥1.659
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型号：HIPD25N06S4L30 编号：C42401337

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID），适用于要求较高电流承载能力的设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，适用于低压大电流应用环境。导通状态下的低电阻（RDSON）仅22毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。最大栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的控制信号范围。该MOSFET适用于消费电子产品中，如开关电源、LED照明驱动及电池管理系统等场合。

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￥1.342264 ￥1.5253
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型号：FDD8451-HXY 编号：C22366945

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD8451 是一款高功率N沟道MOS管，采用稳固且散热优良的TO-252-2L封装，适于大电流应用场合。其拥有40V的高额定电压VDSS及惊人的30A连续电流ID能力，充分展示了卓越的电力处理效能。此外，18mΩ的低导通电阻RD(on)设计进一步减少了电能损耗，显著提升了系统运行效率，是高端电源转换、电机驱动等领域的理想半导体解决方案。

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￥1.422 ￥1.896
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型号：FDS6679AZ-HXY 编号：C22366539

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6679AZ 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高电流应用和高效能设计。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并能稳定处理18A的连续漏极电流，呈现强大的电力管理能力。其独特之处在于仅7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工况下仍能维持高效能与低热损。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电路控制等领域，是您实现高能效半导体解决方案的理想选择。

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型号：IRLR8113PBF-HXY 编号：C53263276

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频率的开关电路。器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升，适合用于对热管理和效率有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类紧凑型电力转换模块中。

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型号：DMTH48M3SFVW-13-HXY 编号：C48972161

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能电源管理场景，如同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用，是实现高效能电力电子设计的理想选择。

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型号：CSD17304Q3-HXY 编号：C22367305

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

CSD17304Q3 型号MOS管采用前沿DFN3X3-8L封装工艺，体积小巧且散热出色。这款N沟道MOSFET具有30V的峰值电压耐受力，能安全稳定地承载高达80A的漏极电流，展现出卓越的电力传输性能。其导通电阻仅为4.7mΩ，显著增强了电路能效，减小了能量损耗。广泛适用于大电流开关电源、快速充电模块、电机驱动系统等高强度应用场景，是您构建高效、低耗能系统的理想半导体组件。

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型号：FDS6694-HXY 编号：C49420442

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、低损耗的电力电子转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为9.5mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高性能电子设备中，满足对空间和能效有较高要求的设计场景。

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型号：IRLR3915PBF-HXY 编号：C22366415

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLR3915PbF 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑高效的TO-252-2L封装，适应现代电子设备的小型化趋势。该器件具有60V的高额定漏源电压(VDSS)，可承载高达50A的连续漏极电流，表现出色的电力处理能力。导通电阻低至11mR，大幅降低了能耗，提升了系统效能。此款MOS管广泛适用于开关电源、电机驱动、充电器等多种场合，是追求高效率、低功耗设计的理想半导体元件。

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型号：AOSD32334C 编号：C49256491

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，确保在中功率应用中的可靠性。导通电阻RDON低至17mΩ，有助于降低功耗并提升效率。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高密度电力电子设备的设计，为电路提供高效、稳定的控制能力，适合对性能和空间布局均有要求的场景。

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型号：HDMG4511SK4 编号：C42401187

封装：TO-252-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的漏极电流（ID）处理能力，以及30V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为16毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。该MOSFET适用于最大20V的栅源电压（VGS），使其能够在广泛的电压范围内可靠工作。这种类型的MOSFET适合用于消费类电子产品中的开关和放大应用，如适配器、充电器及其他需要高效能电源管理的场景。

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型号：FDS8896-HXY 编号：C22366464

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS8896 是一款高性能N沟道MOS管，采用精巧的SOP-8封装形式，专为现代化电子产品的小型化需求设计。本器件凭借30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载高达18A的持续电流，展现卓越的电力处理能力。其关键亮点在于仅有5.5mR的超低导通电阻(RD(on))，有助于大幅削减系统损耗，提升效能表现，适用于电源转换、电机驱动以及各类高功率、高效率的电子应用场合。

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