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2个P沟道耐压:30V 电流:11A

型号：FDS6975-HXY 编号：C22367335

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6975 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装设计，适用于各种电子设备的高集成应用。该器件提供30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID，展现出强大的电力控制能力。其14mΩ的导通电阻RD(on)确保了在运行过程中的低功耗和高能效表现。FDS6975 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电路的理想半导体组件。

1+
￥2.0418 ￥2.46
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￥1.6268 ￥1.96
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￥1.4442 ￥1.74
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￥1.2284 ￥1.48
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￥1.1288 ￥1.36
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￥1.0707 ￥1.29

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2个N沟道耐压:60V 电流:15A

型号：IRF7351PBF-HXY 编号：C22367034

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF7351PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各种高效能电路设计。其关键特性包括承受电压VDSS高达60V，可提供高达15A的连续漏极电流，确保强劲电力处理能力。尤其独特的是，其导通电阻RD(on)仅为12mR，显著降低能耗，提升整体系统能效。IRF7351PbF MOS管凭借其卓越的开关性能、大电流承载能力和出色的稳定性，广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器系统等多元领域，是您设计高效率电子产品的理想半导体器件选择。

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￥2.6625 ￥3.55
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￥2.6025 ￥3.47
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￥2.5575 ￥3.41
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￥2.52 ￥3.36

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SIR464DP-T1-GE3-MS

型号：SIR464DP-T1-GE3-MS 编号：C51927991

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SIR464DP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的小型化与高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，显示出卓越的电力处理性能。其显著特点是仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有助于大幅度降低功耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源等领域，是您构建高效节能电路的首选半导体器件。

1+
￥2.91
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￥2.31
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￥2.05
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￥1.73
500+
￥1.58

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:10A

型号：VBA2625 编号：C416236

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥3.002 ￥3.16
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￥2.945 ￥3.1
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￥2.8975 ￥3.05
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￥2.8595 ￥3.01

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：NTF2955T1G-VB 编号：C725133

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥3.439 ￥3.62
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￥2.736 ￥2.88
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￥2.432 ￥2.56
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￥2.052 ￥2.16
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￥1.729 ￥1.82
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￥1.634 ￥1.72

有货

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N沟道增强型MOSFET

型号：DMTH3004LPSQ-13-HXY 编号：C49420461

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID），适用于高电流、中低压功率应用场合。导通电阻（RDON）低至3.5毫欧，显著减少导通损耗，提高整体能效。器件采用成熟稳定的封装工艺，具备良好的散热性能与可靠性，可广泛用于电源转换器、储能系统、智能家电及高性能计算设备中的开关电路设计，为高效、紧凑型电力电子系统提供有力支持。

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￥3.458 ￥3.64
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￥3.382 ￥3.56
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￥3.3345 ￥3.51
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￥3.2775 ￥3.45

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：ZVP2106GTA-VB 编号：C18212514

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥3.496 ￥3.68
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￥2.7835 ￥2.93
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￥2.489 ￥2.62
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￥2.109 ￥2.22
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￥1.729 ￥1.82
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￥1.634 ￥1.72

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：AOD4189-VB 编号：C709903

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥3.5615 ￥4.19
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￥2.9155 ￥3.43
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￥2.5925 ￥3.05
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￥2.2695 ￥2.67
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￥1.8445 ￥2.17
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￥1.751 ￥2.06

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：NDT2955-VB 编号：C693363

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.5625 ￥3.75
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￥2.8595 ￥3.01
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￥2.5555 ￥2.69
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￥2.1755 ￥2.29
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￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

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1个N沟道耐压:60V 电流:85A

型号：IRF3205PBF-JSM 编号：C18187875

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

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￥3.776 ￥4.72
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￥3.008 ￥3.76
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￥2.616 ￥3.27
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￥2.232 ￥2.79
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￥2 ￥2.5
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￥1.888 ￥2.36

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1个P沟道耐压:100V 电流:12A

型号：IRF9530SPBF-VB 编号：C18212600

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.1515 ￥4.37
10+
￥3.4295 ￥3.61
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.28 ￥2.4
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

