电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 电力晶体管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共92185件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：VBJ2658 编号：C416328

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥4.1325 ￥4.35
10+
￥3.439 ￥3.62
30+
￥3.0875 ￥3.25
100+
￥2.7455 ￥2.89
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

1个P沟道耐压:100V 电流:12A

型号：IRF9530NS-VB 编号：C4355054

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.142 ￥4.36
10+
￥3.4105 ￥3.59
30+
￥3.0495 ￥3.21
100+
￥2.28 ￥2.4
500+
￥2.071 ￥2.18
800+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：FDD4141-VB 编号：C693383

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥4.3605 ￥4.59
10+
￥3.515 ￥3.7
30+
￥3.0875 ￥3.25
100+
￥2.6695 ￥2.81
500+
￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

有货

立即购买

1个N沟道耐压:85V 电流:100A

型号：BSC057N08NS3G-HXY 编号：C22366994

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSC057N08NS3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的DFN5X6-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件能在100V的电压VDSS下稳定工作，同时支持高达85A的连续电流，展现出卓越的电力传输能力。其核心优势在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，最大限度地减少了能量损失，提升了整体能效。BSC057N08NS3G 广泛适用于电源转换、电动设备驱动、新能源系统等场景，是追求高效能与小型化的理想半导体解决方案。

1+
￥4.6816 ￥5.32
10+
￥3.7752 ￥4.29
30+
￥3.3176 ￥3.77
100+
￥2.8688 ￥3.26
500+
￥2.596 ￥2.95
1000+
￥2.4552 ￥2.79

有货

立即购买

1个P沟道耐压:60V

型号：AM4417P-T1-PF-VB 编号：C7569105

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.864 ￥5.12
10+
￥3.9615 ￥4.17
30+
￥3.5055 ￥3.69
100+
￥3.059 ￥3.22
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

有货

立即购买

1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：HM70P04K-VB 编号：C725058

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥5.1205 ￥5.39
10+
￥4.2085 ￥4.43
30+
￥3.762 ￥3.96
100+
￥3.306 ￥3.48
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

有货

立即购买

1个N沟道耐压:650V 电流:30A

型号：WGF30N65SE 编号：C17702298

封装：TO-220F

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款平面MOS, 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

1+
￥5.49 ￥6.1
10+
￥4.419 ￥4.91
50+
￥3.888 ￥4.32
100+
￥3.357 ￥3.73
500+
￥3.042 ￥3.38
1000+
￥2.871 ￥3.19

有货

立即购买

ISC080N10NM6ATMA1-HXY

型号：ISC080N10NM6ATMA1-HXY 编号：C53262890

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电力电子设备。在合理驱动条件下，可实现快速开关响应与良好的热稳定性，满足对紧凑布局和高可靠性有要求的电路设计需求。

1+
￥7.5715 ￥7.97
10+
￥6.2985 ￥6.63
30+
￥5.605 ￥5.9
100+
￥4.826 ￥5.08
500+
￥4.4745 ￥4.71
1000+
￥4.313 ￥4.54

有货

立即购买

PSMN5R0-100PS-HXY

型号：PSMN5R0-100PS-HXY 编号：C53262952

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有效减少了导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用，能够支持系统在紧凑空间内实现稳定可靠的电力控制。

1+
￥42.294 ￥44.52
10+
￥36.556 ￥38.48
50+
￥33.0505 ￥34.79
100+
￥30.1245 ￥31.71

有货

立即购买

P沟道 20V 4.2A

型号：IRLML6402GPBF-HXY 编号：C22367041

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLML6402GPbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能、低功耗应用设计。其核心特性包括最高工作电压VDSS为20V，能够处理高达4.2A的连续漏极电流，凸显卓越的电力管理性能。器件亮点是其超低的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效节省能源并提升系统效率。得益于其出色的开关速度、高电流承载能力和稳定的运行表现，IRLML6402GPbF MOS管广泛应用在电源转换、电池保护、便携式电子设备等诸多领域，是您电路设计的理想半导体元件。

