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MSiRA18BDP

型号：MSiRA18BDP 编号：C51908758

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

这款MSiRA18BDPN沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用，如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等，能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。

5+
￥0.9172
50+
￥0.897
150+
￥0.8836
500+
￥0.8701

有货

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SI7106DN-T1-E3-MS

型号：SI7106DN-T1-E3-MS 编号：C51908777

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SIS410DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道，它采用DFN3X3-8L 小型化封装，提升空间利用率且强化电力处理能力；20V VDSS 耐压、60A 持续 ID 保障强性能，4mΩ 超低导通电阻有效降损耗、提效能，适配电源转换、大电流开关控制等严苛场景，带来高水准能效体验。

5+
￥1.1137
50+
￥1.0892
150+
￥1.0729
500+
￥1.0566

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:8.5A

型号：FDS6990AS-HXY 编号：C22366606

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款FDS6990AS MOS管采用先进的N+N沟道技术，封装为SOP-8，具有小巧紧凑、易于集成的特点。其额定电压VDSS高达30V，连续电流ID可达8.5A，展现出强大的电力处理能力。尤为突出的是，其导通电阻仅为17mΩ，有效降低功耗，提高系统效率，是适用于各类高端电源转换、电机驱动等电路设计的理想之选。每一颗MOS管均经过严格质量检测，确保卓越性能与稳定表现。

5+
￥1.27653 ￥1.5018
50+
￥1.002405 ￥1.1793
150+
￥0.88485 ￥1.041
500+
￥0.738225 ￥0.8685
3000+
￥0.672945 ￥0.7917
6000+
￥0.63376 ￥0.7456

有货

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N沟道耐压:40V 电流:70A

型号：SI7848BDP-T1-GE3-HXY 编号：C22366798

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7848BDP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装。其拥有40V的额定漏源电压VDSS和高达60A的连续漏极电流ID，展现出卓越的电力处理能力。导通电阻仅为6.9mΩ，有效降低功耗并提高系统能效，适用于各类高功率电子设备和电源管理应用，是您设计中的理想选择。

1+
￥1.755 ￥2.34
10+
￥1.71 ￥2.28
30+
￥1.6875 ￥2.25
100+
￥1.6575 ￥2.21

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：IRF7811AVTRPBF-VB 编号：C6705276

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.90969 ￥2.0102
50+
￥1.483615 ￥1.5617
150+
￥1.30093 ￥1.3694
500+
￥1.07312 ￥1.1296
2500+
￥0.984865 ￥1.0367
4000+
￥0.92397 ￥0.9726

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IRFB3607PBF-JSM 编号：C18187973

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

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￥1.925 ￥2.5
10+
￥1.5015 ￥1.95
50+
￥1.3167 ￥1.71
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￥1.0934 ￥1.42
500+
￥0.9856 ￥1.28
1000+
￥0.924 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:70A

型号：AOD66923-HXY 编号：C22367362

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET，采用高效散热的TO-252-2L封装，专为大电流、高压应用设计。该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力，能满足严苛的电力传输需求。其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，大幅度提升系统效率。

1+
￥2.6664 ￥3.03
10+
￥2.0944 ￥2.38
30+
￥1.848 ￥2.1
100+
￥1.54 ￥1.75
500+
￥1.408 ￥1.6
1000+
￥1.32 ￥1.5

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:4.8A

型号：IRFL9014TRPBF-VB 编号：C558160

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.9325 ￥3.45
10+
￥2.3035 ￥2.71
30+
￥2.0315 ￥2.39
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￥1.7 ￥2
500+
￥1.547 ￥1.82
1000+
￥1.462 ￥1.72

有货

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BSC0901NS-MS

型号：BSC0901NS-MS 编号：C51928004

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC0901NS-MS是一款N沟道MOS管采用小型化DFN5X6-8L封装，专为紧凑型电子设备设计。该器件支持高达30V的漏源电压（VDSS），可承载连续150A的漏极电流，凸显卓越的电力处理能力。其特色在于2mΩ的低导通电阻（RD(on)），有效减少能耗，提升系统效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场合，是您寻求高效、节能解决方案的理想半导体器件。

1+
￥3.16
10+
￥2.5
30+
￥2.22
100+
￥1.87
500+
￥1.71

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1个P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：VBQA2305 编号：C481052

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.9305 ￥5.19
10+
￥4.826 ￥5.08
30+
￥4.75 ￥5
100+
￥4.6835 ￥4.93

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：IRFB20N50K-VB 编号：C7568887

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥15.045 ￥17.7
10+
￥12.869 ￥15.14
50+
￥10.931 ￥12.86
100+
￥9.5455 ￥11.23
500+
￥8.9165 ￥10.49
1000+
￥8.6445 ￥10.17

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1个N沟道耐压:500V 电流:28A

型号：FDA28N50F 编号：C606018

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥42.86
10+
￥41.14
30+
￥32.45
90+
￥31.58

