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1个P沟道耐压:30V 电流:15A

型号：IRF9388PBF-HXY 编号：C22366540

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF9388PbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流、低损耗应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可轻松应对18A的连续漏极电流，彰显其卓越的电力处理性能。其突出优势在于7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作状态下仍保持高效能和低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制等领域，是追求高效、节能解决方案的优选半导体元件。

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￥1.590975 ￥2.1213
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2个P沟道耐压:30V 电流:11A

型号：SI4925DDY-T1-GE3-HXY 编号：C22367334

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4925DDY-T1-GE3 是一款2个P沟道沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于现代电子设备的高效集成设计。该器件具备30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID，展示出优良的电力控制性能。其导通电阻RD(on)为14mΩ，能在有效控制功耗的同时提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理、负载开关以及其他需要高效低耗能MOS管的场合，是您实现精准控制与节能设计的理想半导体组件。

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￥1.59568 ￥1.9946
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￥0.79224 ￥0.9903

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N沟道耐压:60V 电流:40A

型号：DMT615MLFV-13-HXY 编号：C48996539

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道场效应管（MOSFET）具备40A漏极电流（ID）和60V漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至12mΩ，可在较高功率条件下实现快速开关与低损耗运行。器件采用成熟稳定的半导体工艺制造，具有良好的热性能和长期工作可靠性。适用于各类电源变换装置、高效能电池管理系统、直流电机控制以及高精度开关电路，为复杂电力环境下的稳定运行提供技术支持。

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￥1.59619 ￥1.6802
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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：AON7426-HXY 编号：C22366842

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON7426 MOS管，封装采用高效紧凑的DFN3X3-8L形式，是一款具备强大性能的N沟道功率MOSFET。具有30V的额定电压VDSS及惊人的80A连续电流ID能力，彰显出其卓越的电力处理性能。其低至4.7mΩ的导通电阻RD(on)，显著减少能量损耗并优化系统效能，尤其适合于高功率密度、要求严苛的开关电源、电机驱动及电池管理系统等应用领域，是工程师打造高性能电子设备的理想选择。

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￥1.69125 ￥2.255
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￥1.328025 ￥1.7707
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￥0.8397 ￥1.1196

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IRLR8729TRPBF-HXY

型号：IRLR8729TRPBF-HXY 编号：C53263315

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。凭借高电流承载能力和极低的导通损耗，该器件适用于对功率效率和热性能要求较高的场合，如大电流电源模块、高效DC-DC转换器、电动工具驱动电路以及高密度计算设备的供电系统，能够支持稳定且高效的电力传输与控制。

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￥1.72748 ￥1.8184
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￥1.36838 ￥1.4404
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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：NTMFS4C025N-HXY 编号：C22367292

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

NTMFS4C025N 型号N沟道MOS管采用DFN3X3-8L封装，实现小型化与高效散热，满足高密度电路板设计需求。器件额定电压VDSS为30V，具备强大的100A连续电流ID承载能力，彰显卓越的电力控制性能。其4mR的超低导通电阻，有助于大幅度提高系统能效，减少功率损耗。

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￥1.7475 ￥2.33
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￥1.3842 ￥1.8456
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￥1.228575 ￥1.6381
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￥0.94785 ￥1.2638
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￥0.89595 ￥1.1946

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耐压:60V 电流:30A

型号：HFDD5810 编号：C42401287

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道MOSFET拥有30A的导通电流（ID/A），能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。此MOSFET适用于各类电子装置中的电源管理，例如在电池充电控制、DC/DC转换器以及便携式电子产品的电源路径管理中，它能够提供可靠的开关性能。其低导通电阻有助于减少电力损耗，从而提高整体效率，并且在高频应用中表现出色。

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￥1.7552 ￥2.194
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￥1.37824 ￥1.7228
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￥1.21664 ￥1.5208
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￥0.92536 ￥1.1567
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￥0.87144 ￥1.0893

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1个P沟道耐压:30V 电流:15A

型号：FDS6673BZ-HXY 编号：C22366538

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6673BZ 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高效能、低损耗的大电流应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达18A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))显著提升了系统能效，降低了运行损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制器等领域，是高要求电子设计的理想半导体元件。

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￥1.774 ￥2.2175
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BSZ0911LSATMA1-HXY

型号：BSZ0911LSATMA1-HXY 编号：C53263389

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高的能效和较低的温升。该器件适用于对功率效率和热管理有较高要求的电子系统，例如开关电源、电池供电设备以及各类高效电能转换电路，能够提供稳定可靠的开关性能与电力传输能力。

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￥1.81963 ￥1.9154
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N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：FDMC7680-HXY 编号：C22366740

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDMC7680 是一款高性能N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，专为高密度电路板设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在苛刻条件下提供惊人的60A连续漏极电流(ID)，展现了强大的电力处理能力。更值得关注的是，其导通电阻仅为6mΩ(RD(on))，确保了在大电流传输时依然保持较低的功率损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、快速充电技术、大电流开关电路等领域，是工程师追求高效能设计的理想之选。

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￥1.8375 ￥2.45
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1个N沟道耐压:30V 电流:15A

