电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为220mΩ，适用于需要高效开关和低导通损耗的电路设计。其较高的耐压能力和稳定的电流承载性能，使其可应用于电源管理、直流变换器、负载开关以及各类嵌入式电子设备中，满足多种基础电力电子变换需求。

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型号：SI7216DN-T1-E3-HXY 编号：C22366619

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，尤其适合于空间有限的现代电子设计。器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID，充分展现了强大的电力处理性能。其17mR的超低导通电阻，进一步优化系统效率，减少能耗。该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域，出厂前经过严格质量检验，确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。

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型号：SI7848BDP-T1-GE3-HXY 编号：C22366798

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7848BDP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装。其拥有40V的额定漏源电压VDSS和高达60A的连续漏极电流ID，展现出卓越的电力处理能力。导通电阻仅为6.9mΩ，有效降低功耗并提高系统能效，适用于各类高功率电子设备和电源管理应用，是您设计中的理想选择。

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型号：SM4027PSU-VB 编号：C710080

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：AOD413A-VB 编号：C20755221

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：RD3P200SNFRATL-HXY 编号：C22367065

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

RD3P200SNFRATL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，适用于高功率、大电流应用场景。该器件具备100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载力，确保在电力转换、电机驱动等领域的稳定运作。其引人注目的35mΩ导通电阻使得在大电流工作状态下的能量损耗降至最低，从而提高整体能效。这款MOS管是实现高效、节能电子系统的首选元件。

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型号：VBE2412 编号：C416265

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

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￥4.028 ￥4.24
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型号：MDD3754RH-VB 编号：C3040202

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：IRF7351PBF-HXY 编号：C22367034

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF7351PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各种高效能电路设计。其关键特性包括承受电压VDSS高达60V，可提供高达15A的连续漏极电流，确保强劲电力处理能力。尤其独特的是，其导通电阻RD(on)仅为12mR，显著降低能耗，提升整体系统能效。IRF7351PbF MOS管凭借其卓越的开关性能、大电流承载能力和出色的稳定性，广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器系统等多元领域，是您设计高效率电子产品的理想半导体器件选择。

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型号：SIR664DP-T1-GE3-HXY 编号：C53262841

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频率的电源转换、电机控制及各类高效电力电子系统。其电气特性支持快速开关动作，有助于实现紧凑且高效的电路设计。

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型号：SI7635DP-T1-GE3-HXY 编号：C22366938

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7635DP-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，优化散热性能和PCB占用面积。器件能在18V的电压下稳定工作，提供强劲的80A连续电流，而3.4mΩ的超低导通电阻确保了卓越的能效表现。广泛应用于电源供应系统等领域的高电流开关与转换场景，是实现高效能电力管理的理想解决方案。

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型号：SIR882BDP-T1-RE3-HXY 编号：C48972112

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与较高的电流承载能力，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为100V，确保在较高功率条件下稳定运行；导通电阻RDON低至6.4mΩ，有效降低功耗并提升整体效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源管理、开关电路、电机控制及高密度电力系统等对性能和可靠性有要求的应用领域。

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型号：VBQA2305 编号：C481052

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥8.17 ￥8.6
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型号：BSC060N10NS3 G-VB 编号：C7463911

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

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型号：FDD6682_NL-HXY 编号：C53263121

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其高电流承载能力与优异的导通特性，使其适用于大电流电源转换、高效开关电路以及对热管理要求较高的紧凑型电子设备中。器件在高频开关条件下仍能保持稳定的电气性能，适合用于需要高效率与高可靠性的电力电子应用。

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型号：BSC079N10NSGATMA1-HXY 编号：C53262950

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。在高电流工作条件下，其低导通电阻有助于显著降低功率损耗，提升系统效率。适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类高效能电力电子转换电路，能够在严苛电气环境中保持稳定可靠的运行性能。

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型号：DMTH6005LPSWQ-13-HXY 编号：C53262867

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、中低压的电力电子系统，如开关电源、电机控制及电池供电设备中的功率开关环节，能够在保持较低温升的同时实现高效能量转换。

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型号：IPB200N15N3G-VB 编号：C20755359

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于多种电力应用。TO263；N—Channel沟道,150V；128A；RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

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型号：IRFP140NPBF-VB 编号：C5456561

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：IRFIB41N15DPBF-VB 编号：C4355121

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

数据手册

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型号：VBMB165R20S 编号：C481040

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

数据手册

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型号：FGH40T65SQD-F155-HXY 编号：C49003409

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中等功率场景下的高频开关应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时有助于降低导通损耗。内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备稳定的反向恢复特性。模块采用优化的封装结构，散热性能良好，适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。

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￥17.5465 ￥18.47
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型号：FDA28N50F 编号：C606018

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥43.75
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￥42.03
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￥33.35
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￥32.47

有货

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型号：APT35GP120BG-HXY 编号：C49003441

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在高耐压条件下仍可保持较好的导通性能。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的热稳定性和反向恢复特性。适用于电源转换、智能电网设备、精密电机控制等场景，提供高效、稳定的开关表现。

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￥66.671 ￥70.18

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型号：IXYH120N65C3-HXY 编号：C49003440

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备100A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的热稳定性和快速恢复特性。适用于电源变换、智能电网设备、高性能电机驱动等场景，提供高效、可靠的开关控制能力。

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￥66.671 ￥70.18

有货

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型号：IXYH120N65B3-HXY 编号：C49003439

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部二极管具备100A的正向电流（IF）能力，正向压降（Vf）为1.55V，表现出良好的反向恢复特性。该器件采用标准封装设计，适用于多种电力电子变换装置，如电源转换、智能电网设备及精密电机控制等场景，提供稳定可靠的开关性能。

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型号：IXGH40N120A2-HXY 编号：C49003443

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流性能与稳定性。该器件适合应用于电源转换、储能装置及高效开关电路等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计方案。

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￥68.97 ￥72.6

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型号：APT50GT120B2RDQ2G-HXY 编号：C49003383

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可满足较高功率需求的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能有效控制能量损耗。内部集成的二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通性能。该器件适用于电力变换装置、高效电机驱动及高频电源系统等场合，为高可靠性开关应用提供技术支持。

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型号：APT45GP120B2DQ2G-HXY 编号：C49003384

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于提升系统整体效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通特性与稳定性。该器件适合用于电源变换设备、高效能电机控制电路以及高频电力电子系统，满足对开关性能与耐压能力有较高要求的设计需求。

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型号：SM3012T9RL-HXY 编号：C22366953

封装：TO-252-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM3012T9RL 是一款N+P沟道MOS管，采用散热性优良的TO-252-4L封装，适用于中大电流应用场合。该器件拥有30V的额定电压VDSS，能够安全承载20A的连续电流ID，突显其强大的电力处理能力。其导通电阻RD(on)低至18mΩ，有助于降低系统功耗，提升能效表现。广泛应用于电源转换、逆变器以及电动机驱动等系统，SM3012T9RL 是您实现高效能、可靠控制的理想半导体组件。

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