有货

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1.2kV 100A

型号：APT45GP120B2DQ2G-HXY 编号：C49003384

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于提升系统整体效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通特性与稳定性。该器件适合用于电源变换设备、高效能电机控制电路以及高频电力电子系统，满足对开关性能与耐压能力有较高要求的设计需求。

1+
￥99.655 ￥104.9
10+
￥95.133 ￥100.14
30+
￥87.2955 ￥91.89
90+
￥80.465 ￥84.7

有货

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1.2kV 100A

型号：APT50GF120B2RG-HXY 编号：C49003483

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗并提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，确保在高频开关条件下稳定运行。该器件适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统，如智能电网、可再生能源转换及精密电机控制等领域。

1+
￥113.886 ￥119.88
10+
￥108.718 ￥114.44
30+
￥99.769 ￥105.02
90+
￥91.96 ￥96.8

有货

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1.2kV 150A

型号：APT75GP120B2G-HXY 编号：C49003485

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，表现出优异的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效能电力电子系统，如智能电网、新能源转换、精密电机控制等领域，满足对效率与可靠性的高标准需求。

1+
￥113.886 ￥119.88
10+
￥108.718 ￥114.44
30+
￥99.769 ￥105.02
90+
￥91.96 ￥96.8

有货

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耐压:20V 电流:4.2A

型号：ST2341SRG-HXY 编号：C22367045

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

ST2341SRG 是一款高效P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗及高集成度电路设计。其主要特点为工作电压VDSS高达20V，能承载4.2A连续漏极电流，展现出强大的电力管理能力。器件的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效减小功率损耗，提升整体能效。ST2341SRG MOS管凭借出色的开关性能、高电流承载力以及稳定的运行表现，广泛应用于电源转换、电池保护、便携式设备等领域，是您设计电路的理想半导体元件选择。

10+
￥0.13869 ￥0.1541
100+
￥0.13545 ￥0.1505
300+
￥0.13329 ￥0.1481
1000+
￥0.13113 ￥0.1457

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:7A

型号：Si2342DS-T1-GE3-HXY 编号：C22366944

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

Si2342DS-T1-GE3 是一款高品质N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23封装，特别适合现代紧凑型电路设计需求。其关键特性包括额定电压VDSS高达20V，能够承载高达7A的连续电流，展现强劲的电力驱动能力。更值得一提的是，器件的导通电阻RD(on)低至15mΩ，确保在工作状态下具有极低的能量损耗与高效的能效表现，是您优化系统性能、提高能源利用率的绝佳选择。

5+
￥0.21272 ￥0.2659
50+
￥0.20776 ￥0.2597
150+
￥0.20448 ￥0.2556
500+
￥0.2012 ￥0.2515

有货

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耐压:240V 电流:0.1A

型号：HBSS131H6327XTSA1 编号：C42401250

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款N沟道场效应管（MOSFET）具备240V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受高达20V的栅源电压（VGS），适用于需要高压处理的应用场景。其最大导通电阻（RDSON）为3毫欧，当栅极电流（ID）为0.1A时，确保了较低的功耗和高效的电力转换性能。该MOSFET适用于消费电子产品中的电源管理模块，如便携式设备的电池保护电路或家用电器的开关电源设计中，有助于提升系统的整体能效。

5+
￥0.385113 ￥0.4141
50+
￥0.37665 ￥0.405
150+
￥0.370977 ￥0.3989
500+
￥0.365304 ￥0.3928

有货

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AON7400A-MS

型号：AON7400A-MS 编号：C51908762

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款AON7400A-MS选用DFN3X3-8L紧凑型封装，兼具高效散热与小巧体积优势，适配空间受限的设计场景。在性能上，器件额定漏源电压（VDSS）达 30V、连续电流承载能力稳定至 60A，且导通电阻（RD (on)）仅 6mΩ，可实现低损耗、高效率的电力传输。目前已广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理领域，是提升系统运行性能、优化节能效果的优选半导体元件。

5+
￥0.5896
50+
￥0.5767
150+
￥0.568

有货

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双N沟道增强型MOSFET

型号：AOSD32334C 编号：C49256491

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，确保在中功率应用中的可靠性。导通电阻RDON低至17mΩ，有助于降低功耗并提升效率。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高密度电力电子设备的设计，为电路提供高效、稳定的控制能力，适合对性能和空间布局均有要求的场景。

5+
￥0.84645 ￥0.891
50+
￥0.82783 ￥0.8714
150+
￥0.815385 ￥0.8583
500+
￥0.803035 ￥0.8453

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:12A

型号：VBZA9410 编号：C700605

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.09735 ￥1.291
50+
￥0.964835 ￥1.1351
150+
￥0.908055 ￥1.0683
500+
￥0.83725 ￥0.985
2500+
￥0.70669 ￥0.8314
4000+
￥0.687735 ￥0.8091