10+
￥0.30432 ￥0.3804
100+
￥0.24056 ￥0.3007
300+
￥0.20864 ￥0.2608
3000+
￥0.1848 ￥0.231
6000+
￥0.16568 ￥0.2071
9000+
￥0.15608 ￥0.1951

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:4A

型号：NDS355AN-HXY 编号：C22367355

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

NDS355AN是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为现代高集成度电子设计打造。该器件在30V的VDSS电压下运行稳定，可提供高达4A的连续漏极电流，展现强劲电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为29mΩ，极大提高了能源转换效率，降低了系统损耗。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场景，是兼顾高效能与小型化的理想半导体解决方案。

10+
￥0.321375 ￥0.4285
100+
￥0.254025 ￥0.3387
300+
￥0.22035 ￥0.2938
3000+
￥0.19515 ￥0.2602
6000+
￥0.1749 ￥0.2332
9000+
￥0.16485 ￥0.2198

订货

我要订货

1个N沟道耐压:20V 电流:7A

型号：Si2342DS-T1-GE3-HXY 编号：C22366944

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

Si2342DS-T1-GE3 是一款高品质N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23封装，特别适合现代紧凑型电路设计需求。其关键特性包括额定电压VDSS高达20V，能够承载高达7A的连续电流，展现强劲的电力驱动能力。更值得一提的是，器件的导通电阻RD(on)低至15mΩ，确保在工作状态下具有极低的能量损耗与高效的能效表现，是您优化系统性能、提高能源利用率的绝佳选择。

5+
￥0.39224 ￥0.4903
50+
￥0.31008 ￥0.3876
150+
￥0.26904 ￥0.3363
500+
￥0.23816 ￥0.2977
3000+
￥0.21352 ￥0.2669
6000+
￥0.2012 ￥0.2515

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AO3418-HXY 编号：C22366950

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AO3418 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化的SOT-23-3L封装，专为高效能、节省空间的电路设计打造。该器件提供30V的额定电压VDSS和高达5.8A的连续电流ID，确保了强大的电力处理能力。导通电阻RD(on)低至24mΩ，有效降低了系统功耗，提高了整体电路效率。广泛适用于电源转换、负载切换控制及低压电机驱动等场景，AO3418 是您电路设计的理想半导体组件之一。

5+
￥0.39729 ￥0.4674
50+
￥0.314075 ￥0.3695
150+
￥0.272425 ￥0.3205
500+
￥0.24123 ￥0.2838
3000+
￥0.21624 ￥0.2544
6000+
￥0.203745 ￥0.2397

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:95A

型号：BRCS035N03ZC 编号：C22356964

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 30V 95A

5+
￥0.663
50+
￥0.579
150+
￥0.543
500+
￥0.498
2500+
￥0.478

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:12A

型号：VBZA9410 编号：C700605

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.10636 ￥1.3016
50+
￥0.97393 ￥1.1458
150+
￥0.91715 ￥1.079
500+
￥0.84626 ￥0.9956
2500+
￥0.814725 ￥0.9585
4000+
￥0.79577 ￥0.9362

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:120A

型号：SM6366ED1RL-HXY 编号：C22366625

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM6366ED1RL 型号N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装设计，兼具小型化与高效散热功能，特别适合现代高密度电子设备应用。器件拥有30V额定电压VDSS，提供高达120A连续电流ID处理能力，展现卓越的电力控制性能。其3.5mR超低导通电阻，有效提高能源效率并减少系统损耗。

5+
￥1.187238 ￥1.2766
50+
￥0.932232 ￥1.0024
150+
￥0.822957 ￥0.8849
500+
￥0.686619 ￥0.7383
2500+
￥0.62589 ￥0.673
5000+
￥0.589434 ￥0.6338

