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2个N沟道耐压:30V 电流:11.5A

型号：BSO150N03MDG-HXY 编号：C22367032

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSO150N03MDG 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高集成度和节能应用设计。其主要规格包括VDSS耐压高达30V，可稳定承载11.5A的连续漏极电流，彰显出卓越的电力处理性能。尤其突出的是，器件具有极低的导通电阻RD(on)仅为10mR，大大减少了能量损耗，提高了整体能效。BSO150N03MDG MOS管以出色的开关速度、低功耗及高稳定性等特性，广泛应用于电源转换、电机驱动、消费电子等领域，是您追求高效能方案的理想半导体组件选择。

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￥2.325 ￥3.1
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￥1.8225 ￥2.43
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￥1.6125 ￥2.15
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￥1.3425 ￥1.79
500+
￥1.23 ￥1.64
1000+
￥1.155 ￥1.54

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：IRFHM8329PBF-HXY 编号：C22366843

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFHM8329PbF MOS管采用先进的DFN3X3-8L封装技术，是一款高效的N沟道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的80A连续电流ID承载能力，展现了出色的电力控制性能。此外，该器件具有的超低导通电阻RD(on)仅4.7mR，旨在大幅度降低能耗，提升系统能效，尤其适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，为您的高端电子设计提供坚实保障。

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￥2.368 ￥2.96
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￥1.872 ￥2.34
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￥1.216 ￥1.52

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1个N沟道耐压:40V 电流:50A

型号：FDD8447L-F085-HXY 编号：C22366835

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD8447L-F085 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装形式，确保高效散热与广泛应用兼容性。器件提供40V的工作电压VDSS，能承载高达50A的连续漏极电流ID，专为处理高强度电力任务而设计。其独特优势在于11mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提高系统能效。

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￥2.368 ￥2.96
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￥1.864 ￥2.33
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￥1.648 ￥2.06
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有货

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耐压:30V 电流:150A

型号：HAONS32304 编号：C42401266

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续排水电流（ID），最大承受电压（VDSS）为30V，其低至2毫欧的导通电阻（RDSON）使得它在高功率密度转换器中表现优异。该MOSFET在栅源电压（VGS）为20V时能有效导通，适用于需要大电流和快速开关特性的应用，例如高性能计算设备的电源供应单元、智能家电内部的功率调节模块或是电子游戏机中的能量管理电路等。其高效的电力传输能力有助于提升整体系统的能效比。

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￥2.403 ￥2.67
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￥1.197 ￥1.33

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STD90N03L-HXY

型号：STD90N03L-HXY 编号：C53263246

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压，导通电阻为5毫欧，在高电流应用中可有效降低导通损耗。其电气特性适合用于高频开关场合，能够维持较低的温升与能量损耗。典型应用场景包括开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电力电子装置，尤其适用于对体积和效率有较高要求的设计。

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￥2.4415 ￥2.57
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.254 ￥1.32

有货

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BSZ0910LSATMA1-HXY

型号：BSZ0910LSATMA1-HXY 编号：C53263388

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。如此低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有利于提升系统效率并减少散热需求。该器件适用于需要高电流承载能力与高效能开关特性的场合，如电源转换模块、电池管理系统及高性能计算设备中的供电电路，能够支持稳定可靠的电力传输与控制。

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￥2.47 ￥2.6
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￥1.957 ￥2.06
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￥1.7385 ￥1.83
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￥1.3395 ￥1.41
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￥1.2635 ￥1.33

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:15A

型号：HFQD19N10LTM 编号：C42401093

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID），适用于需要大电流处理能力的应用。其额定漏源电压（VDSS）为100V，确保了在高压环境下的可靠性能。导通电阻（RDSON）仅为100毫欧，有助于在负载条件下保持低发热和高效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V，增强了驱动兼容性和灵活性。适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合，如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。

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￥2.528 ￥3.16
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￥1.984 ￥2.48
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￥1.752 ￥2.19
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￥1.256 ￥1.57

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：SIR464DP-T1-GE3-HXY 编号：C22366657

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SIR464DP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的小型化与高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，显示出卓越的电力处理性能。其显著特点是仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有助于大幅度降低功耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源等领域，是您构建高效节能电路的首选半导体器件。

1+
￥2.535 ￥3.38
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￥1.995 ￥2.66
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￥1.7625 ￥2.35
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￥1.47 ￥1.96
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￥1.3425 ￥1.79
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￥1.26 ￥1.68

有货

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N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：CSD17552Q5A-HXY 编号：C48972152

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为50A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至6.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中。封装设计便于散热与集成，满足高性能电力电子电路的设计需求。