型号：IRF7413PBF-HXY 编号：C22366891

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF7413PbF N沟道MOS管采用先进的SOP-8封装技术，小巧而高效。其核心参数出色，具备30V的最大漏源电压(VDSS)和高达15A的连续漏极电流(ID)，确保了强大的电力处理能力。导通电阻仅为8mΩ，有效降低了功耗与温升，优化系统效率。适用于各类高密度电源转换、电机驱动等电路设计，是您实现高性能电子设备的理想之选。

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￥1.845 ￥2.46
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￥1.455 ￥1.94
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￥1.2825 ￥1.71
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￥1.0725 ￥1.43
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￥0.975 ￥1.3
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￥0.9225 ￥1.23

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1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：IRF7807TRPBF-VB 编号：C18794928

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥1.84807 ￥2.1742
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￥1.46676 ￥1.7256
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￥1.30339 ￥1.5334
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￥1.099475 ￥1.2935
2500+
￥1.008695 ￥1.1867
4000+
￥0.95421 ￥1.1226

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N沟道 30V 18A

型号：AOSP32368 编号：C49420484

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优异的导通性能和快速开关特性。其漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至5mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高密度电力电子设备中的高效能控制场景，满足高性能电路设计对稳定性和效率的严苛需求。

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￥1.863425 ￥1.9615
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￥1.476015 ￥1.5537
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￥1.31005 ￥1.379
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￥1.010705 ￥1.0639
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￥0.95532 ￥1.0056

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：MDV1542-HXY 编号：C22366754

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号MDV1542 的N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装工艺，特别适合于高密度电路板布局和空间有限的应用场景。该器件具有30V的额定电压VDSS，能够稳定传输高达100A的连续电流，展现了卓越的电力处理性能。其亮点在于仅为4mΩ的超低导通电阻RD(on)，极大地提升了系统能效，降低了功耗，广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。

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￥1.875 ￥2.5
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￥1.47 ￥1.96
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￥1.2975 ￥1.73
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1000+
￥0.93 ￥1.24

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FDMS0349-HXY

型号：FDMS0349-HXY 编号：C53263137

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力，最大漏源电压（VDSS）为30V，在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至6.5mΩ。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适合高电流、高效率要求的开关应用。典型用途包括大功率电源转换、电池管理系统以及高密度电力电子模块，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。

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￥1.888695 ￥1.9881
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￥1.496155 ￥1.5749
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￥1.327815 ￥1.3977
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￥1.024385 ￥1.0783
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￥0.968335 ￥1.0193

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耐压:30V 电流:160A

型号：AOD210-HXY 编号：C22367135

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AOD210 N沟道MOS管，封装采用小型高效的TO-252-2L，专为紧凑型设计和高功率应用打造。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达150A的连续漏极电流(ID)，展现强劲电力处理能力。尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on))，有助于大幅降低系统内阻损耗，提升整体效能。广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景，是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。

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￥1.9681
50+
￥1.5454
150+
￥1.3642

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：IRFH7914PBF-HXY 编号：C22366423

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFH7914PbF N沟道MOS管采用先进的DFN5X6-8L封装，体积小巧，适用于高密度电路设计。其拥有30V的额定电压VDSS和高达70A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。特别值得一提的是，该器件具有超低的导通电阻RD(on)仅为5.7mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效。无论是电源管理还是高速开关应用，这款MOS管都能提供卓越的性能表现。

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￥2.025 ￥2.7
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￥1.59 ￥2.12
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￥1.4025 ￥1.87
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￥1.005 ￥1.34

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：BSC020N03LSG-HXY 编号：C22367515

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSC020N03LSG N沟道MOS管，采用紧凑高效的DFN5X6-8L封装，尤其适合空间有限的设计方案。具备30V的最大漏源电压，可持续提供高达150A的漏极电流，展现卓越的电力处理能力。其导通电阻低至2mΩ，确保在大电流运行状态下依然维持低功耗和高效率，广泛适用于电源转换、电机控制以及其他高电流应用场合，是您打造高性能电子系统的理想半导体元件。

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￥2.03 ￥4.06
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￥1.635 ￥3.27
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￥1.44 ￥2.88
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￥1.24 ￥2.48
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￥1.065 ￥2.13

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N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

型号：DMT4008LFV-7-HXY 编号：C48972160

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能电源管理场景，如同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用，是实现高效能电力电子设计的理想选择。

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￥2.091045 ￥2.2011
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￥1.641885 ￥1.7283
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￥1.449415 ￥1.5257
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￥1.209255 ￥1.2729
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￥1.10238 ￥1.1604
5000+
￥1.03816 ￥1.0928

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1个P沟道耐压:30V 电流:25A

型号：SI7619DN-T1-GE3-HXY 编号：C22366874

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7619DN-T1-GE3 是一款高效的P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，旨在优化空间受限的设计。器件具有30V的电压额定值VDSS，可承载高达25A的连续漏极电流ID，展示了卓越的电力处理性能。其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提高能源效率。广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。

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￥2.1 ￥2.8
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￥1.65 ￥2.2
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￥1.11 ￥1.48
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￥1.0425 ￥1.39

