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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：VBE2412 编号：C416265

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥4.313 ￥4.54
10+
￥3.5815 ￥3.77
30+
￥3.2205 ￥3.39
100+
￥2.8595 ￥3.01
500+
￥2.356 ￥2.48
1000+
￥2.242 ￥2.36

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:30A

型号：WGF30N65SE 编号：C17702298

封装：TO-220F

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款平面MOS, 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

1+
￥5.49 ￥6.1
10+
￥4.419 ￥4.91
50+
￥3.888 ￥4.32
100+
￥3.357 ￥3.73
500+
￥3.042 ￥3.38
1000+
￥2.871 ￥3.19

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:30A

型号：BSC060N10NS3 G-VB 编号：C7463911

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.8875 ￥7.25
10+
￥6.745 ￥7.1
30+
￥6.65 ￥7
100+
￥5.928 ￥6.24

有货

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硅N沟道功率MOSFET

型号：FDPF16N50-HXY 编号：C49256441

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道场效应管（MOSFET）具备20A漏极电流能力，漏源电压耐受值为500V，导通电阻为260mΩ。该器件具有良好的热稳定性和较高的开关效率，适用于电源适配器、电池管理系统、光伏逆变装置及各类中功率电子设备中的电力控制与转换应用，能满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计方案。

1+
￥9.2055 ￥9.69
10+
￥7.6665 ￥8.07
50+
￥6.821 ￥7.18
100+
￥5.8615 ￥6.17
500+
￥5.4435 ￥5.73
1000+
￥5.244 ￥5.52

有货

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硅N沟道功率MOSFET

型号：BFL4037-HXY 编号：C49256439

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换应用。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、充电设备、LED驱动模块及各类电力电子变换装置，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。

1+
￥9.2055 ￥9.69
10+
￥7.6665 ￥8.07
50+
￥6.821 ￥7.18
100+
￥5.8615 ￥6.17
500+
￥5.4435 ￥5.73
1000+
￥5.244 ￥5.52

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IRFP140NPBF-VB 编号：C5456561

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥11.3905 ￥11.99
10+
￥9.709 ￥10.22
30+
￥8.208 ￥8.64
90+
￥7.1345 ￥7.51
510+
￥6.6405 ￥6.99
990+
￥6.4315 ￥6.77

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:14A

型号：HIRFP450APBF 编号：C42401082

封装：TO-247S

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET拥有14A的连续排水电流（ID/A），并且能够承受高达500V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为430毫欧，适用于高压应用环境。器件支持最大±20V的栅源电压（VGS），确保了在高压条件下的可靠操作。这种MOSFET适用于需要高压保护的场合，例如家用电器中的电机控制、高压直流转换器以及普通电子设备中的电源管理电路，能够在保证系统安全的同时提供有效的电力转换。

1+
￥12.89
10+
￥10.97
30+
￥9.57

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:45A

型号：FQPF45N15V2-VB 编号：C20755273

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥13.68 ￥14.4
10+
￥11.5805 ￥12.19
50+
￥10.26 ￥10.8
100+
￥8.911 ￥9.38
500+
￥8.303 ￥8.74
1000+
￥8.037 ￥8.46

有货

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1个N沟道耐压:500V

型号：FDPF18N50 编号：C11767

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥22.52
10+
￥19.79
50+
￥14.07
100+
￥12.33
500+
￥11.54
1000+
￥11.2

有货

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650V 150A

型号：STGWA100H65DFB2-HXY 编号：C49003309

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可适用于较高功率的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有助于减小导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备较强的续流能力与稳定性。该器件适合用于各类高效功率转换设备中的开关控制与能量调节应用，参数设计兼顾性能与可靠性需求。

1+
￥24.2725 ￥25.55
10+
￥23.7215 ￥24.97
30+
￥23.3605 ￥24.59
90+
￥22.99 ￥24.2

有货

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1.2kV 80A

型号：IKW40N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003410

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压与中高功率的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，表现出稳定的续流能力和良好的热性能。模块结构设计紧凑，支持高效、可靠的电力转换与控制功能，适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。

1+
￥32.41
10+
￥27.85
30+
￥25.14

有货

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1.2kV 120A

型号：IXYH55N120C4-HXY 编号：C49003437

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备60A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流的工作环境。导通时，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受60A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.35V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于高效电源转换、精密电机控制及电力调节设备中，满足对功率密度和能效要求较高的场景需求。

1+
￥33.972 ￥35.76
10+
￥33.212 ￥34.96
30+
￥32.699 ￥34.42
90+
￥32.186 ￥33.88

有货

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1.2kV 80A

型号：IRG8P50N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003396

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可适应较高功率密度的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有效减少导通状态下的功率损耗。内部二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，进一步提升系统整体效率。该模块适合应用于高效能电力转换系统，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度电源控制等领域。