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￥2.5365 ￥2.67
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￥2.014 ￥2.12
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￥1.786 ￥1.88
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￥1.501 ￥1.58
500+
￥1.3775 ￥1.45
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￥1.3015 ￥1.37

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：SPD15P10PL G-VB 编号：C7524903

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥2.584 ￥2.72
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￥2.5175 ￥2.65
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￥2.4795 ￥2.61
100+
￥2.4415 ￥2.57

有货

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BSC040N10NS5ATMA1-HXY

型号：BSC040N10NS5ATMA1-HXY 编号：C53262891

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗，提升整体能效。适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、不间断电源及各类高效电力转换系统。器件在高频开关应用中表现出良好的动态性能和热稳定性，适合对效率与空间布局有较高要求的电子设备。

1+
￥2.6315 ￥2.77
10+
￥2.5745 ￥2.71
30+
￥2.5365 ￥2.67
100+
￥2.4985 ￥2.63

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：BSC0901NS-HXY 编号：C22366647

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSC0901NS N沟道MOS管采用小型化DFN5X6-8L封装，专为紧凑型电子设备设计。该器件支持高达30V的漏源电压（VDSS），可承载连续150A的漏极电流，凸显卓越的电力处理能力。其特色在于2mΩ的低导通电阻（RD(on)），有效减少能耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是您寻求高效、节能解决方案的理想半导体器件。

1+
￥2.7104 ￥3.08
10+
￥2.1296 ￥2.42
30+
￥1.8832 ￥2.14
100+
￥1.5664 ￥1.78
500+
￥1.4344 ￥1.63
1000+
￥1.3464 ￥1.53

有货

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DMN3009SFG-7-HXY

型号：DMN3009SFG-7-HXY 编号：C53262983

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有助于在大电流工作时有效抑制功率损耗和温升，提升系统能效。该器件适用于高效率电源转换、电池管理及大电流开关等应用场合，能够在紧凑型电路布局中实现稳定可靠的电力控制与传输。

1+
￥2.7455 ￥2.89
10+
￥2.1755 ￥2.29
30+
￥1.9285 ￥2.03
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￥1.6245 ￥1.71
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￥1.4915 ￥1.57
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￥1.406 ￥1.48

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:9A

型号：HSTR2N2VH5 编号：C42401340

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有6A的漏极电流（ID）承载能力，最大工作电压（VDSS）为20V，适用于多种电子装置。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在12V的栅源电压（VGS）条件下表现出色，能够显著降低电力传输过程中的能量损失。该MOSFET适用于消费类电子产品中的电源管理模块、便携设备的电池保护电路以及需高效能开关的应用场景，是设计中实现高效率与稳定性的理想元件。

1+
￥2.84 ￥3.55
10+
￥2.288 ￥2.86
30+
￥2.008 ￥2.51
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￥1.736 ￥2.17
500+
￥1.576 ￥1.97
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￥1.488 ￥1.86

有货

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1个N沟道耐压:200V

型号：FQP4N20-VB 编号：C878834

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥2.8645 ￥3.37
10+
￥2.2355 ￥2.63
50+
￥1.9465 ￥2.29
100+
￥1.6065 ￥1.89
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.3685 ￥1.61

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：ZXMP6A13GTA-VB 编号：C18212438

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥3.06 ￥3.6
10+
￥2.431 ￥2.86
30+
￥2.159 ￥2.54
100+
￥1.819 ￥2.14
500+
￥1.666 ￥1.96
1000+
￥1.581 ￥1.86

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：FL9014-VB 编号：C20755503

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥3.2775 ￥3.45
10+
￥2.5745 ￥2.71
30+
￥2.28 ￥2.4
100+
￥1.9 ￥2
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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1个P沟道耐压:18V 电流:80A

型号：SIR401DP-T1-GE3-HXY 编号：C22366939

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SIR401DP-T1-GE3 P沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备出色的散热性能和电路板空间利用率。该器件能在18V电压下稳定运行，提供高达80A的连续电流，拥有超低3.4mΩ导通电阻，确保了高效能、低损耗的电力传输。广泛应用于高电流电源转换、电动车充电系统等场合，是高性能、节能设计的理想组件。

1+
￥3.339 ￥4.77
10+
￥2.688 ￥3.84
30+
￥2.366 ￥3.38
100+
￥2.044 ￥2.92
500+
￥1.848 ￥2.64
1000+
￥1.75 ￥2.5

有货

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N沟道 30V 18A

型号：UPA2720GR-E1-A-HXY 编号：C49420488

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于多种中高功率应用场景。其导通电阻低至5mΩ，有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源转换、开关控制、负载调节等电路模块，为电子设备提供高效可靠的电力支持。