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：AON6354-HXY 编号：C22367225

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6354 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术，集小型化与高效散热于一体，特别适用于高集成度电路设计。该器件提供30V额定电压VDSS，具备高达150A连续电流ID的处理能力，展现卓越的电力传输性能。其2mR超低导通电阻，显著提升系统能效，降低功耗。

5+
￥1.2113
50+
￥0.9827
150+
￥0.8848
500+
￥0.7625
2500+
￥0.6879
5000+
￥0.6552

有货

立即购买

AON7508

型号：AON7508 编号：C53262982

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.5毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。该器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理系统，如高密度直流-直流转换器、电池供电设备及大电流开关电路等场合，能够支持稳定、高效的电力传输与控制。

5+
￥1.266825 ￥1.3335
50+
￥1.003485 ￥1.0563
150+
￥0.890625 ￥0.9375
500+
￥0.749835 ￥0.7893
2500+
￥0.687135 ￥0.7233
5000+
￥0.649515 ￥0.6837

有货

立即购买

2个N沟道耐压:30V 电流:8.5A

型号：FDS6990AS-HXY 编号：C22366606

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款FDS6990AS MOS管采用先进的N+N沟道技术，封装为SOP-8，具有小巧紧凑、易于集成的特点。其额定电压VDSS高达30V，连续电流ID可达8.5A，展现出强大的电力处理能力。尤为突出的是，其导通电阻仅为17mΩ，有效降低功耗，提高系统效率，是适用于各类高端电源转换、电机驱动等电路设计的理想之选。每一颗MOS管均经过严格质量检测，确保卓越性能与稳定表现。

5+
￥1.27653 ￥1.5018
50+
￥1.002405 ￥1.1793
150+
￥0.88485 ￥1.041
500+
￥0.738225 ￥0.8685
3000+
￥0.672945 ￥0.7917
6000+
￥0.63376 ￥0.7456

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:15A

型号：SI4427BDY-T1-E3-HXY 编号：C22366537

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4427BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高性能、低损耗应用设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达18A的连续漏极电流，突显其卓越的电流处理性能。其导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，助力实现高能效、低损耗的电力转换。广泛应用于电源管理、电机驱动、快速开关电路等场合，是追求高效率和可靠性的理想半导体组件。

5+
￥1.332375 ￥1.5675
50+
￥1.04618 ￥1.2308
150+
￥0.92361 ￥1.0866
500+
￥0.770525 ￥0.9065
3000+
￥0.70244 ￥0.8264
6000+
￥0.661555 ￥0.7783

有货

立即购买

N沟道耐压:100V 电流:30A

型号：HSTD20NF10T4 编号：C42401356

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道MOSFET具有卓越的电气特性，最大连续漏极电流ID为30A，能够处理较高的电流负载；其漏源电压VDSS达到100V，适用于需要承受一定电压水平的应用环境；导通电阻RDSON仅为35mΩ，有助于减少能量损失并提高系统效率；栅源电压VGS支持20V，提供了良好的驱动兼容性。此款场效应管非常适合于消费电子、家用电器等领域的电源控制与转换电路中，确保了高效且可靠的电力管理。

5+
￥1.46907 ￥1.6323
50+
￥1.15353 ￥1.2817
150+
￥1.01835 ￥1.1315
500+
￥0.8496 ￥0.944
2500+
￥0.77445 ￥0.8605
5000+
￥0.72936 ￥0.8104

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：IRLR024NTRPBF-HXY 编号：C22366770

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLR024NTRPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用封装TO-252-2L，专为紧凑高效电路设计打造。此款器件提供60V的额定电压VDSS，以及强大的20A连续电流ID，确保出色的电力传输性能。尤其值得注意的是，其优异的导通电阻RD(on)低至27mΩ，大大降低了系统内部功耗，提升了整体能效。是您实现电源管理、优化电路性能的理想半导体组件选择。

