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BSC0901NS-MS

型号：BSC0901NS-MS 编号：C51928004

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC0901NS-MS是一款N沟道MOS管采用小型化DFN5X6-8L封装，专为紧凑型电子设备设计。该器件支持高达30V的漏源电压（VDSS），可承载连续150A的漏极电流，凸显卓越的电力处理能力。其特色在于2mΩ的低导通电阻（RD(on)），有效减少能耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是您寻求高效、节能解决方案的理想半导体器件。

1+
￥3.002 ￥3.16
10+
￥2.375 ￥2.5
30+
￥2.109 ￥2.22
100+
￥1.7765 ￥1.87
500+
￥1.6245 ￥1.71
1000+
￥1.539 ￥1.62

有货

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耐压:40V 电流:50A

型号：SUD45P03-15-E3-VB 编号：C2680817

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥3.502 ￥4.12
10+
￥2.8475 ￥3.35
30+
￥2.5245 ￥2.97
100+
￥2.2015 ￥2.59
500+
￥2.0825 ￥2.45
1000+
￥1.9805 ￥2.33

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1个P沟道耐压:60V 电流:8A

型号：AM4499P-T1-PF-VB 编号：C5878780

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.335 ￥5.1
10+
￥3.5275 ￥4.15
30+
￥3.1195 ￥3.67
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￥2.72 ￥3.2
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￥2.4735 ￥2.91
1000+
￥2.3545 ￥2.77

有货

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BSC094N06LS5ATMA1-HXY

型号：BSC094N06LS5ATMA1-HXY 编号：C53262840

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至8mΩ，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于对电流承载能力和开关性能要求较高的电源管理、电机驱动及各类高效率电力转换场景。器件结构支持快速开关操作，适合需要高可靠性和稳定性的电子系统。

1+
￥4.465 ￥4.7
10+
￥3.6195 ￥3.81
30+
￥3.2015 ￥3.37
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￥2.7835 ￥2.93
500+
￥2.5365 ￥2.67
1000+
￥2.4035 ￥2.53

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:10A

型号：VBA2625 编号：C416236

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥5.339 ￥5.62
10+
￥4.4365 ￥4.67
30+
￥3.9805 ￥4.19
100+
￥3.534 ￥3.72
500+
￥2.8405 ￥2.99
1000+
￥2.698 ￥2.84

有货

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IAUC100N10S5L040-HXY

型号：IAUC100N10S5L040-HXY 编号：C51949347

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备100V漏源耐压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至3.6mΩ，可有效降低大电流工作下的功率损耗。其低导通电阻与高电流承载能力使其适用于高效率电源转换场景，如大功率同步整流、DC-DC变换器及电机驱动电路。器件在高负载条件下仍能保持良好热稳定性，适合对能效和功率密度有较高要求的设备，广泛用于各类高性能开关电源、储能系统及电力传输控制等应用场合。

1+
￥5.4435 ￥5.73
10+
￥4.4175 ￥4.65
30+
￥3.9045 ￥4.11
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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N沟道增强型MOSFET

型号：DMTH3004LPSQ-13-HXY 编号：C49420461

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID），适用于高电流、中低压功率应用场合。导通电阻（RDON）低至3.5毫欧，显著减少导通损耗，提高整体能效。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能与可靠性，可广泛用于电源转换器、储能系统、智能家电及高性能计算设备中的开关电路设计，为高效、紧凑型电力电子系统提供有力支持。

1+
￥6.0895 ￥6.41
10+
￥4.94 ￥5.2
30+
￥4.37 ￥4.6
100+
￥3.8 ￥4
500+
￥3.458 ￥3.64
1000+
￥3.2775 ￥3.45

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：TPCA8103-VB 编号：C693181

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥8.094 ￥8.52
10+
￥6.783 ￥7.14
30+
￥6.0705 ￥6.39
100+
￥5.263 ￥5.54
500+
￥4.3605 ￥4.59
1000+
￥4.1895 ￥4.41

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:7.8A

型号：IRFPE50-JSM 编号：C7435526

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

1+
￥8.874 ￥10.44
10+
￥7.4715 ￥8.79
30+
￥6.5875 ￥7.75
90+
￥5.6865 ￥6.69
450+
￥5.2785 ￥6.21
900+
￥5.1 ￥6