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1个N沟道耐压:60V 电流:80A

型号：BSC066N06NS-HXY 编号：C7543018

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，具备卓越的功率密度和散热性能。工作电压高达60V，连续电流可达80A，特别适合应用于高效率电源转换、大电流开关控制及电池管理系统中，以紧凑设计实现强大电力驱动。

1+
￥5.84
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￥4.78
30+
￥4.25
100+
￥3.72
500+
￥3.01
1000+
￥2.85

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:7.8A

型号：IRFPE50-JSM 编号：C7435526

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

1+
￥8.874 ￥10.44
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￥7.4715 ￥8.79
30+
￥6.5875 ￥7.75
90+
￥5.6865 ￥6.69
450+
￥5.2785 ￥6.21
900+
￥5.1 ￥6

有货

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650V 90A

型号：STGWA75M65DF2-HXY 编号：C49003316

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复性能与稳定性。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、智能电网、精密电机控制等领域，满足多种高性能电力电子设备的技术需求。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
30+
￥23.883 ￥25.14
90+
￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

有货

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1.2kV 80A

型号：SPT40N120F1AT8TL-HXY 编号：C49003423

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和高电流的工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的反向恢复特性。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统，能够稳定运行于复杂电气环境中，为多种高性能电源应用提供可靠支持。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
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￥23.883 ￥25.14
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￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

有货

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650V 240A

型号：IXXX160N65B4-HXY 编号：C49003479

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有助于降低导通损耗，提高能效。内置续流二极管支持160A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，表现出良好的电流承载能力和较低的损耗特性。该模块适用于电源变换、能量管理及高效电子设备，可满足高频开关与稳定运行的设计需求。

1+
￥78.299 ￥82.42
10+
￥74.746 ￥78.68
30+
￥68.59 ￥72.2
90+
￥63.2225 ￥66.55

有货

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650V 240A

型号：IXXX160N65C4-HXY 编号：C49003478

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的续流二极管可承受160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，具备良好的电流承载与恢复性能。该器件适合应用于电源转换、能量管理及高效能电子设备中，支持高频开关操作，满足对稳定性和可靠性要求较高的电路设计需求。

1+
￥78.299 ￥82.42
10+
￥74.746 ￥78.68
30+
￥68.59 ￥72.2
90+
￥63.2225 ￥66.55

有货

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1.2kV 80A

型号：APT35GP120BG-HXY 编号：C49003441

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在高耐压条件下仍可保持较好的导通性能。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的热稳定性和反向恢复特性。适用于电源转换、智能电网设备、精密电机控制等场景，提供高效、稳定的开关表现。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

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650V 150A

型号：IXYH120N65C3-HXY 编号：C49003440

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备100A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的热稳定性和快速恢复特性。适用于电源变换、智能电网设备、高性能电机驱动等场景，提供高效、可靠的开关控制能力。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

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650V 150A

型号：IXYH120N65B3-HXY 编号：C49003439

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部二极管具备100A的正向电流（IF）能力，正向压降（Vf）为1.55V，表现出良好的反向恢复特性。该器件采用标准封装设计，适用于多种电力电子变换装置，如电源转换、智能电网设备及精密电机控制等场景，提供稳定可靠的开关性能。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

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1.2kV 80A

型号：IXGH40N120A2-HXY 编号：C49003443

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流性能与稳定性。该器件适合应用于电源转换、储能装置及高效开关电路等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计方案。

1+
￥85.4145 ￥89.91
10+
￥81.5385 ￥85.83
30+
￥74.8315 ￥78.77
90+
￥68.97 ￥72.6

有货

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1.2kV 100A

型号：APT50GT120B2RDQ2G-HXY 编号：C49003383

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可满足较高功率需求的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能有效控制能量损耗。内部集成的二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通性能。该器件适用于电力变换装置、高效电机驱动及高频电源系统等场合，为高可靠性开关应用提供技术支持。