5+
￥1.505435 ￥1.7711
50+
￥1.182095 ￥1.3907
150+
￥1.043545 ￥1.2277
500+
￥0.870655 ￥1.0243
2500+
￥0.793645 ￥0.9337
5000+
￥0.747405 ￥0.8793

有货

立即购买

N沟道耐压:60V 电流:40A

型号：DMT6015LFV-7-HXY 编号：C48996536

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优良的导通特性和稳定的开关性能。主要参数包括：漏极电流ID为40A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。适用于电源转换、电机驱动、电池供电设备及高密度功率电路设计，支持高效、可靠的电力控制方案，是一款广泛应用于各类中高功率电子系统的理想器件。

5+
￥1.826565 ￥1.9227
50+
￥1.44685 ￥1.523
150+
￥1.284115 ￥1.3517
500+
￥1.0811 ￥1.138
2500+
￥0.99066 ￥1.0428
5000+
￥0.936415 ￥0.9857

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：IRF7413TRPBF-VB 编号：C558151

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.88462 ￥2.2172
50+
￥1.49583 ￥1.7598
150+
￥1.329145 ￥1.5637
500+
￥1.121235 ￥1.3191
2500+
￥1.02867 ￥1.2102
4000+
￥0.97308 ￥1.1448

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：IRF7811AVTRPBF-VB 编号：C6705276

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.97087 ￥2.0746
50+
￥1.5447 ￥1.626
150+
￥1.36211 ￥1.4338
500+
￥1.134205 ￥1.1939
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

立即购买

2个P沟道耐压:30V 电流:11A

型号：FDS6975-HXY 编号：C22367335

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDS6975 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装设计，适用于各种电子设备的高集成应用。该器件提供30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID，展现出强大的电力控制能力。其14mΩ的导通电阻RD(on)确保了在运行过程中的低功耗和高能效表现。FDS6975 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电路的理想半导体组件。

1+
￥2.0418 ￥2.46
10+
￥1.6268 ￥1.96
30+
￥1.4442 ￥1.74
100+
￥1.2284 ￥1.48
500+
￥1.1288 ￥1.36
1000+
￥1.0707 ￥1.29

有货

立即购买

1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IRFB3607PBF-JSM 编号：C18187973

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

1+
￥2.156 ￥2.8
10+
￥1.7325 ￥2.25
50+
￥1.5477 ￥2.01
100+
￥1.3244 ￥1.72
500+
￥1.2166 ￥1.58
1000+
￥1.155 ￥1.5

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:70A

型号：AOD66923-HXY 编号：C22367362

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET，采用高效散热的TO-252-2L封装，专为大电流、高压应用设计。该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力，能满足严苛的电力传输需求。其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，大幅度提升系统效率。

1+
￥2.6664 ￥3.03
10+
￥2.0944 ￥2.38
30+
￥1.848 ￥2.1
100+
￥1.54 ￥1.75
500+
￥1.408 ￥1.6
1000+
￥1.32 ￥1.5

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:85A

型号：IRF3205PBF-JSM 编号：C18187875

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

1+
￥2.744 ￥3.43
10+
￥2.176 ￥2.72
50+
￥2.056 ￥2.57
100+
￥1.776 ￥2.22
500+
￥1.608 ￥2.01
1000+
￥1.52 ￥1.9

有货

立即购买

SIR464DP-T1-GE3-MS

型号：SIR464DP-T1-GE3-MS 编号：C51927991

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SIR464DP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的小型化与高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，显示出卓越的电力处理性能。其显著特点是仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有助于大幅度降低功耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源等领域，是您构建高效节能电路的首选半导体器件。

1+
￥2.7645 ￥2.91
10+
￥2.1945 ￥2.31
30+
￥1.9475 ￥2.05
100+
￥1.6435 ￥1.73
500+
￥1.501 ￥1.58
1000+
￥1.425 ￥1.5

有货

立即购买

共3073页，92185条记录到页

<上一页
1
...
4
5
6
7
8
...
3073
下一页

立创商城为您提供电力晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买电力晶体管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content