电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

这款P沟道MOSFET具备12A的最大持续电流（ID/A），并能承受30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为10毫欧，有效降低了导通状态下的电力损耗。栅源电压（VGS/V）为20V，保证了良好的开关性能。适用于各种需要高效能和稳定性的电路设计，如日常电子设备中的电源管理模块或是消费性产品的负载保护电路。

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￥0.701433 ￥0.8451
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￥0.665494 ￥0.8018

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型号：AON7508 编号：C53262982

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.5毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。该器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理系统，如高密度直流-直流转换器、电池供电设备及大电流开关电路等场合，能够支持稳定、高效的电力传输与控制。

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型号：FDD8451-HXY 编号：C22366945

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD8451 是一款高功率N沟道MOS管，采用稳固且散热优良的TO-252-2L封装，适于大电流应用场合。其拥有40V的高额定电压VDSS及惊人的30A连续电流ID能力，充分展示了卓越的电力处理效能。此外，18mΩ的低导通电阻RD(on)设计进一步减少了电能损耗，显著提升了系统运行效率，是高端电源转换、电机驱动等领域的理想半导体解决方案。

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型号：HIPD25N06S4L30 编号：C42401337

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID），适用于要求较高电流承载能力的设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，适用于低压大电流应用环境。导通状态下的低电阻（RDSON）仅22毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。最大栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的控制信号范围。该MOSFET适用于消费电子产品中，如开关电源、LED照明驱动及电池管理系统等场合。

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型号：FDS6679AZ-HXY 编号：C22366539

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6679AZ 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高电流应用和高效能设计。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并能稳定处理18A的连续漏极电流，呈现强大的电力管理能力。其独特之处在于仅7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工况下仍能维持高效能与低热损。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电路控制等领域，是您实现高能效半导体解决方案的理想选择。

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型号：DMTH48M3SFVW-13-HXY 编号：C48972161

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能电源管理场景，如同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用，是实现高效能电力电子设计的理想选择。

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型号：CSD17304Q3-HXY 编号：C22367305

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

CSD17304Q3 型号MOS管采用前沿DFN3X3-8L封装工艺，体积小巧且散热出色。这款N沟道MOSFET具有30V的峰值电压耐受力，能安全稳定地承载高达80A的漏极电流，展现出卓越的电力传输性能。其导通电阻仅为4.7mΩ，显著增强了电路能效，减小了能量损耗。广泛适用于大电流开关电源、快速充电模块、电机驱动系统等高强度应用场景，是您构建高效、低耗能系统的理想半导体组件。

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型号：FDS8896-HXY 编号：C22366464

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS8896 是一款高性能N沟道MOS管，采用精巧的SOP-8封装形式，专为现代化电子产品的小型化需求设计。本器件凭借30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载高达18A的持续电流，展现卓越的电力处理能力。其关键亮点在于仅有5.5mR的超低导通电阻(RD(on))，有助于大幅削减系统损耗，提升效能表现，适用于电源转换、电机驱动以及各类高功率、高效率的电子应用场合。

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型号：SI4925DDY-T1-GE3-HXY 编号：C22367334

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4925DDY-T1-GE3 是一款2个P沟道沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于现代电子设备的高效集成设计。该器件具备30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID，展示出优良的电力控制性能。其导通电阻RD(on)为14mΩ，能在有效控制功耗的同时提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理、负载开关以及其他需要高效低耗能MOS管的场合，是您实现精准控制与节能设计的理想半导体组件。

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型号：DMT615MLFV-13-HXY 编号：C48996539

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道场效应管（MOSFET）具备40A漏极电流（ID）和60V漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至12mΩ，可在较高功率条件下实现快速开关与低损耗运行。器件采用成熟稳定的半导体工艺制造，具有良好的热性能和长期工作可靠性。适用于各类电源变换装置、高效能电池管理系统、直流电机控制以及高精度开关电路，为复杂电力环境下的稳定运行提供技术支持。

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型号：HDMG4511SK4 编号：C42401187

封装：TO-252-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的漏极电流（ID）处理能力，以及30V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为16毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。该MOSFET适用于最大20V的栅源电压（VGS），使其能够在广泛的电压范围内可靠工作。这种类型的MOSFET适合用于消费类电子产品中的开关和放大应用，如适配器、充电器及其他需要高效能电源管理的场景。

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型号：NTMFS4C025N-HXY 编号：C22367292

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

NTMFS4C025N 型号N沟道MOS管采用DFN3X3-8L封装，实现小型化与高效散热，满足高密度电路板设计需求。器件额定电压VDSS为30V，具备强大的100A连续电流ID承载能力，彰显卓越的电力控制性能。其4mR的超低导通电阻，有助于大幅度提高系统能效，减少功率损耗。

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型号：AON7426-HXY 编号：C22366842

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON7426 MOS管，封装采用高效紧凑的DFN3X3-8L形式，是一款具备强大性能的N沟道功率MOSFET。具有30V的额定电压VDSS及惊人的80A连续电流ID能力，彰显出其卓越的电力处理性能。其低至4.7mΩ的导通电阻RD(on)，显著减少能量损耗并优化系统效能，尤其适合于高功率密度、要求严苛的开关电源、电机驱动及电池管理系统等应用领域，是工程师打造高性能电子设备的理想选择。

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型号：SM4840PRL-HXY 编号：C22366959

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM4840PRL 是一款高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代高集成度电路设计。该器件具备40V的额定电压VDSS，以及12A的强大连续电流ID能力，展现卓越的电力处理性能。其16mΩ的导通电阻RD(on)设计，确保在工作状态下能显著降低能耗，提升系统整体能效。SM4840PRL 适用于电源转换、负载开关控制及中等电流驱动等多种应用场合，是您打造高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。

