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封装：SOT-23

这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术，封装形式为SOT-23，小巧而高效。其核心参数出色，具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID，确保了卓越的电力处理能力。尤为突出的是，该器件拥有超低的导通电阻RD(on)，仅为48mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效，是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。

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￥0.223392 ￥0.2864
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￥0.176592 ￥0.2264
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￥0.153192 ￥0.1964
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￥0.121602 ￥0.1559
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￥0.114582 ￥0.1469

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型号：AO3406-HXY 编号：C22367326

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AO3406 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，特别适用于有限空间内的电路布局。本器件额定电压VDSS为30V，峰值电流ID高达5.8A，展现出优越的电力驱动能力。其导通电阻RD(on)低至22mΩ，有效降低系统内阻，提升整体能效。AO3406 是电源转换、负载开关控制以及低压马达驱动等应用场合的理想半导体组件，以稳定的性能和紧凑设计满足多样化电路需求。

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￥0.304278 ￥0.3666
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￥0.240534 ￥0.2898
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￥0.208662 ￥0.2514
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￥0.165668 ￥0.1996
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￥0.15604 ￥0.188

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型号：DMN6040SSD-HXY 编号：C22366490

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，能在60V电压下稳定工作。其内阻典型值为32mΩ，VGS为20V。适用于要求高电流、低功耗及高可靠性的应用场景，如电源管理、负载开关等。该元器件凭借出色的性能和稳定性，为各类电子设备提供可靠的电力支持。

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￥0.441975 ￥0.5325
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￥0.431434 ￥0.5198
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￥0.424462 ￥0.5114
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￥0.417407 ￥0.5029

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型号：AOD66406-HXY 编号：C22367196

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AOD66406 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，针对大电流、高效率应用进行了优化设计。器件支持高达40V的漏源电压VDSS，可稳定承载60A连续漏极电流，满足高强度电力转换需求。其核心优势在于业界领先的7mR导通电阻RD(on)，在保证强大电流传输的同时，显著减少能量损耗，提升系统效能。

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￥1.113024 ￥1.1968
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￥0.873921 ￥0.9397
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￥0.771528 ￥0.8296
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￥0.643653 ￥0.6921
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￥0.586737 ￥0.6309
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￥0.552606 ￥0.5942

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型号：AON6354-HXY 编号：C22367225

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AON6354 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术，集小型化与高效散热于一体，特别适用于高集成度电路设计。该器件提供30V额定电压VDSS，具备高达150A连续电流ID的处理能力，展现卓越的电力传输性能。其2mR超低导通电阻，显著提升系统能效，降低功耗。

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￥1.1433
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￥0.6199
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￥0.5872

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型号：BRCS060N04SZC 编号：C22435010

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 40V 60A

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￥1.3308
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￥1.1516
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￥1.0747
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￥0.9789
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￥0.9362

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型号：BRCS030N03ZC 编号：C22356965

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻用于电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关；30V 56A

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￥1.4054
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￥1.2274
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￥1.151
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￥1.0558
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￥1.0134

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型号：MDV3605URH-HXY 编号：C22367084

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

MDV3605URH P沟道MOSFET以其先进的DFN3X3-8L封装形式展现，实现小尺寸与优良散热性能的完美结合。器件核心参数优越支持高达30V的电压额定值(VDSS)，连续通过电流高达40A，且具有出色的13mΩ导通电阻(RD(on))，确保了高效的电力传输和极低的能量损耗。适用于电源转换、电机驱动等各种严苛环境下的高功率应用，是提升系统效能和节能方案的理想半导体组件。

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￥1.652024 ￥1.8773
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￥1.297208 ￥1.4741
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￥1.145144 ￥1.3013
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￥0.955416 ￥1.0857
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￥0.870936 ￥0.9897
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￥0.82016 ￥0.932

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型号：CSD17577Q3A-HXY 编号：C22367294

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

CSD17577Q3A 是一款N沟道MOSFET，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件在30V电压VDSS下稳定工作，能处理高达100A的连续电流，彰显强大电力传输性能。其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升整体系统效率。CSD17577Q3A 广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合，是您构建高效节能电路的理想选择。