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：IRFB20N50K-VB 编号：C7568887

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥15.045 ￥17.7
10+
￥12.869 ￥15.14
50+
￥10.931 ￥12.86
100+
￥9.5455 ￥11.23
500+
￥8.9165 ￥10.49
1000+
￥8.6445 ￥10.17

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:52A

型号：FDP52N20 编号：C410937

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥15.42
10+
￥13.35
30+
￥12.04
100+
￥8.57
500+
￥7.96
1000+
￥7.7

有货

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1.2kV 240A

型号：IKQ140N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003418

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备140A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率密度场景的应用需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.55V，有效降低导通状态下的能量损耗，提升整体能效表现。内部集成二极管可支持140A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.01V，具有良好的热稳定性和快速恢复能力。模块设计兼顾可靠性和兼容性，适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

1+
￥74.93
10+
￥71.53
30+
￥65.64

有货

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1.2kV 150A

型号：APT75GP120B2G-HXY 编号：C49003485

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，表现出优异的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效能电力电子系统，如智能电网、新能源转换、精密电机控制等领域，满足对效率与可靠性的高标准需求。

1+
￥113.886 ￥119.88
10+
￥108.718 ￥114.44
30+
￥99.769 ￥105.02
90+
￥91.96 ￥96.8

有货

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1.2kV 100A

型号：APT50GF120B2RG-HXY 编号：C49003483

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗并提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，确保在高频开关条件下稳定运行。该器件适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统，如智能电网、可再生能源转换及精密电机控制等领域。

1+
￥113.886 ￥119.88
10+
￥108.718 ￥114.44
30+
￥99.769 ￥105.02
90+
￥91.96 ￥96.8

有货

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耐压:20V 电流:4.2A

型号：ST2341SRG-HXY 编号：C22367045

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

ST2341SRG 是一款高效P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗及高集成度电路设计。其主要特点为工作电压VDSS高达20V，能承载4.2A连续漏极电流，展现出强大的电力管理能力。器件的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效减小功率损耗，提升整体能效。ST2341SRG MOS管凭借出色的开关性能、高电流承载力以及稳定的运行表现，广泛应用于电源转换、电池保护、便携式设备等领域，是您设计电路的理想半导体元件选择。

10+
￥0.25569 ￥0.2841
100+
￥0.20214 ￥0.2246
300+
￥0.17541 ￥0.1949
3000+
￥0.15525 ￥0.1725
6000+
￥0.13923 ￥0.1547
9000+
￥0.13113 ￥0.1457

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3A

型号：ZXMN2B14FH-HXY 编号：C22366587

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和20V的电压耐受性，内阻典型值为45mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了稳定的控制性能。适合用于要求严格的电力转换系统以及其他可靠性至关重要的场景。

10+
￥0.2807 ￥0.401
100+
￥0.2219 ￥0.317
300+
￥0.1925 ￥0.275
3000+
￥0.17045 ￥0.2435
6000+
￥0.15281 ￥0.2183
9000+
￥0.14399 ￥0.2057

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：SM3404SRL-HXY 编号：C22367327

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM3404SRL 是一款高性能N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装，适合集成到紧凑型电子设计中。其规格出众，额定电压VDSS高达30V，可持续承载5.8A的电流ID，体现强大的电力处理性能。尤其值得关注的是，器件的导通电阻RD(on)仅22mΩ，有助于大幅度减少功率损耗，提升系统能效。SM3404SRL 适用于多种应用场合，如电源转换、负载开关和低压电机驱动等，是您优化电路设计的理想半导体组件。

10+
￥0.28707 ￥0.4101
100+
￥0.22694 ￥0.3242
300+
￥0.19691 ￥0.2813
3000+
￥0.1743 ￥0.249
6000+
￥0.15631 ￥0.2233
9000+
￥0.14728 ￥0.2104

有货

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N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：HIRLML2060TRPBF 编号：C42401387

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管(MOSFET)具有3A的连续漏极电流(ID)能力和60V的漏源电压(VDSS)，适用于中等功率需求的应用。其导通电阻仅为72mΩ，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压(VGS)为20V，确保了良好的驱动兼容性。此MOSFET适合用于电源管理电路、消费电子设备中的开关控制以及各种家用电器内部的小型电机驱动等领域，是实现高效能电力转换和信号处理的理想选择。