1+
￥50.98
10+
￥44.06
30+
￥39.84

有货

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1.2kV 80A

型号：IXYH40N120B3D1-HXY 编号：C49003429

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可稳定支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，提升了整体能效与可靠性。该器件适用于需要高效能电力转换与控制的设备，提供稳定的电路运行表现。

1+
￥61.3415 ￥64.57
10+
￥53.01 ￥55.8
30+
￥47.937 ￥50.46
90+
￥43.681 ￥45.98

有货

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650V 90A

型号：FGH75N60SFTU-HXY 编号：C49003476

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块典型集电极电流为75A，集射极击穿电压达650V，具备较高的电流承载与耐压能力。导通状态下，集射极饱和电压为1.6V，有助于减少功率损耗。内部续流二极管可承受75A正向电流，正向压降为1.85V，表现出良好的导通性能。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，适用于多种电力电子系统中的开关与控制场景，能够满足对稳定性和效率有较高要求的应用需求。

1+
￥66.1865 ￥69.67
10+
￥57.1995 ￥60.21
30+
￥51.718 ￥54.44
90+
￥47.1295 ￥49.61

有货

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1.2kV 150A

型号：APT70GR120B2-HXY 编号：C49003484

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，具备优异的开关特性和稳定性。该器件适合应用于高效电力转换系统，如智能电网、新能源发电、精密电机驱动等场景，满足对可靠性与性能的严苛要求。

1+
￥71.1835 ￥74.93
10+
￥67.9535 ￥71.53
30+
￥62.358 ￥65.64
90+
￥57.475 ￥60.5

有货

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1.2kV 100A

型号：IXYR50N120C3D1-HXY 编号：C49003395

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.7V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统，如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。

1+
￥72.637 ￥76.46
10+
￥62.776 ￥66.08
30+
￥56.772 ￥59.76
90+
￥51.7275 ￥54.45

有货

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1.2kV 100A

型号：APT50GT120B2RG-HXY 编号：C49003482

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电路应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下可保持较低的能量损耗。内置二极管支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具有良好的热稳定性和开关性能，适用于多种高性能电力电子系统的设计与应用。

1+
￥72.637 ￥76.46
10+
￥62.776 ￥66.08
30+
￥56.772 ￥59.76
90+
￥51.7275 ￥54.45

有货

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1.2kV 100A

型号：IKY75N120CH3XKSA1-HXY 编号：C49003422

封装：TO-247P-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能的同时兼顾导通损耗控制。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复特性与热稳定性。该器件可广泛应用于电力变换、能源管理、智能电网及高性能电源系统中，满足对可靠性和效率有高要求的电路设计需求。

1+
￥77.482 ￥81.56
10+
￥66.9655 ￥70.49
30+
￥60.553 ￥63.74
90+
￥55.176 ￥58.08

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:20A

型号：FDD6612A-HXY 编号：C22366530

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD6612A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装技术，专为处理大电流和高功率应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，极大地提高了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、大电流开关控制等场合，是追求高效率、大电流应用的优质半导体元件选择。

5+
￥0.518475 ￥0.6913
50+
￥0.5064 ￥0.6752
150+
￥0.4983 ￥0.6644
500+
￥0.4902 ￥0.6536

有货

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耐压:30V 电流:11A

型号：STP4407-HXY 编号：C22366870

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STP4407 是一款高效能P沟道MOSFET，封装形式为紧凑型SOP-8，适合各类精密电子设备使用。该器件耐受电压高达VDSS30V，能稳定承载高达11A的连续漏极电流，展现出卓越的电力处理性能。其亮点在于拥有仅12.5mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著减少了能量损耗，提高了能源利用率。无论是电源控制、负载开关还是电机驱动应用，STP4407 MOS管都将以其出众的性能表现，成为您的设计首选方案。

5+
￥0.52215 ￥0.6962
50+
￥0.51 ￥0.68
150+
￥0.501825 ￥0.6691
500+
￥0.493725 ￥0.6583

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A

型号：IRF8113PBF-HXY 编号：C22366466

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF8113PbF 是一款N沟道MOSFET，采用了节省空间的SOP-8封装，特别适应现代电子产品的集成化需求。该器件可在30V的最大漏源电压下稳定运行，提供高达18A的连续电流承载能力，表现出强劲的电力控制性能。此外，其优异的导通电阻仅5.5mR，显著提高了系统能效，降低了功耗，是电源转换、电机驱动等高电流应用领域的可靠选择。