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型号：FDS6673BZ-HXY 编号：C22366538

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6673BZ 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高效能、低损耗的大电流应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达18A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))显著提升了系统能效，降低了运行损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制器等领域，是高要求电子设计的理想半导体元件。

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￥0.9316 ￥1.1645
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型号：FDMC7680-HXY 编号：C22366740

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDMC7680 是一款高性能N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，专为高密度电路板设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在苛刻条件下提供惊人的60A连续漏极电流(ID)，展现了强大的电力处理能力。更值得关注的是，其导通电阻仅为6mΩ(RD(on))，确保了在大电流传输时依然保持较低的功率损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、快速充电技术、大电流开关电路等领域，是工程师追求高效能设计的理想之选。

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￥0.9675 ￥1.29
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型号：IRF7413PBF-HXY 编号：C22366891

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF7413PbF N沟道MOS管采用先进的SOP-8封装技术，小巧而高效。其核心参数出色，具备30V的最大漏源电压(VDSS)和高达15A的连续漏极电流(ID)，确保了强大的电力处理能力。导通电阻仅为8mΩ，有效降低了功耗与温升，优化系统效率。适用于各类高密度电源转换、电机驱动等电路设计，是您实现高性能电子设备的理想之选。

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￥0.975 ￥1.3
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型号：HFDD5810 编号：C42401287

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道MOSFET拥有30A的导通电流（ID/A），能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。此MOSFET适用于各类电子装置中的电源管理，例如在电池充电控制、DC/DC转换器以及便携式电子产品的电源路径管理中，它能够提供可靠的开关性能。其低导通电阻有助于减少电力损耗，从而提高整体效率，并且在高频应用中表现出色。

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型号：MDV1542-HXY 编号：C22366754

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

型号MDV1542 的N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装工艺，特别适合于高密度电路板布局和空间有限的应用场景。该器件具有30V的额定电压VDSS，能够稳定传输高达100A的连续电流，展现了卓越的电力处理性能。其亮点在于仅为4mΩ的超低导通电阻RD(on)，极大地提升了系统能效，降低了功耗，广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。

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型号：BSZ0911LSATMA1-HXY 编号：C53263389

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高的能效和较低的温升。该器件适用于对功率效率和热管理有较高要求的电子系统，例如开关电源、电池供电设备以及各类高效电能转换电路，能够提供稳定可靠的开关性能与电力传输能力。

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型号：NDS8410A-NL-VB 编号：C18795013

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：BSO110N03MS G-VB 编号：C19190258

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：IRFH7914PBF-HXY 编号：C22366423

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFH7914PbF N沟道MOS管采用先进的DFN5X6-8L封装，体积小巧，适用于高密度电路设计。其拥有30V的额定电压VDSS和高达70A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。特别值得一提的是，该器件具有超低的导通电阻RD(on)仅为5.7mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效。无论是电源管理还是高速开关应用，这款MOS管都能提供卓越的性能表现。

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型号：FDS8690-HXY 编号：C22366463

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS8690 N沟道MOS管采用紧凑型SOP-8封装设计，适用于对空间利用率有较高要求的电路项目。该器件具备优越的电气性能，最高工作电压VDSS为30V，连续输出电流可达18A，确保稳定可靠的电力传输。尤其值得关注的是其低至5.5mR的导通电阻，有效提升整体系统效率，降低功耗，成为高电流应用如电源转换、电机驱动等领域的优质之选。

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型号：DMT4008LFV-7-HXY 编号：C48972160

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能电源管理场景，如同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用，是实现高效能电力电子设计的理想选择。

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型号：STN2610D-HXY 编号：C22366411

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

STN2610D 是一款高品质N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，适合于各种空间紧凑的设计需求。该器件具有出色的电气性能，最大漏源电压VDSS达60V，连续漏极电流ID高达50A，展现出强大的电力处理能力。尤其突出的是其低至11mR的导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗并优化能源效率，广泛适用于开关电源转换、电机驱动、LED照明等领域，是您高效能电子设计的理想选择。

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￥0.54522 ￥0.699

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型号：SI7619DN-T1-GE3-HXY 编号：C22366874

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7619DN-T1-GE3 是一款高效的P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，旨在优化空间受限的设计。器件具有30V的电压额定值VDSS，可承载高达25A的连续漏极电流ID，展示了卓越的电力处理性能。其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提高能源效率。广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。

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型号：AUIRFR1018E-HXY 编号：C22366667

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。

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型号：IRFR2405PBF-HXY 编号：C22366413

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFR2405PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为节省空间且热性能优良的TO-252-2L。该器件具备强大功能最大漏源耐压VDSS高达60V，可提供稳定的50A连续漏极电流，以满足严苛的电力应用需求。尤为突出的是其超低的导通电阻RD(on)仅为11mR，有效减少能量损失，提高整体系统效率。广泛应用在开关电源转换、电动机驱动、电池管理系统等领域，是工程师追求高效能、低功耗设计的理想组件。

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型号：FDD6635-HXY 编号：C22366948

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD6635 是一款强大高效的N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为处理高电流应用而设计。这款器件拥有40V的高额定电压VDSS，能稳定承载60A的连续电流ID，充分体现了其卓越的电力传输性能。尤其引人注目的是，其导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ，从而大幅降低能耗并提升系统效率。FDD6635 是适用于电源转换、电机驱动等高要求场景的理想半导体解决方案。

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