5+
￥0.4912 ￥0.614
50+
￥0.38832 ￥0.4854
150+
￥0.33688 ￥0.4211
500+
￥0.29824 ￥0.3728
3000+
￥0.26736 ￥0.3342
6000+
￥0.25192 ￥0.3149

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5A

型号：HIRLML6346TRPBF 编号：C42401173

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续排水电流（ID），以及30V的最大漏源电压（VDSS），能够在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，使得在导通状态下电力损耗较小。此MOSFET适用于多种电子设备中作为开关或放大元件，尤其适合需要高效能转换的应用场合，如便携式电子产品中的电源管理模块，或者消费类电子产品内的信号处理单元。

5+
￥0.54624 ￥0.6828
50+
￥0.43176 ￥0.5397
150+
￥0.37456 ￥0.4682
500+
￥0.33168 ￥0.4146
3000+
￥0.29736 ￥0.3717
6000+
￥0.28016 ￥0.3502

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:15A

型号：AO4406A-HXY 编号：C22366786

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管拥有15A的电流承载能力，30V的耐压范围，以及8mΩ的典型内阻。其VGS为20V，适用于高效能电子控制系统。在多种电子设备的设计中，它能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换，确保系统运行稳定可靠。这款元器件的高性能参数使其成为电力电子领域的优选方案。

5+
￥0.638934 ￥0.7698
50+
￥0.505138 ￥0.6086
150+
￥0.438157 ￥0.5279
500+
￥0.387942 ￥0.4674
3000+
￥0.34777 ￥0.419
6000+
￥0.327684 ￥0.3948

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:20A

型号：STN4102-HXY 编号：C22366527

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装形式，专为处理大电流应用而设计。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载高达20A的连续漏极电流，体现卓越的电力传输能力。其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域，是追求高性能、高效率的理想半导体器件。

5+
￥0.64134 ￥0.7126
50+
￥0.50697 ￥0.5633
150+
￥0.43974 ￥0.4886
500+
￥0.38943 ￥0.4327
2500+
￥0.34911 ￥0.3879
5000+
￥0.32895 ￥0.3655

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：IRF7406PBF-HXY 编号：C22366824

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF7406PbF P沟道MOS管，以紧凑型SOP-8封装呈现，专为高性能电子设备打造。该器件具备出色的电气参数额定电压VDSS高达30V，连续漏极电流ID可达6A，展现出强大的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)，仅为28mΩ，大大降低了功耗并提升了系统效能，广泛适用于电源转换、电机控制等领域。凭借其卓越的稳定性和可靠性，IRF7406PbF MOS管成为您设计中的理想半导体元件选择。

5+
￥0.645216 ￥0.7332
50+
￥0.510048 ￥0.5796
150+
￥0.442464 ￥0.5028
500+
￥0.391776 ￥0.4452
3000+
￥0.351208 ￥0.3991
6000+
￥0.33088 ￥0.376

有货

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耐压:240V 电流:0.1A

型号：HBSS131H6327XTSA1 编号：C42401250

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款N沟道场效应管（MOSFET）具备240V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受高达20V的栅源电压（VGS），适用于需要高压处理的应用场景。其最大导通电阻（RDSON）为3毫欧，当栅极电流（ID）为0.1A时，确保了较低的功耗和高效的电力转换性能。该MOSFET适用于消费电子产品中的电源管理模块，如便携式设备的电池保护电路或家用电器的开关电源设计中，有助于提升系统的整体能效。

5+
￥0.67332 ￥0.724
50+
￥0.532239 ￥0.5723
150+
￥0.461745 ￥0.4965
500+
￥0.408828 ￥0.4396
3000+
￥0.366513 ￥0.3941
6000+
￥0.345309 ￥0.3713

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:40V 电流:6.5A

型号：AO4614B-HXY 编号：C22366885

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AO4614B 是一款N+P沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，适应现代电子产品的小型化需求。器件具备40V的最大工作电压VDSS，可持续输出6A的漏极电流ID，确保高效稳定的电力传输。其导通电阻RD(on)低至26mΩ，有效降低功耗并提升系统能效。AO4614B MOS管广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动控制等领域，是您实现高效率、低损耗电路设计的理想选择。