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:70A

型号：SUD45P03-09-GE3-HXY 编号：C22367302

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SUD45P03-09-GE3 是一款P沟道MOS管，采用高效散热的TO-252-2L封装，适用于大电流应用环境。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理70A的连续电流，体现出卓越的电力传输能力。其引人注目的特点是仅8mR的导通电阻(RD(on))，有效提升系统能效，减少功率损耗，是电源开关、电机驱动和高功率电子设备的理想组件选择。

1+
￥1.1076 ￥1.42
10+
￥1.0842 ￥1.39
30+
￥1.0686 ￥1.37
100+
￥1.0452 ￥1.34

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SI4936ADY-T1-E3-HXY 编号：C22366592

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4936ADY-T1-E3 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，专为现代电子设备设计提供高效能电流控制解决方案。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，确保强大电力传输；25mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高集成度与节能电子产品的理想MOS管选择。

5+
￥1.1656
50+
￥0.9036
150+
￥0.7912
500+
￥0.6511
3000+
￥0.5887
6000+
￥0.5512

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:15A

型号：SI4427BDY-T1-E3-HXY 编号：C22366537

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4427BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高性能、低损耗应用设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达18A的连续漏极电流，突显其卓越的电流处理性能。其导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，助力实现高能效、低损耗的电力转换。广泛应用于电源管理、电机驱动、快速开关电路等场合，是追求高效率和可靠性的理想半导体组件。

5+
￥1.332375 ￥1.5675
50+
￥1.04618 ￥1.2308
150+
￥0.92361 ￥1.0866
500+
￥0.770525 ￥0.9065
3000+
￥0.70244 ￥0.8264
6000+
￥0.661555 ￥0.7783

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：IRLR024NTRPBF-HXY 编号：C22366770

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLR024NTRPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用封装TO-252-2L，专为紧凑高效电路设计打造。此款器件提供60V的额定电压VDSS，以及强大的20A连续电流ID，确保出色的电力传输性能。尤其值得注意的是，其优异的导通电阻RD(on)低至27mΩ，大大降低了系统内部功耗，提升了整体能效。是您实现电源管理、优化电路性能的理想半导体组件选择。

5+
￥1.505435 ￥1.7711
50+
￥1.182095 ￥1.3907
150+
￥1.043545 ￥1.2277
500+
￥0.870655 ￥1.0243
2500+
￥0.793645 ￥0.9337
5000+
￥0.747405 ￥0.8793

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:15A

型号：IRF9388PBF-HXY 编号：C22366540

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF9388PbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流、低损耗应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可轻松应对18A的连续漏极电流，彰显其卓越的电力处理性能。其突出优势在于7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作状态下仍保持高效能和低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制等领域，是追求高效、节能解决方案的优选半导体元件。

5+
￥1.590975 ￥2.1213
50+
￥1.249275 ￥1.6657
150+
￥1.1028 ￥1.4704
500+
￥0.9201 ￥1.2268
3000+
￥0.838725 ￥1.1183
6000+
￥0.7899 ￥1.0532

有货

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2个P沟道耐压:30V 电流:11A

型号：IRF9358PBF-HXY 编号：C22367186

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRF9358PbF 型号MOS管采用行业标准SOP-8封装，内置先进2个P沟道沟道技术，为高功率应用量身定制。器件具有30V的漏源耐压(VDSS)，能可靠处理高达11A的连续漏极电流(ID)，适应高强度电流环境。其核心技术亮点是仅14mR的超低导通电阻(RD(on))，有效提升了电力传输效率，并降低了系统损耗。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、及各种大电流开关控制系统，助您实现更高效、更节能的电子设计方案。

5+
￥1.71395 ￥2.065
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N沟道耐压:60V 电流:40A

型号：DMT6015LFV-7-HXY 编号：C48996536

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优良的导通特性和稳定的开关性能。主要参数包括：漏极电流ID为40A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。适用于电源转换、电机驱动、电池供电设备及高密度功率电路设计，支持高效、可靠的电力控制方案，是一款广泛应用于各类中高功率电子系统的理想器件。

5+
￥1.826565 ￥1.9227
50+
￥1.44685 ￥1.523
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￥1.284115 ￥1.3517
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￥0.99066 ￥1.0428
5000+
￥0.936415 ￥0.9857

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1个N沟道电流:13A

型号：AO4406A-VB 编号：C693290

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.89907 ￥2.2342
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￥1.516655 ￥1.7843
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2500+
￥0.927265 ￥1.0909
4000+
￥0.87261 ￥1.0266

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耐压:30V 电流:160A

型号：AOD210-HXY 编号：C22367135

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AOD210 N沟道MOS管，封装采用小型高效的TO-252-2L，专为紧凑型设计和高功率应用打造。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达150A的连续漏极电流(ID)，展现强劲电力处理能力。尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on))，有助于大幅降低系统内阻损耗，提升整体效能。广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景，是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。

5+
￥1.9681
50+
￥1.5454
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￥1.3642

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