电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

AO4614B 是一款N+P沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，适应现代电子产品的小型化需求。器件具备40V的最大工作电压VDSS，可持续输出6A的漏极电流ID，确保高效稳定的电力传输。其导通电阻RD(on)低至26mΩ，有效降低功耗并提升系统能效。AO4614B MOS管广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动控制等领域，是您实现高效率、低损耗电路设计的理想选择。

5+
￥0.53839 ￥0.6334
50+
￥0.52581 ￥0.6186
150+
￥0.517395 ￥0.6087
500+
￥0.509065 ￥0.5989

有货

立即购买

型号：SM3012T9RL-HXY 编号：C22366953

封装：TO-252-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM3012T9RL 是一款N+P沟道MOS管，采用散热性优良的TO-252-4L封装，适用于中大电流应用场合。该器件拥有30V的额定电压VDSS，能够安全承载20A的连续电流ID，突显其强大的电力处理能力。其导通电阻RD(on)低至18mΩ，有助于降低系统功耗，提升能效表现。广泛应用于电源转换、逆变器以及电动机驱动等系统，SM3012T9RL 是您实现高效能、可靠控制的理想半导体组件。

5+
￥0.5915
50+
￥0.5777
150+
￥0.5685
500+
￥0.5592

有货

立即购买

型号：STS7PF30L-HXY 编号：C22366871

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STS7PF30L 是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，专为高压、大电流应用场景设计。其特性包括最高30V的电压额定值VDSS，以及高达11A的连续漏极电流ID，充分展现了卓越的电力传输能力。尤其值得关注的是，该器件的导通电阻RD(on)仅为12.5mΩ，极大地优化了功率损耗并提升了系统效率。无论在电源管理、电池保护或马达驱动等方面，STS7PF30L MOS管均以其出色性能，成为您电路设计的理想之选。

5+
￥0.628425 ￥0.8379
50+
￥0.6138 ￥0.8184
150+
￥0.603975 ￥0.8053
500+
￥0.59415 ￥0.7922

有货

立即购买

型号：SM95N03AD1RL-HXY 编号：C22367003

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM95N03AD1RL 是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高密度、高性能电路设计。该器件能在30V电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，确保强大而稳定的电力传输。其独特优势在于拥有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效降低了功率损耗，提高了整体能效。SM95N03AD1RL 适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效低耗的半导体应用领域。

5+
￥0.63288 ￥0.7911
50+
￥0.61808 ￥0.7726
150+
￥0.60824 ￥0.7603
500+
￥0.5984 ￥0.748

有货

立即购买

型号：FDD8447L-HXY 编号：C22367193

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD8447L 是一款高性能N沟道MOS管，封装采用散热良好的TO-252-2L形式，特别适应于大电流应用场景。该器件拥有出色的耐压特性，VDSS高达40V，能安全处理高达60A的连续漏极电流，以满足高强度电力传输需求。关键优势在于其行业领先的导通电阻RD(on)，仅仅7mR，极大程度地减少了功率损耗，提升了整体系统效率。

5+
￥0.71535 ￥0.9538
50+
￥0.698625 ￥0.9315
150+
￥0.68745 ￥0.9166
500+
￥0.67635 ￥0.9018

有货

立即购买

型号：CSD16411Q3-HXY 编号：C22367277

封装：DFN3X3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

CSD16411Q3 N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装工艺，小巧轻便，适用于高密度电路设计。具备30V的耐压等级（VDSS）和高达60A的连续漏极电流（ID），确保卓越的电力处理能力。其导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系统能效。此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。

5+
￥0.78555 ￥1.0474
50+
￥0.767175 ￥1.0229
150+
￥0.75495 ￥1.0066
500+
￥0.742725 ￥0.9903

有货

立即购买

型号：AON6380-MS 编号：C51927968

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款AON6380-MS型号MOS管，采用先进DFN5X6-8L封装技术，结构紧凑，散热性能优秀。作为一款高性能N沟道MOSFET，其具备30V的最高耐压值，以及惊人的70A连续漏极电流能力，充分展现了超强的电力处理性能。尤其引人注目的是仅有5.7mΩ的超低导通电阻，大大提升了能源效率并减少了功率损耗。广泛应用于高功率开关电源、快速充电器、电机驱动等高电流领域，是业界领先的高效能半导体器件解决方案。

5+
￥0.7862
50+
￥0.7689
150+
￥0.7574

有货

立即购买

型号：FDS6694-HXY 编号：C49420442

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、低损耗的电力电子转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为9.5mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高性能电子设备中，满足对空间和能效有较高要求的设计场景。

5+
￥0.82156 ￥0.8648
50+
￥0.80351 ￥0.8458
150+
￥0.791445 ￥0.8331
500+
￥0.77938 ￥0.8204

有货

立即购买

型号：AOSP32368 编号：C49420484

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优异的导通性能和快速开关特性。其漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至5mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高密度电力电子设备中的高效能控制场景，满足高性能电路设计对稳定性和效率的严苛需求。