5+
￥1.05927 ￥1.2462
50+
￥0.83912 ￥0.9872
150+
￥0.74477 ￥0.8762
500+
￥0.62696 ￥0.7376
3000+
￥0.5746 ￥0.676
6000+
￥0.543065 ￥0.6389

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:50A

型号：FDD6685-HXY 编号：C22366940

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD6685 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备良好的散热性能和易于焊接的特点。该器件在30V的最大工作电压下，能承载高达50A的大电流，且拥有仅为15mΩ的低导通电阻，确保高效能、低损耗的电力传输。

5+
￥1.203048 ￥1.3671
50+
￥0.94468 ￥1.0735
150+
￥0.833976 ￥0.9477
500+
￥0.695816 ￥0.7907
2500+
￥0.634216 ￥0.7207
5000+
￥0.597344 ￥0.6788

有货

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AON6380-MS

型号：AON6380-MS 编号：C51927968

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款AON6380-MS型号MOS管，采用先进DFN5X6-8L封装技术，结构紧凑，散热性能优秀。作为一款高性能N沟道MOSFET，其具备30V的最高耐压值，以及惊人的70A连续漏极电流能力，充分展现了超强的电力处理性能。尤其引人注目的是仅有5.7mΩ的超低导通电阻，大大提升了能源效率并减少了功率损耗。广泛应用于高功率开关电源、快速充电器、电机驱动等高电流领域，是业界领先的高效能半导体器件解决方案。

5+
￥1.381965 ￥1.4547
50+
￥1.094685 ￥1.1523
150+
￥0.971565 ￥1.0227
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￥0.81795 ￥0.861
2500+
￥0.74955 ￥0.789
5000+
￥0.70851 ￥0.7458

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1个N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：CSD16411Q3-HXY 编号：C22367277

封装：DFN3X3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

CSD16411Q3 N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装工艺，小巧轻便，适用于高密度电路设计。具备30V的耐压等级（VDSS）和高达60A的连续漏极电流（ID），确保卓越的电力处理能力。其导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系统能效。此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。

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￥1.49595 ￥1.9946
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￥1.17465 ￥1.5662
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￥1.03695 ￥1.3826
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￥0.865125 ￥1.1535
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￥0.788625 ￥1.0515
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￥0.742725 ￥0.9903

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2个P沟道耐压:30V 电流:11A

型号：IRF9358PBF-HXY 编号：C22367186

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF9358PbF 型号MOS管采用行业标准SOP-8封装，内置先进2个P沟道沟道技术，为高功率应用量身定制。器件具有30V的漏源耐压(VDSS)，能可靠处理高达11A的连续漏极电流(ID)，适应高强度电流环境。其核心技术亮点是仅14mR的超低导通电阻(RD(on))，有效提升了电力传输效率，并降低了系统损耗。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、及各种大电流开关控制系统，助您实现更高效、更节能的电子设计方案。

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￥1.71395 ￥2.065
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￥1.345845 ￥1.6215
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￥1.188062 ￥1.4314
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￥0.903538 ￥1.0886
6000+
￥0.850916 ￥1.0252

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1个N沟道电流:13A

型号：AO4406A-VB 编号：C693290

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥1.85351 ￥2.1806
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￥1.471095 ￥1.7307
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￥1.307215 ￥1.5379
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￥1.10279 ￥1.2974
2500+
￥1.01167 ￥1.1902
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￥0.9571 ￥1.126

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：AON6358-HXY 编号：C22366637

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6358 N沟道MOS管采用了先进的DFN5X6-8L封装形式，小巧且功能强大。该器件具有30V的最大稳态漏源电压，可支持高达150A的连续漏极电流，充分保证了在高电压大电流条件下的可靠运行。更值得一提的是，其导通电阻仅为2mΩ，有效降低了能耗，提升了电路的工作效率。此款MOS管非常适合用于电源转换、电机驱动及其它高端电力电子应用，是您优化系统设计的理想之选。

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￥2.2527
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￥1.7689
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￥1.5615

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