电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252-2L

STD64N4F6AG 是一款高功率N沟道MOSFET，封装采用TO-252-2L，适合于大电流、高效率的应用场景。它具备高达40V的漏源电压VDSS，能承载峰值电流60A，充分满足大规模电力切换与负载驱动需求。其卓越之处在于7mR的超低导通电阻RD(on)，确保了在大电流工作状态下依然维持极低的功率损耗，实现高效能运作。

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型号：SI7106DN-T1-E3-HXY 编号：C22366923

封装：DFN3X3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N沟道半导体器件，采用小型化DFN3X3-8L封装技术，具有强大的电力处理能力。其特点是20V的VDSS耐压值，以及惊人的60A持续电流ID，尤其引人注目的是其超低导通电阻仅4mR，有效降低损耗，提升整体效能。这款MOS管非常适合应用于要求严苛的电源转换、大电流开关控制等场景，为您带来前所未有的能效体验。

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型号：IRF8313PBF-HXY 编号：C22367029

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF8313PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小巧高效的SOP-8封装，适合各类空间有限且对性能要求高的应用场景。其关键特性包括VDSS耐压值高达30V，可承载11.5A的强大连续漏极电流，确保卓越的电力处理能力。尤其值得一提的是，这款MOS管具备优异的导通电阻性能，仅有10mR的RD(on)，大幅度降低了功耗并提升了系统能效。

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型号：DMTH6016LFVWQ-13-A-HXY 编号：C48996538

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达40A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为12mΩ，具备优异的导通性能与较低的能量损耗。该器件适用于各类中高功率电源转换系统，如开关电源、逆变器、电池管理系统及直流负载控制电路等，能够实现高效、稳定的电力传输与控制，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。

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型号：IRFHM8329PBF-HXY 编号：C22366843

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFHM8329PbF MOS管采用先进的DFN3X3-8L封装技术，是一款高效的N沟道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的80A连续电流ID承载能力，展现了出色的电力控制性能。此外，该器件具有的超低导通电阻RD(on)仅4.7mR，旨在大幅度降低能耗，提升系统能效，尤其适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，为您的高端电子设计提供坚实保障。

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型号：AON6380-HXY 编号：C22366421

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6380 型号MOS管，采用先进DFN5X6-8L封装技术，结构紧凑，散热性能优秀。作为一款高性能N沟道MOSFET，其具备30V的最高耐压值，以及惊人的70A连续漏极电流能力，充分展现了超强的电力处理性能。尤其引人注目的是仅有5.7mΩ的超低导通电阻，大大提升了能源效率并减少了功率损耗。广泛应用于高功率开关电源、快速充电器、电机驱动等高电流领域，是业界领先的高效能半导体器件解决方案。

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型号：BSO150N03MDG-HXY 编号：C22367032

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSO150N03MDG 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高集成度和节能应用设计。其主要规格包括VDSS耐压高达30V，可稳定承载11.5A的连续漏极电流，彰显出卓越的电力处理性能。尤其突出的是，器件具有极低的导通电阻RD(on)仅为10mR，大大减少了能量损耗，提高了整体能效。BSO150N03MDG MOS管以出色的开关速度、低功耗及高稳定性等特性，广泛应用于电源转换、电机驱动、消费电子等领域，是您追求高效能方案的理想半导体组件选择。

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型号：SIR464DP-T1-GE3-HXY 编号：C22366657

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SIR464DP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的小型化与高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，显示出卓越的电力处理性能。其显著特点是仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有助于大幅度降低功耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源等领域，是您构建高效节能电路的首选半导体器件。

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型号：BSC020N03LSG-HXY 编号：C22367515

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSC020N03LSG N沟道MOS管，采用紧凑高效的DFN5X6-8L封装，尤其适合空间有限的设计方案。具备30V的最大漏源电压，可持续提供高达150A的漏极电流，展现卓越的电力处理能力。其导通电阻低至2mΩ，确保在大电流运行状态下依然维持低功耗和高效率，广泛适用于电源转换、电机控制以及其他高电流应用场合，是您打造高性能电子系统的理想半导体元件。

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型号：CSD17552Q5A-HXY 编号：C48972152

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为50A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至6.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中。封装设计便于散热与集成，满足高性能电力电子电路的设计需求。

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型号：BSZ0910LSATMA1-HXY 编号：C53263388

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。如此低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有利于提升系统效率并减少散热需求。该器件适用于需要高电流承载能力与高效能开关特性的场合，如电源转换模块、电池管理系统及高性能计算设备中的供电电路，能够支持稳定可靠的电力传输与控制。

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型号：HFQD19N10LTM 编号：C42401093

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID），适用于需要大电流处理能力的应用。其额定漏源电压（VDSS）为100V，确保了在高压环境下的可靠性能。导通电阻（RDSON）仅为100毫欧，有助于在负载条件下保持低发热和高效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V，增强了驱动兼容性和灵活性。适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合，如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。

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型号：BSC0901NS-HXY 编号：C22366647

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSC0901NS N沟道MOS管采用小型化DFN5X6-8L封装，专为紧凑型电子设备设计。该器件支持高达30V的漏源电压（VDSS），可承载连续150A的漏极电流，凸显卓越的电力处理能力。其特色在于2mΩ的低导通电阻（RD(on)），有效减少能耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是您寻求高效、节能解决方案的理想半导体器件。