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￥2.247 ￥3.21
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￥1.764 ￥2.52
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￥1.561 ￥2.23
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￥1.302 ￥1.86
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￥1.183 ￥1.69
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￥1.12 ￥1.6

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型号：DMTH43M8LPSQ-13-HXY 编号：C48972185

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的漏极电流ID和40V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，表现出优异的导电性能与较低的功率损耗。该器件适用于高效率、大电流的开关应用，如电源转换模块、电池充放电管理、高性能计算设备供电系统以及各类便携式大功率电子装置中的电力控制环节。其低导通电阻特性有助于提升能效并改善热管理表现。

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￥3.3345 ￥3.51
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￥2.641 ￥2.78
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￥2.3465 ￥2.47
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￥1.976 ￥2.08
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￥1.8145 ￥1.91
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￥1.71 ￥1.8

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型号：VBJ2658 编号：C416328

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥4.0375 ￥4.25
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￥3.344 ￥3.52
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￥2.9925 ￥3.15
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￥2.6505 ￥2.79
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￥1.976 ￥2.08
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￥1.8715 ￥1.97

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型号：FDD4141-VB 编号：C693383

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥4.3605 ￥4.59
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￥3.515 ￥3.7
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￥3.0875 ￥3.25
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￥2.6695 ￥2.81
500+
￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

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型号：FDB12N50TM 编号：C424482

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥10.3
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￥8.67
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￥7.78
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￥6.77
500+
￥5
800+
￥4.79

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型号：SM3416SRL-HXY 编号：C22367215

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SM3416SRL 是一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为紧凑型SOT-23，适合高密度电路板设计。该器件具备20V的额定电压VDSS和6A的强大连续电流ID，展现出卓越的电力管理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为14mΩ，有助于显著减少能量损耗，提升整体系统效率，是您优化电路设计、实现节能应用的理想之选。

10+
￥0.184158 ￥0.2361
100+
￥0.179868 ￥0.2306
300+
￥0.176982 ￥0.2269
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￥0.174174 ￥0.2233

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型号：IRLML6402GPBF-HXY 编号：C22367041

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLML6402GPbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能、低功耗应用设计。其核心特性包括最高工作电压VDSS为20V，能够处理高达4.2A的连续漏极电流，凸显卓越的电力管理性能。器件亮点是其超低的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效节省能源并提升系统效率。得益于其出色的开关速度、高电流承载能力和稳定的运行表现，IRLML6402GPbF MOS管广泛应用在电源转换、电池保护、便携式电子设备等诸多领域，是您电路设计的理想半导体元件。

10+
￥0.30432 ￥0.3804
100+
￥0.24056 ￥0.3007
300+
￥0.20864 ￥0.2608
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￥0.1848 ￥0.231
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￥0.16568 ￥0.2071
9000+
￥0.15608 ￥0.1951

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型号：AO3418-HXY 编号：C22366950

封装：SOT-23-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AO3418 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化的SOT-23-3L封装，专为高效能、节省空间的电路设计打造。该器件提供30V的额定电压VDSS和高达5.8A的连续电流ID，确保了强大的电力处理能力。导通电阻RD(on)低至24mΩ，有效降低了系统功耗，提高了整体电路效率。广泛适用于电源转换、负载切换控制及低压电机驱动等场景，AO3418 是您电路设计的理想半导体组件之一。

5+
￥0.39729 ￥0.4674
50+
￥0.314075 ￥0.3695
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￥0.272425 ￥0.3205
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￥0.24123 ￥0.2838
3000+
￥0.21624 ￥0.2544
6000+
￥0.203745 ￥0.2397

有货

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型号：SI7619DN-T1-GE3-MS 编号：C51908783

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SI7619DN-T1-GE3-MS是一款高效的P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，旨在优化空间受限的设计。器件具有30V的电压额定值VDSS，可承载高达25A的连续漏极电流ID，展示了卓越的电力处理性能。其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提高能源效率。广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。