5+
￥1.007 ￥1.06
50+
￥0.984865 ￥1.0367
150+
￥0.97014 ￥1.0212
500+
￥0.95532 ￥1.0056

有货

立即购买

型号：SI4936ADY-T1-E3-HXY 编号：C22366592

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4936ADY-T1-E3 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，专为现代电子设备设计提供高效能电流控制解决方案。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，确保强大电力传输；25mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高集成度与节能电子产品的理想MOS管选择。

5+
￥1.1656
50+
￥0.9036
150+
￥0.7912
500+
￥0.6511
3000+
￥0.5887
6000+
￥0.5512

有货

立即购买

型号：STS8DN3LLH5-HXY 编号：C49256492

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导通与高效开关操作。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低功率电源系统。17mΩ的超低导通电阻（RDON）显著减少导通损耗，提高整体效率。该器件可广泛应用于便携式电源管理、DC-DC转换电路、电池保护模块及高密度电子设备中，提供稳定可靠的电力控制性能，满足对效率与尺寸双重要求的应用场景。

5+
￥1.178 ￥1.24
50+
￥1.1495 ￥1.21
150+
￥1.1305 ￥1.19
500+
￥1.1115 ￥1.17

有货

立即购买

型号：SM6366ED1RL-HXY 编号：C22366625

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM6366ED1RL 型号N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装设计，兼具小型化与高效散热功能，特别适合现代高密度电子设备应用。器件拥有30V额定电压VDSS，提供高达120A连续电流ID处理能力，展现卓越的电力控制性能。其3.5mR超低导通电阻，有效提高能源效率并减少系统损耗。

5+
￥1.187238 ￥1.2766
50+
￥0.932232 ￥1.0024
150+
￥0.822957 ￥0.8849
500+
￥0.686619 ￥0.7383
2500+
￥0.62589 ￥0.673
5000+
￥0.589434 ￥0.6338

有货

立即购买

型号：SI4435DYPBF-HXY 编号：C22366868

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4435DYPbF 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各类电子设备。其拥有30V的额定电压VDSS和高达11A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。更值得一提的是，该器件具有低至12.5mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提升系统能效。无论是在电源管理还是电机驱动等领域，这款MOS管都能展现卓越性能，是您设计的理想选择。

1+
￥1.416 ￥1.77
10+
￥1.384 ￥1.73
30+
￥1.36 ￥1.7
100+
￥1.336 ￥1.67

有货

立即购买

型号：SQ2398ES-T1_BE3-HXY 编号：C49256420

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为220mΩ，适用于需要高效开关和低导通损耗的电路设计。其较高的耐压能力和稳定的电流承载性能，使其可应用于电源管理、直流变换器、负载开关以及各类嵌入式电子设备中，满足多种基础电力电子变换需求。

1+
￥1.501 ￥1.58
10+
￥1.463 ￥1.54
30+
￥1.444 ￥1.52
100+
￥1.425 ￥1.5

有货

立即购买

型号：HSTD20NF10T4 编号：C42401356

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道MOSFET具有卓越的电气特性，最大连续漏极电流ID为30A，能够处理较高的电流负载；其漏源电压VDSS达到100V，适用于需要承受一定电压水平的应用环境；导通电阻RDSON仅为35mΩ，有助于减少能量损失并提高系统效率；栅源电压VGS支持20V，提供了良好的驱动兼容性。此款场效应管非常适合于消费电子、家用电器等领域的电源控制与转换电路中，确保了高效且可靠的电力管理。

5+
￥1.51785 ￥1.6865
50+
￥1.20231 ￥1.3359
150+
￥1.06713 ￥1.1857
500+
￥0.89838 ￥0.9982
2500+
￥0.82332 ￥0.9148
5000+
￥0.77823 ￥0.8647

有货

立即购买

型号：SI7216DN-T1-E3-HXY 编号：C22366619

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，尤其适合于空间有限的现代电子设计。器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID，充分展现了强大的电力处理性能。其17mR的超低导通电阻，进一步优化系统效率，减少能耗。该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域，出厂前经过严格质量检验，确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。

1+
￥1.61
10+
￥1.57
30+
￥1.54
100+
￥1.52

有货

立即购买

型号：UPA2720GR-E1-A-HXY 编号：C49420488

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于多种中高功率应用场景。其导通电阻低至5mΩ，有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源转换、开关控制、负载调节等电路模块，为电子设备提供高效可靠的电力支持。

1+
￥1.919 ￥2.02
10+
￥1.8715 ￥1.97
30+
￥1.843 ￥1.94
100+
￥1.8145 ￥1.91

有货

立即购买

型号：FDMS0308AS-HXY 编号：C22366638

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDMS0308AS N沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，为现代紧凑型电路设计提供完美解决方案。该器件支持最高30V的漏源电压，能在高达150A的连续电流下稳定工作，表现出卓越的电力处理性能。其2mΩ的超低导通电阻，有效减小功率损耗，大幅提升系统效率，适用于电源转换、马达驱动等各种高电流应用场合，是工程师追求高效能电路设计的理想选择。