1+
￥3.3725 ￥3.55
10+
￥2.736 ￥2.88
30+
￥2.4225 ￥2.55
100+
￥2.109 ￥2.22
500+
￥1.919 ￥2.02
1000+
￥1.8145 ￥1.91

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：STN3PF06-VB 编号：C725212

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.515 ￥3.7
10+
￥2.812 ￥2.96
30+
￥2.508 ￥2.64
100+
￥2.128 ￥2.24
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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耐压:100V 电流:75A

型号：HBSC098N10NS5ATMA1 编号：C42401096

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的最大漏极电流（ID），支持高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下操作，适合用于需要高效电力转换的应用中。此MOSFET适用于各种电源管理解决方案，例如在消费电子产品的开关模式电源（SMPS）中作为功率级元件，或是在便携设备中充当负载开关，确保了电路的可靠性和效率。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电子装置的理想选择。

1+
￥3.6105 ￥4.35
10+
￥2.905 ￥3.5
30+
￥2.5564 ￥3.08
100+
￥2.2078 ￥2.66
500+
￥2.0003 ￥2.41
1000+
￥1.8924 ￥2.28

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：P2504EDG-VB 编号：C5179515

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥3.6975 ￥4.35
10+
￥3.0175 ￥3.55
30+
￥2.6775 ￥3.15
100+
￥2.3375 ￥2.75
500+
￥2.04 ￥2.4
1000+
￥1.938 ￥2.28

有货

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STP80N10F7-HXY

型号：STP80N10F7-HXY 编号：C53262954

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备70A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频率的开关场合，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子系统中，能够稳定支持持续大电流工作需求。

1+
￥3.9615 ￥4.17
10+
￥3.211 ￥3.38
50+
￥2.8405 ￥2.99
100+
￥2.47 ￥2.6
500+
￥2.2515 ￥2.37
1000+
￥2.1375 ￥2.25

有货

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N沟道耐压:40V 电流:130A

型号：IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY 编号：C48972184

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，漏极电流ID可达130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ。该器件适用于对功率传输效率和热性能有较高要求的电路设计，可应用于高效电源转换、大功率负载驱动、电池管理系统以及各类高密度电力电子设备中。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升整体系统稳定性与可靠性。

1+
￥4.1135 ￥4.33
10+
￥3.3345 ￥3.51
30+
￥2.9545 ￥3.11
100+
￥2.565 ￥2.7
500+
￥2.337 ￥2.46
1000+
￥2.2135 ￥2.33

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:12A

型号：IRF9530SPBF-VB 编号：C18212600

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.1515 ￥4.37
10+
￥3.4295 ￥3.61
30+
￥3.059 ￥3.22
100+
￥2.28 ￥2.4
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：BSC057N03LSG-HXY 编号：C48972153

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电性能与可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其额定漏极电流ID为50A，漏源耐压VDSS达30V，满足较高功率需求；导通电阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于同步整流、DC-DC变换、储能系统及高性能计算设备中的电源模块设计，是实现高效能电力转换的理想选择。

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￥4.351 ￥4.58
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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：SI7336ADP-T1-E3-HXY 编号：C22366653

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7336ADP-T1-E3 是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代高集成度电子产品设计。器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，可承载高达150A的连续漏极电流(ID)，彰显其卓越的电力处理性能。导通电阻(RD(on))低至2mΩ，显著减少功率损耗，提升电路效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景，是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。

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DMT6005LPSW-13-HXY

型号：DMT6005LPSW-13-HXY 编号：C53262862

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。凭借极低的导通阻抗，器件在大电流工作条件下可显著减少功率损耗，提升系统效率。适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、电池充放电管理以及对热性能和能效要求严苛的电力电子应用。其结构支持良好的散热能力和稳定运行特性。

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N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：HBSC0501NSI 编号：C42401192

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续排水电流（ID/A），并可在最高30V的工作电压（VDSS/V）下稳定运行。其导通电阻（RDSON/mR）仅为2毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）达到20V时展现出优异的导电性能。适用于高功率密度要求的开关电源设计，亦可用于消费电子产品中的电机驱动及电源切换应用，确保了电力传输过程中的低损耗与高效率。其可靠的性能为各种电子设备提供了坚实的硬件支持。

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NTMFS4C09NBT1G-HXY

型号：NTMFS4C09NBT1G-HXY 编号：C53263122

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。高电流能力与低阻抗特性使其适用于大功率电源管理、高效DC-DC转换器及对散热和空间有严格要求的电子装置。在高频开关操作中，器件能维持良好的动态响应和稳定性，适合用于高性能电力电子系统。

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