电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

此款AOTL66912-MS场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，以高电流承载与优异导通性能为核心优势：100V漏源击穿电压VDSS搭配350A最大漏极电流ID，可稳定应对高功率负载需求；1.4mΩ 低导通电阻RDON有效降低能量损耗，提升电能转换效率。器件采用成熟工艺设计，保障高负载条件下的稳定性与耐久性，广泛适配高效电源变换装置、储能管理系统、智能电力设备及高性能计算平台等场景，精准满足对电能转换效率与系统可靠性有高要求的应用需求。

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型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：AON7400A-HXY 编号：C22367274

封装：DFN3x3-8L

AON7400A N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，结合了高效散热与小巧体积设计。该器件性能强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V，可稳定承载60A连续电流，且导通电阻(RD(on))仅为6mΩ，确保了卓越的电力传输效率和低损耗运行。广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理场景，是提升系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。

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型号：APM4050PUC-TRL-VB 编号：C6705253

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥2.38 ￥2.8
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型号：JSM9435 编号：C917088

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用

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型号：SI4936ADY-T1-E3-HXY 编号：C22366592

封装：SOP-8

SI4936ADY-T1-E3 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，专为现代电子设备设计提供高效能电流控制解决方案。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，确保强大电力传输；25mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高集成度与节能电子产品的理想MOS管选择。

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￥1.025728 ￥1.1656
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￥0.795168 ￥0.9036
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型号：FDB28N30TM 编号：C241751

封装：D2PAK

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥4.27

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型号：FDA24N40F 编号：C898136

封装：TO-3PN

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥9.39

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型号：BSP170P 编号：C5296736

封装：SOT-223

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

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￥1.23088 ￥1.5386
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型号：FDP18N50 编号：C11768

封装：TO-220

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：AO4616-HXY 编号：C22366929

封装：SOP-8

AO4616 N+P沟道MOS管采用标准SOP-8封装，结构紧凑，适配多种应用场景。器件支持30V的最大工作电压，能承载高达7A的连续电流，具有极低的15mΩ导通电阻，确保高效能、低损耗电力传输。广泛应用于DC/DC转换、电机驱动、电源开关等电路设计，是工程师构建高性能、节能电子系统的核心元件。

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￥0.907866 ￥0.9762
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型号：VBA1210 编号：C416222

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥1.103045 ￥1.2977
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型号：AON6354-MS 编号：C51908846

封装：DFN-8L(5x6)

此款AON6354-MS场效应管为N沟道设计，采用 DFN5X6-8L 紧凑型封装，兼具小型化与高效散热优势，特别适配高集成度电路设计；30V 额定电压（VDSS）搭配 150A 连续电流（ID）处理能力，展现卓越电力传输性能，2mΩ 超低导通电阻显著提升系统能效、降低功耗，为高功率场景提供高效稳定的功率控制方案。

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型号：FDD8447L-HXY 编号：C22367193

封装：TO-252-2L

FDD8447L 是一款高性能N沟道MOS管，封装采用散热良好的TO-252-2L形式，特别适应于大电流应用场景。该器件拥有出色的耐压特性，VDSS高达40V，能安全处理高达60A的连续漏极电流，以满足高强度电力传输需求。关键优势在于其行业领先的导通电阻RD(on)，仅仅7mR，极大程度地减少了功率损耗，提升了整体系统效率。

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￥1.362225 ￥1.8163
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型号：FDD7N20TM 编号：C241784

封装：TO-252(DPAK)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥5.38
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￥3.9
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￥3.41
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￥2.99
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￥2.83

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型号：FDA24N50F 编号：C898137

封装：TO-3PN

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥25.65
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型号：XP151A13A0MR-HXY 编号：C22367246

封装：SOT-23

这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术，封装形式为SOT-23，小巧而高效。其核心参数出色，具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID，确保了卓越的电力处理能力。尤为突出的是，该器件拥有超低的导通电阻RD(on)，仅为48mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效，是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。

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￥0.223392 ￥0.2864
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型号：DMN6040SSD-HXY 编号：C22366490

封装：SOP-8

这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，能在60V电压下稳定工作。其内阻典型值为32mΩ，VGS为20V。适用于要求高电流、低功耗及高可靠性的应用场景，如电源管理、负载开关等。该元器件凭借出色的性能和稳定性，为各类电子设备提供可靠的电力支持。

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￥0.847181 ￥1.0207
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型号：AOD4184A-HXY 编号：C22367195

封装：TO-252-2L

AOD4184A 是一款高性能N沟道MOS管，采用散热优良的TO-252-2L封装，专为高电流、高效率应用设计。该器件拥有40V的高耐压VDSS，可轻松应对60A的大电流挑战，满足严苛的电力需求。其最显著特点是仅7mR的超低导通电阻RD(on)，大大降低了系统损耗。

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￥1.009536 ￥1.1472
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￥0.48972 ￥0.5565

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型号：IRF7807ATRPBF-VB 编号：C6705275

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥1.326595 ￥1.5607
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型号：MDV3605URH-HXY 编号：C22367084

封装：DFN3x3-8L

MDV3605URH P沟道MOSFET以其先进的DFN3X3-8L封装形式展现，实现小尺寸与优良散热性能的完美结合。器件核心参数优越支持高达30V的电压额定值(VDSS)，连续通过电流高达40A，且具有出色的13mΩ导通电阻(RD(on))，确保了高效的电力传输和极低的能量损耗。适用于电源转换、电机驱动等各种严苛环境下的高功率应用，是提升系统效能和节能方案的理想半导体组件。

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￥1.652024 ￥1.8773
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型号：SI7336ADP-T1-E3-MS 编号：C51928007

封装：DFN-8L(5x6)

此款SI7336ADP-T1-E3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代高集成度电子产品设计。器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，可承载高达150A的连续漏极电流(ID)，彰显其卓越的电力处理性能。导通电阻(RD(on))低至2mΩ，显著减少功率损耗，提升电路效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景，是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。

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￥5.0065 ￥5.27
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￥2.698 ￥2.84

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型号：BSC066N06NS-MS 编号：C51927960

封装：DFN-8L(5x6)

此款BSC066N06NS-MS是一款N沟道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，具备卓越的功率密度和散热性能。工作电压高达60V，连续电流可达80A，特别适合应用于高效率电源转换、大电流开关控制及电池管理系统中，以紧凑设计实现强大电力驱动。

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￥6.2035 ￥6.53
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￥5.035 ￥5.3
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型号：FDB33N25TM-JSM 编号：C19269240

封装：TO-263-2L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用

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￥7.024 ￥8.78
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型号：WGF65R099G 编号：C22369140

封装：TO-220F

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款平面MOS, 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥7.047 ￥7.83

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型号：SI2301CDS-T1-GE3-HXY 编号：C22367037

封装：SOT-23

SI2301CDS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，专为低功耗及高集成度设计。其关键特性包括工作电压VDSS高达20V，可承载2.3A连续漏极电流，提供出色的电力管理能力。导通电阻RD(on)仅为95mR，有效减少能源消耗，提升系统能效。SI2301CDS-T1-GE3 MOS管凭借卓越的开关性能、小巧封装尺寸及高稳定性，广泛应用于电源开关控制、电池保护、便携式电子设备等多元化场景，是您优化电路设计的理想半导体元件。

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￥0.06539 ￥0.1006

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型号：HIRLML6401TRPBF 编号：C41428812

封装：SOT-23