1+
￥93.9645 ￥98.91
10+
￥89.699 ￥94.42
30+
￥82.308 ￥86.64
90+
￥75.867 ￥79.86

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3A

型号：ZXMN2B14FH-HXY 编号：C22366587

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和20V的电压耐受性，内阻典型值为45mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了稳定的控制性能。适合用于要求严格的电力转换系统以及其他可靠性至关重要的场景。

10+
￥0.15218 ￥0.2174
100+
￥0.14868 ￥0.2124
300+
￥0.1463 ￥0.209
1000+
￥0.14399 ￥0.2057

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：SM3404SRL-HXY 编号：C22367327

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM3404SRL 是一款高性能N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装，适合集成到紧凑型电子设计中。其规格出众，额定电压VDSS高达30V，可持续承载5.8A的电流ID，体现强大的电力处理性能。尤其值得关注的是，器件的导通电阻RD(on)仅22mΩ，有助于大幅度减少功率损耗，提升系统能效。SM3404SRL 适用于多种应用场合，如电源转换、负载开关和低压电机驱动等，是您优化电路设计的理想半导体组件。

10+
￥0.15568 ￥0.2224
100+
￥0.15204 ￥0.2172
300+
￥0.14966 ￥0.2138
1000+
￥0.14728 ￥0.2104

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：NDS355AN-HXY 编号：C22367355

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

NDS355AN是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为现代高集成度电子设计打造。该器件在30V的VDSS电压下运行稳定，可提供高达4A的连续漏极电流，展现强劲电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为29mΩ，极大提高了能源转换效率，降低了系统损耗。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场景，是兼顾高效能与小型化的理想半导体解决方案。

10+
￥0.174225 ￥0.2323
100+
￥0.17025 ￥0.227
300+
￥0.16755 ￥0.2234
1000+
￥0.16485 ￥0.2198

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5A

型号：HIRLML6346TRPBF 编号：C42401173

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续排水电流（ID），以及30V的最大漏源电压（VDSS），能够在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，使得在导通状态下电力损耗较小。此MOSFET适用于多种电子设备中作为开关或放大元件，尤其适合需要高效能转换的应用场合，如便携式电子产品中的电源管理模块，或者消费类电子产品内的信号处理单元。

5+
￥0.3124 ￥0.3905
50+
￥0.30552 ￥0.3819
150+
￥0.30096 ￥0.3762
500+
￥0.2964 ￥0.3705

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:15A

型号：AO4406A-HXY 编号：C22366786

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管拥有15A的电流承载能力，30V的耐压范围，以及8mΩ的典型内阻。其VGS为20V，适用于高效能电子控制系统。在多种电子设备的设计中，它能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换，确保系统运行稳定可靠。这款元器件的高性能参数使其成为电力电子领域的优选方案。

5+
￥0.346442 ￥0.4174
50+
￥0.338474 ￥0.4078
150+
￥0.333079 ￥0.4013
500+
￥0.327684 ￥0.3948

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:20A

型号：STN4102-HXY 编号：C22366527

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装形式，专为处理大电流应用而设计。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载高达20A的连续漏极电流，体现卓越的电力传输能力。其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域，是追求高性能、高效率的理想半导体器件。

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：IRF7406PBF-HXY 编号：C22366824

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF7406PbF P沟道MOS管，以紧凑型SOP-8封装呈现，专为高性能电子设备打造。该器件具备出色的电气参数额定电压VDSS高达30V，连续漏极电流ID可达6A，展现出强大的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)，仅为28mΩ，大大降低了功耗并提升了系统效能，广泛适用于电源转换、电机控制等领域。凭借其卓越的稳定性和可靠性，IRF7406PbF MOS管成为您设计中的理想半导体元件选择。

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1个N沟道耐压:100V 电流:5A

型号：Si2328DS-T1-GE3-HXY 编号：C22367049

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

Si2328DS-T1-GE3 N沟道MOSFET，采用经济高效的SOT-23-3L封装，专为要求严苛的电力应用设计。器件具备强大性能，最高工作电压VDSS达100V，连续电流承载能力高达5A，同时具有出色的100mR导通电阻，确保在高功率运行下也能保持低能耗。此款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是众多工程师设计解决方案的首选组件。

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