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A

型号：FDS8690-HXY 编号：C22366463

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS8690 N沟道MOS管采用紧凑型SOP-8封装设计，适用于对空间利用率有较高要求的电路项目。该器件具备优越的电气性能，最高工作电压VDSS为30V，连续输出电流可达18A，确保稳定可靠的电力传输。尤其值得关注的是其低至5.5mR的导通电阻，有效提升整体系统效率，降低功耗，成为高电流应用如电源转换、电机驱动等领域的优质之选。

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￥2.1375 ￥2.85
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￥1.695 ￥2.26
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￥1.095 ￥1.46

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1个N沟道耐压:60V 电流:80A

型号：AUIRFR1018E-HXY 编号：C22366667

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。

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￥2.1375 ￥2.85
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￥1.68 ￥2.24
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￥1.485 ￥1.98
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￥1.125 ￥1.5
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￥1.065 ￥1.42

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：FDMS0308AS-HXY 编号：C22366638

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDMS0308AS N沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，为现代紧凑型电路设计提供完美解决方案。该器件支持最高30V的漏源电压，能在高达150A的连续电流下稳定工作，表现出卓越的电力处理性能。其2mΩ的超低导通电阻，有效减小功率损耗，大幅提升系统效率，适用于电源转换、马达驱动等各种高电流应用场合，是工程师追求高效能电路设计的理想选择。

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￥2.156 ￥2.45
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￥1.6984 ￥1.93
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￥1.496 ￥1.7
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￥1.144 ￥1.3
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￥1.0736 ￥1.22

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：IRFR2405PBF-HXY 编号：C22366413

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFR2405PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为节省空间且热性能优良的TO-252-2L。该器件具备强大功能最大漏源耐压VDSS高达60V，可提供稳定的50A连续漏极电流，以满足严苛的电力应用需求。尤为突出的是其超低的导通电阻RD(on)仅为11mR，有效减少能量损失，提高整体系统效率。广泛应用在开关电源转换、电动机驱动、电池管理系统等领域，是工程师追求高效能、低功耗设计的理想组件。

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￥2.17 ￥3.1
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￥1.708 ￥2.44
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￥1.505 ￥2.15
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￥1.26 ￥1.8
500+
￥1.148 ￥1.64
1000+
￥1.078 ￥1.54

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1个N沟道耐压:40V 电流:60A

型号：FDD6635-HXY 编号：C22366948

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD6635 是一款强大高效的N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为处理高电流应用而设计。这款器件拥有40V的高额定电压VDSS，能稳定承载60A的连续电流ID，充分体现了其卓越的电力传输性能。尤其引人注目的是，其导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ，从而大幅降低能耗并提升系统效率。FDD6635 是适用于电源转换、电机驱动等高要求场景的理想半导体解决方案。

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双N沟道增强型MOSFET

型号：STS8DN3LLH5-HXY 编号：C49256492

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导通与高效开关操作。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低功率电源系统。17mΩ的超低导通电阻（RDON）显著减少导通损耗，提高整体效率。该器件可广泛应用于便携式电源管理、DC-DC转换电路、电池保护模块及高密度电子设备中，提供稳定可靠的电力控制性能，满足对效率与尺寸双重要求的应用场景。

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1个N沟道耐压:20V 电流:60A

型号：SI7106DN-T1-E3-HXY 编号：C22366923

封装：DFN3X3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N沟道半导体器件，采用小型化DFN3X3-8L封装技术，具有强大的电力处理能力。其特点是20V的VDSS耐压值，以及惊人的60A持续电流ID，尤其引人注目的是其超低导通电阻仅4mR，有效降低损耗，提升整体效能。这款MOS管非常适合应用于要求严苛的电源转换、大电流开关控制等场景，为您带来前所未有的能效体验。

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2个N沟道耐压:30V 电流:11.5A

型号：IRF8313PBF-HXY 编号：C22367029

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF8313PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小巧高效的SOP-8封装，适合各类空间有限且对性能要求高的应用场景。其关键特性包括VDSS耐压值高达30V，可承载11.5A的强大连续漏极电流，确保卓越的电力处理能力。尤其值得一提的是，这款MOS管具备优异的导通电阻性能，仅有10mR的RD(on)，大幅度降低了功耗并提升了系统能效。

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N沟道耐压:60V 电流:40A

型号：DMTH6016LFVWQ-13-A-HXY 编号：C48996538

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达40A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为12mΩ，具备优异的导通性能与较低的能量损耗。该器件适用于各类中高功率电源转换系统，如开关电源、逆变器、电池管理系统及直流负载控制电路等，能够实现高效、稳定的电力传输与控制，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。

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1个N沟道耐压:40V 电流:60A

型号：STD64N4F6AG-HXY 编号：C22367194

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STD64N4F6AG 是一款高功率N沟道MOSFET，封装采用TO-252-2L，适合于大电流、高效率的应用场景。它具备高达40V的漏源电压VDSS，能承载峰值电流60A，充分满足大规模电力切换与负载驱动需求。其卓越之处在于7mR的超低导通电阻RD(on)，确保了在大电流工作状态下依然维持极低的功率损耗，实现高效能运作。

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