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AOD66406 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，针对大电流、高效率应用进行了优化设计。器件支持高达40V的漏源电压VDSS，可稳定承载60A连续漏极电流，满足高强度电力转换需求。其核心优势在于业界领先的7mR导通电阻RD(on)，在保证强大电流传输的同时，显著减少能量损耗，提升系统效能。

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型号：APM4828KC-TRL-VB 编号：C558096

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：BRCS060N04SZC 编号：C22435010

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 40V 60A

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型号：BRCS030N03ZC 编号：C22356965

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻用于电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关；30V 56A

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型号：DMTH43M8LPSQ-13-HXY 编号：C48972185

封装：DFN5X6-8L

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的漏极电流ID和40V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，表现出优异的导电性能与较低的功率损耗。该器件适用于高效率、大电流的开关应用，如电源转换模块、电池充放电管理、高性能计算设备供电系统以及各类便携式大功率电子装置中的电力控制环节。其低导通电阻特性有助于提升能效并改善热管理表现。

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型号：NTF2955T1G-VB 编号：C725133

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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型号：RU40L10L-VB 编号：C710058

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：IRF100S201-HXY 编号：C22367077

封装：TO-263

IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-263封装，专为大电流、高效率应用设计。器件能在100V电压下稳定工作，并支持高达260A的连续电流，尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ，有效降低功耗，大幅提升系统能效。IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。

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型号：FDPF12N60NZ 编号：C36638

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：FDB12N50TM 编号：C424482

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：HDMP3099L 编号：C42401162

封装：SOT-23

这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.1A的漏极电流（ID），适合应用于需要精确电流控制的电路中。其最大工作电压（VDSS）为30V，能够承受较高电压而不损坏。导通电阻（RDSON）为48毫欧，有助于减少电力损耗，提升电路效率。栅源电压（VGS）最高可达20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源开关、负载稳压以及信号电平转换等多种应用场景。

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型号：AO3406-HXY 编号：C22367326

封装：SOT-23-3L

AO3406 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，特别适用于有限空间内的电路布局。本器件额定电压VDSS为30V，峰值电流ID高达5.8A，展现出优越的电力驱动能力。其导通电阻RD(on)低至22mΩ，有效降低系统内阻，提升整体能效。AO3406 是电源转换、负载开关控制以及低压马达驱动等应用场合的理想半导体组件，以稳定的性能和紧凑设计满足多样化电路需求。

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型号：CSD17577Q3A-HXY 编号：C22367294

封装：DFN-8(3x3)

CSD17577Q3A 是一款N沟道MOSFET，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件在30V电压VDSS下稳定工作，能处理高达100A的连续电流，彰显强大电力传输性能。其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升整体系统效率。CSD17577Q3A 广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合，是您构建高效节能电路的理想选择。

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￥1.589 ￥2.27
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型号：AON7426-MS 编号：C51908840

封装：DFN-8L(3x3)

此款AON7426-MS场效应管，封装采用高效紧凑的DFN3X3-8L形式，是一款具备强大性能的N沟道功率MOSFET。具有30V的额定电压VDSS及惊人的80A连续电流ID能力，彰显出其卓越的电力处理性能。其低至4.7mΩ的导通电阻RD(on)，显著减少能量损耗并优化系统效能，尤其适合于高功率密度、要求严苛的开关电源、电机驱动及电池管理系统等应用领域，是工程师打造高性能电子设备的理想选择。

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型号：SUD45P03-09-GE3-HXY 编号：C22367302

封装：TO-252-2L

SUD45P03-09-GE3 是一款P沟道MOS管，采用高效散热的TO-252-2L封装，适用于大电流应用环境。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理70A的连续电流，体现出卓越的电力传输能力。其引人注目的特点是仅8mR的导通电阻(RD(on))，有效提升系统能效，减少功率损耗，是电源开关、电机驱动和高功率电子设备的理想组件选择。

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型号：SI7106DN-T1-E3-MS 编号：C51908777

封装：DFN-8L(3x3)

此款SIS410DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道，它采用DFN3X3-8L 小型化封装，提升空间利用率且强化电力处理能力；20V VDSS 耐压、60A 持续 ID 保障强性能，4mΩ 超低导通电阻有效降损耗、提效能，适配电源转换、大电流开关控制等严苛场景，带来高水准能效体验。

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型号：IRFL9014TRPBF-VB 编号：C558160

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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型号：BSC060P03NS3EGATMA1-HXY 编号：C48996503

封装：DFN5X6-8L

本款P沟道增强型场效应管（MOSFET）适用于多种高效率电源管理与功率控制电路。其最大漏极电流ID可达70A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至6mΩ，有效降低导通损耗并提升系统整体效率。器件采用先进制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于同步整流、DC-DC转换、电池供电设备及便携式电子产品中的电源模块设计，能够满足高性能电力电子应用对效率与集成度的需求。

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型号：FDD4243-VB 编号：C709958

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：AOD4185-VB 编号：C879147

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

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型号：IXYX120N120C3-HXY 编号：C49003477

封装：TO-247P

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V，有助于降低导通损耗。内部续流二极管支持140A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.01V，表现出良好的反向恢复特性。该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统，如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。

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型号：AON7400A-MS 编号：C51908762

封装：DFN-8L(3x3)

此款AON7400A-MS选用DFN3X3-8L紧凑型封装，兼具高效散热与小巧体积优势，适配空间受限的设计场景。在性能上，器件额定漏源电压（VDSS）达 30V、连续电流承载能力稳定至 60A，且导通电阻（RD (on)）仅 6mΩ，可实现低损耗、高效率的电力传输。目前已广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理领域，是提升系统运行性能、优化节能效果的优选半导体元件。

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型号：MSiRA18BDP 编号：C51908758

封装：DFN-8L(3x3)

这款MSiRA18BDPN沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压，其导通电阻仅为6mΩ，有效降低了电力传输过程中的能量损耗。支持高达±20V的栅源电压，保证了广泛的工作条件适应性。适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用，如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等，能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。

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型号：SI7619DN-T1-GE3-MS 编号：C51908783

封装：DFN-8L(3x3)

此款SI7619DN-T1-GE3-MS是一款高效的P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，旨在优化空间受限的设计。器件具有30V的电压额定值VDSS，可承载高达25A的连续漏极电流ID，展示了卓越的电力处理性能。其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提高能源效率。广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。

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型号：IRF7401TRPBF-VB 编号：C4355072

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥1.84807 ￥2.1742
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型号：SI4435DYPBF-HXY 编号：C22366868

封装：SOP-8

SI4435DYPbF 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各类电子设备。其拥有30V的额定电压VDSS和高达11A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。更值得一提的是，该器件具有低至12.5mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提升系统能效。无论是在电源管理还是电机驱动等领域，这款MOS管都能展现卓越性能，是您设计的理想选择。

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￥2.696 ￥3.37
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型号：MDD3752RH-VB 编号：C725110

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：AOD4189-VB 编号：C709903

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

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￥1.957 ￥2.06

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型号：SUD50P04-09L-E3-VB 编号：C558296

封装：TO-252