1+
￥2.156 ￥2.45
10+
￥1.6984 ￥1.93
30+
￥1.496 ￥1.7
100+
￥1.2496 ￥1.42
500+
￥1.144 ￥1.3
1000+
￥1.0736 ￥1.22

有货

立即购买

型号：HBSZ0901NSIATMA1 编号：C42401300

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续漏极电流（ID/A），适合应用于大电流需求的电路设计中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适用于低压大电流场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少电力损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS/V）的最大承受范围为20V，确保了驱动兼容性。该MOSFET可以用于高性能的电源开关、逆变器以及需要快速开关特性的电子装置中。

1+
￥2.176 ￥2.72
10+
￥2.12 ￥2.65
30+
￥2.088 ￥2.61
100+
￥2.056 ￥2.57

有货

立即购买

型号：APM4015PUC-TRL-VB 编号：C558093

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥2.2515 ￥2.37
10+
￥2.204 ￥2.32
30+
￥2.1755 ￥2.29
100+
￥2.1375 ￥2.25

有货

立即购买

型号：AON6358-HXY 编号：C22366637

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6358 N沟道MOS管采用了先进的DFN5X6-8L封装形式，小巧且功能强大。该器件具有30V的最大稳态漏源电压，可支持高达150A的连续漏极电流，充分保证了在高电压大电流条件下的可靠运行。更值得一提的是，其导通电阻仅为2mΩ，有效降低了能耗，提升了电路的工作效率。此款MOS管非常适合用于电源转换、电机驱动及其它高端电力电子应用，是您优化系统设计的理想之选。

5+
￥2.2527
50+
￥1.7689
150+
￥1.5615

有货

立即购买

型号：HAONS32304 编号：C42401266

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续排水电流（ID），最大承受电压（VDSS）为30V，其低至2毫欧的导通电阻（RDSON）使得它在高功率密度转换器中表现优异。该MOSFET在栅源电压（VGS）为20V时能有效导通，适用于需要大电流和快速开关特性的应用，例如高性能计算设备的电源供应单元、智能家电内部的功率调节模块或是电子游戏机中的能量管理电路等。其高效的电力传输能力有助于提升整体系统的能效比。

1+
￥2.403 ￥2.67
10+
￥1.89 ￥2.1
30+
￥1.665 ￥1.85
100+
￥1.395 ￥1.55
500+
￥1.269 ￥1.41
1000+
￥1.197 ￥1.33

有货

立即购买

型号：FQP4N20-VB 编号：C878834

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥2.8645 ￥3.37
10+
￥2.2355 ￥2.63
50+
￥1.9465 ￥2.29
100+
￥1.6065 ￥1.89
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.3685 ￥1.61

有货

立即购买

型号：SIR4604LDP-T1-GE3-HXY 编号：C49420500

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，有效降低功耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、转换器、电池保护电路及高密度电力电子设备中的开关应用。封装形式可根据需求适配不同场景，满足多样化设计要求。

1+
￥3.3345 ￥3.51
10+
￥3.2585 ￥3.43
30+
￥3.211 ￥3.38
100+
￥3.1635 ￥3.33

有货

立即购买

型号：SIR882BDP-T1-RE3-HXY 编号：C48972112

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与较高的电流承载能力，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为100V，确保在较高功率条件下稳定运行；导通电阻RDON低至6.4mΩ，有效降低功耗并提升整体效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源管理、开关电路、电机控制及高密度电力系统等对性能和可靠性有要求的应用领域。

1+
￥3.4865 ￥3.67
10+
￥3.401 ￥3.58
30+
￥3.3535 ￥3.53
100+
￥3.2965 ￥3.47

有货

立即购买

型号：SUD45P03-15-E3-VB 编号：C2680817

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥3.502 ￥4.12
10+
￥2.8475 ￥3.35
30+
￥2.5245 ￥2.97
100+
￥2.2015 ￥2.59
500+
￥2.0825 ￥2.45
1000+
￥1.9805 ￥2.33

有货

立即购买

型号：STN3PF06-VB 编号：C725212

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.515 ￥3.7
10+
￥2.812 ￥2.96
30+
￥2.508 ￥2.64
100+
￥2.128 ￥2.24
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

立即购买

型号：IRF3205PBF-JSM 编号：C18187875

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

1+
￥3.776 ￥4.72
10+
￥3.008 ￥3.76
50+
￥2.616 ￥3.27
100+
￥2.232 ￥2.79
500+
￥2 ￥2.5
1000+
￥1.888 ￥2.36

有货

立即购买

型号：FDD4685-VB 编号：C693187

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥3.9045 ￥4.11
10+
￥3.173 ￥3.34
30+
￥2.812 ￥2.96
100+
￥2.451 ￥2.58
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

型号：MDD3754RH-VB 编号：C3040202

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥4.085 ￥4.3
10+
￥3.363 ￥3.54
30+
￥2.9925 ￥3.15
100+
￥2.6315 ￥2.77
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示