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型号：HAM7440N 编号：C42401468

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有50A的连续漏极电流容量和40V的最大漏源电压，其导通电阻低至11mΩ，在20V的栅源电压下表现尤为突出。该器件适用于多种高效率电力转换和控制应用场景，如电源供应器、逆变器和各类需要快速响应与低功耗特性的电子设备。其卓越的导电性能和低热损耗特点，使得在紧凑型设计中也能保持高性能运行。

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型号：DMN3009SFG-7-HXY 编号：C53262983

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有助于在大电流工作时有效抑制功率损耗和温升，提升系统能效。该器件适用于高效率电源转换、电池管理及大电流开关等应用场合，能够在紧凑型电路布局中实现稳定可靠的电力控制与传输。

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型号：IRLR3915PBF-HXY 编号：C22366415

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLR3915PbF 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑高效的TO-252-2L封装，适应现代电子设备的小型化趋势。该器件具有60V的高额定漏源电压(VDSS)，可承载高达50A的连续漏极电流，表现出色的电力处理能力。导通电阻低至11mR，大幅降低了能耗，提升了系统效能。此款MOS管广泛适用于开关电源、电机驱动、充电器等多种场合，是追求高效率、低功耗设计的理想半导体元件。

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型号：ZXMP7A17GTA-VB 编号：C7524986

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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型号：SIR401DP-T1-GE3-HXY 编号：C22366939

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SIR401DP-T1-GE3 P沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备出色的散热性能和电路板空间利用率。该器件能在18V电压下稳定运行，提供高达80A的连续电流，拥有超低3.4mΩ导通电阻，确保了高效能、低损耗的电力传输。广泛应用于高电流电源转换、电动车充电系统等场合，是高性能、节能设计的理想组件。

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型号：HHUF76429D 编号：C42401280

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有30A的连续漏极电流（ID）能力，最大漏源电压（VDSS）为60V，并能在20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为0.022Ω，有效降低了导通状态下的能量损耗，提高了系统的整体效率。该MOSFET适用于消费电子产品的电源管理，如电池充电控制、直流电机驱动以及其他需要高效能电力转换的应用场合。

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型号：BSC060P03NS3EGATMA1-HXY 编号：C48996503

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款P沟道增强型场效应管（MOSFET）适用于多种高效率电源管理与功率控制电路。其最大漏极电流ID可达70A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至6mΩ，有效降低导通损耗并提升系统整体效率。器件采用先进制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于同步整流、DC-DC转换、电池供电设备及便携式电子产品中的电源模块设计，能够满足高性能电力电子应用对效率与集成度的需求。

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型号：DMN4468LSS-13-VB 编号：C878901

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

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型号：AO4412-VB 编号：C19190129

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：RD3P200SNFRATL-HXY 编号：C22367065

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

RD3P200SNFRATL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，适用于高功率、大电流应用场景。该器件具备100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载力，确保在电力转换、电机驱动等领域的稳定运作。其引人注目的35mΩ导通电阻使得在大电流工作状态下的能量损耗降至最低，从而提高整体能效。这款MOS管是实现高效、节能电子系统的首选元件。

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型号：PSMN7R6-60BS-HXY 编号：C22366951

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

PSMN7R6-60BS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热封装TO-252-2L，专为大电流应用设计。器件拥有60V的高额定电压VDSS，以及惊人的80A连续电流ID承载能力，充分彰显卓越的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mΩ，确保在大电流环境下依然能有效降低功耗、提升系统能效。

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型号：IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY 编号：C48972184

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，漏极电流ID可达130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ。该器件适用于对功率传输效率和热性能有较高要求的电路设计，可应用于高效电源转换、大功率负载驱动、电池管理系统以及各类高密度电力电子设备中。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升整体系统稳定性与可靠性。

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型号：FDD8447L-F085-HXY 编号：C22366835

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD8447L-F085 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装形式，确保高效散热与广泛应用兼容性。器件提供40V的工作电压VDSS，能承载高达50A的连续漏极电流ID，专为处理高强度电力任务而设计。其独特优势在于11mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提高系统能效。

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型号：STP80N10F7-HXY 编号：C53262954

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备70A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频率的开关场合，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子系统中，能够稳定支持持续大电流工作需求。

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型号：SI7336ADP-T1-E3-HXY 编号：C22366653

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7336ADP-T1-E3 是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代高集成度电子产品设计。器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，可承载高达150A的连续漏极电流(ID)，彰显其卓越的电力处理性能。导通电阻(RD(on))低至2mΩ，显著减少功率损耗，提升电路效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景，是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。

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￥2.3175 ￥3.09

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型号：BSC057N03LSG-HXY 编号：C48972153

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电性能与可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其额定漏极电流ID为50A，漏源耐压VDSS达30V，满足较高功率需求；导通电阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于同步整流、DC-DC变换、储能系统及高性能计算设备中的电源模块设计，是实现高效能电力转换的理想选择。

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型号：FDP100N10-HXY 编号：C53262917

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，其导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子转换系统，能够在严苛电气条件下保持稳定工作性能。

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