5+
￥0.546225 ￥0.7283
50+
￥0.533475 ￥0.7113
150+
￥0.524925 ￥0.6999
500+
￥0.51645 ￥0.6886

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:8.5A

型号：SM4818PRL-HXY 编号：C22366603

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM4818PRL 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高电流应用设计。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能够承载8.5A的连续漏极电流，确保强大电力传输；17mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低系统功耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管器件选择。

5+
￥0.547872 ￥0.7024
50+
￥0.53508 ￥0.686
150+
￥0.5265 ￥0.675
500+
￥0.517998 ￥0.6641

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:30A

型号：STN442D-HXY 编号：C22366614

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STN442D 型号N沟道MOS管采用标准TO-252-2L封装，体积小巧，散热优良，适用于各类空间有限的设计方案。该器件具有60V的额定电压VDSS，最大连续电流ID高达30A，显示其出色的电力传输能力。更值得称赞的是其22mR的低导通电阻，大大提升了能源效率和系统响应速度。广泛应用于电源转换、马达驱动、负载开关等领域，所有产品出厂前均经过严格的质量把关，确保提供持久稳定的高性能表现。

5+
￥0.5499 ￥0.7332
50+
￥0.537075 ￥0.7161
150+
￥0.52845 ￥0.7046
500+
￥0.5199 ￥0.6932

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:11.5A

型号：SI4202DY-T1-GE3-HXY 编号：C22367030

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4202DY-T1-GE3 是一款高端N+N沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装工艺，旨在满足现代电子设备对高效、紧凑设计的需求。其核心技术参数包括耐受电压VDSS高达30V，最大连续漏极电流ID为11.5A，充分展现强大的电力处理效能。特别强调的是，器件的导通电阻RD(on)仅为10mR，有助于大幅削减功耗，实现更高的能源利用效率。

5+
￥0.58149 ￥0.7455
50+
￥0.567918 ￥0.7281
150+
￥0.55887 ￥0.7165
500+
￥0.549822 ￥0.7049

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A

型号：FDS8817NZ-HXY 编号：C22366458

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS8817NZ 是一款高品质N沟道MOS管，封装在小巧的SOP-8形式中，特别适合于空间有限的电路板设计。该器件具有出色的电气性能，支持最大30V的工作电压和高达18A的连续电流处理能力，确保了强大而稳定的电力传输。其超低的导通电阻仅为5.5mR，极大地提升了能源效率并减少了发热损耗，是您电源管理、电机驱动等高要求应用场景的理想之选。

5+
￥0.58856 ￥0.7357
50+
￥0.5748 ￥0.7185
150+
￥0.5656 ￥0.707
500+
￥0.55648 ￥0.6956

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A

型号：SI4420DYPBF-HXY 编号：C22366468

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4420DYPbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济空间的SOP-8封装，专为高功率密度设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可持续处理18A的大电流，展现强大电力控制能力。其出色之处在于仅5.5mR的超低导通电阻(RD(on))，极大提升了系统效率，降低了能耗，是电源转换、电机驱动、电池管理系统等高要求应用的理想之选。

5+
￥0.5964 ￥0.7455
50+
￥0.58248 ￥0.7281
150+
￥0.5732 ￥0.7165
500+
￥0.56392 ￥0.7049

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：HSiRA18BDP 编号：C42401404

封装：DFN3X3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用，如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等，能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。

5+
￥0.617686 ￥0.7442
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￥0.604157 ￥0.7279
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2个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SMC8205AGW-HXY 编号：C22366417

封装：TSSOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SMC8205AGW 型号MOS管，选用节省空间的TSSOP-8封装，专为现代精密电路设计打造。这款高性能N+N沟道MOSFET具有稳定的20V电压额定值和强大的6A连续漏极电流承载能力，保证了卓越的电力控制表现。尤为突出的是，其导通电阻仅低至21mΩ，有助于大幅削减功耗并提升整体效能。适用于包括开关电源、马达驱动、负载开关在内的多元化应用场景，是追求高效节能方案的不二之选。

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2个N沟道耐压:30V 电流:11.5A

型号：FDS6910-HXY 编号：C22367033

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6910 是一款高效能N+N沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装形式，特别适应于高集成度与高性能需求的应用场景。产品关键参数如下VDSS工作电压高达30V，可持续提供11.5A的大电流处理能力，充分满足严苛的电力传输需求。其导通电阻RD(on)仅为10mR，极大程度地减少了功率损失，实现了卓越的能效表现。FDS6910 MOS管因具备优越的开关性能、低导通电阻及高稳定性，广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子等多个领域，是您的设计工程中不可或缺的优质半导体组件。

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