5+
￥0.9827
50+
￥0.9611
150+
￥0.9467
500+
￥0.9323

有货

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型号：AON7426-MS 编号：C51908840

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款AON7426-MS场效应管，封装采用高效紧凑的DFN3X3-8L形式，是一款具备强大性能的N沟道功率MOSFET。具有30V的额定电压VDSS及惊人的80A连续电流ID能力，彰显出其卓越的电力处理性能。其低至4.7mΩ的导通电阻RD(on)，显著减少能量损耗并优化系统效能，尤其适合于高功率密度、要求严苛的开关电源、电机驱动及电池管理系统等应用领域，是工程师打造高性能电子设备的理想选择。

5+
￥0.9827
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￥0.9611
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￥0.9323

有货

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型号：MDD3752RH-VB 编号：C725110

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥3.5275 ￥4.15
10+
￥2.873 ￥3.38
30+
￥2.55 ￥3
100+
￥2.227 ￥2.62
500+
￥1.8445 ￥2.17
1000+
￥1.7425 ￥2.05

有货

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型号：SM4027PSU-VB 编号：C710080

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥3.5445 ￥4.17
10+
￥2.8985 ￥3.41
30+
￥2.5755 ￥3.03
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￥2.2525 ￥2.65
500+
￥1.836 ￥2.16
1000+
￥1.734 ￥2.04

有货

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型号：IRF9530NS-VB 编号：C4355054

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.142 ￥4.36
10+
￥3.4105 ￥3.59
30+
￥3.0495 ￥3.21
100+
￥2.28 ￥2.4
500+
￥2.071 ￥2.18
800+
￥1.957 ￥2.06

有货

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型号：AM4499P-T1-PF-VB 编号：C5878780

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.335 ￥5.1
10+
￥3.5275 ￥4.15
30+
￥3.1195 ￥3.67
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￥2.72 ￥3.2
500+
￥2.4735 ￥2.91
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￥2.3545 ￥2.77

有货

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型号：BSC057N08NS3G-HXY 编号：C22366994

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

BSC057N08NS3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的DFN5X6-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件能在100V的电压VDSS下稳定工作，同时支持高达85A的连续电流，展现出卓越的电力传输能力。其核心优势在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，最大限度地减少了能量损失，提升了整体能效。BSC057N08NS3G 广泛适用于电源转换、电动设备驱动、新能源系统等场景，是追求高效能与小型化的理想半导体解决方案。

1+
￥4.6816 ￥5.32
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￥3.7752 ￥4.29
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￥3.3176 ￥3.77
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￥2.8688 ￥3.26
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￥2.596 ￥2.95
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￥2.4552 ￥2.79

有货

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型号：AM4417P-T1-PF-VB 编号：C7569105

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.864 ￥5.12
10+
￥3.9615 ￥4.17
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￥3.5055 ￥3.69
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：TPCA8103-VB 编号：C693181

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.978 ￥5.24
10+
￥4.8735 ￥5.13
30+
￥4.807 ￥5.06
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￥4.731 ￥4.98

有货

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型号：HM70P04K-VB 编号：C725058

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥5.19
10+
￥4.23
30+
￥3.76
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￥3.28
500+
￥2.52
1000+
￥2.37

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型号：PSMN5R0-100PS-HXY 编号：C53262952

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有效减少了导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用，能够支持系统在紧凑空间内实现稳定可靠的电力控制。

1+
￥44.52
10+
￥38.48
50+
￥34.79

有货

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型号：IKQ140N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003418

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备140A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率密度场景的应用需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.55V，有效降低导通状态下的能量损耗，提升整体能效表现。内部集成二极管可支持140A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.01V，具有良好的热稳定性和快速恢复能力。模块设计兼顾可靠性和兼容性，适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

1+
￥74.93
10+
￥71.53
30+
￥65.64

有货

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型号：AON6354-MS 编号：C51908846

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款AON6354-MS场效应管为N沟道设计，采用 DFN5X6-8L 紧凑型封装，兼具小型化与高效散热优势，特别适配高集成度电路设计；30V 额定电压（VDSS）搭配 150A 连续电流（ID）处理能力，展现卓越电力传输性能，2mΩ 超低导通电阻显著提升系统能效、降低功耗，为高功率场景提供高效稳定的功率控制方案。

5+
￥0.6551
50+
￥0.6407
150+
￥0.6311
500+
￥0.6215

有货

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型号：BRCS035N03ZC 编号：C22356964

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 30V 95A

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