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UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥13.5
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型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：AOD4184A-HXY 编号：C22367195

封装：TO-252-2L

AOD4184A 是一款高性能N沟道MOS管，采用散热优良的TO-252-2L封装，专为高电流、高效率应用设计。该器件拥有40V的高耐压VDSS，可轻松应对60A的大电流挑战，满足严苛的电力需求。其最显著特点是仅7mR的超低导通电阻RD(on)，大大降低了系统损耗。

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￥1.032504 ￥1.1733
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型号：FDD7N20TM 编号：C241784

封装：TO-252(DPAK)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥5.38
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型号：FDA24N40F 编号：C898136

封装：TO-3PN

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：IRF7807ATRPBF-VB 编号：C6705275

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：FDB33N25TM 编号：C241752

封装：D2PAK(TO-263)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：WGF65R099G 编号：C22369140

封装：TO-220F

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款平面MOS, 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥9.108 ￥10.12
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型号：FDPF12N60NZ 编号：C36638

封装：TO-220F

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥14.02
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￥9.9
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型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥17.7
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型号：HIRLML6401TRPBF 编号：C41428812

封装：SOT-23

这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其连续电流（ID）为5安培，最大漏源电压（VDSS）为20伏特，适用于低压直流电路中的信号控制或电源管理。该器件具有45毫欧姆的导通电阻（RDON），在导通状态下的能量损耗较低，适合用于电子设备中的负载开关、电源路径管理和逻辑电平转换等应用场景，提供精确的电流调节与高效的电力传输特性。

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￥0.312015 ￥0.3355
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￥0.249519 ￥0.2683
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￥0.218271 ￥0.2347
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￥0.154752 ￥0.1664

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型号：AO4616-HXY 编号：C22366929

封装：SOP-8

AO4616 N+P沟道MOS管采用标准SOP-8封装，结构紧凑，适配多种应用场景。器件支持30V的最大工作电压，能承载高达7A的连续电流，具有极低的15mΩ导通电阻，确保高效能、低损耗电力传输。广泛应用于DC/DC转换、电机驱动、电源开关等电路设计，是工程师构建高性能、节能电子系统的核心元件。

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￥0.9021 ￥0.97
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￥0.707079 ￥0.7603
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￥0.623472 ￥0.6704
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￥0.519219 ￥0.5583
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￥0.444912 ￥0.4784

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型号：BSP170P-VB 编号：C709922

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥3.42 ￥3.6
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￥1.653 ￥1.74

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型号：FDB33N25TM-JSM 编号：C19269240

封装：TO-263-2L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用

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￥6.528 ￥8.16
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￥5.376 ￥6.72
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￥4.024 ￥5.03
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￥3.696 ￥4.62

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型号：APM4828KC-TRL-VB 编号：C558096

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥1.297355 ￥1.5263
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￥1.13832 ￥1.3392
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￥1.070235 ￥1.2591
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￥0.80257 ￥0.9442

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型号：IPD042P03L3G-HXY 编号：C22367526

封装：TO-252-2L

IPD042P03L3G 是一款高性能P沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件提供30V的额定电压VDSS，可承载高达120A的连续电流ID，彰显其卓越的电力处理能力。其独特的3.7mΩ导通电阻RD(on)设计，确保了在高电流下仍能维持极低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及大电流负载开关等场景，是您实现高功率、高效能半导体解决方案的理想选择。

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￥3.0184 ￥3.43
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￥2.4112 ￥2.74
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￥2.1032 ￥2.39
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￥1.5312 ￥1.74

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型号：FDD4243-VB 编号：C709958

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥3.6955 ￥3.89
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.6125 ￥2.75
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￥2.2515 ￥2.37
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￥1.995 ￥2.1
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￥1.8905 ￥1.99

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型号：SI7336ADP-T1-E3-MS 编号：C51928007

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SI7336ADP-T1-E3-MS是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代高集成度电子产品设计。器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，可承载高达150A的连续漏极电流(ID)，彰显其卓越的电力处理性能。导通电阻(RD(on))低至2mΩ，显著减少功率损耗，提升电路效率，广泛应用于电源转换、电机驱动等高功率场景，是您实现高效节能电路的理想半导体元件选择。

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￥5.27
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￥4.27
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￥3.78
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￥3.29

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型号：FDP18N50 编号：C11768

封装：TO-220

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥17.76
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￥15.38
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￥12.43
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￥10.9
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￥10.21
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型号：IXYX120N120C3-HXY 编号：C49003477

封装：TO-247P

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V，有助于降低导通损耗。内部续流二极管支持140A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.01V，表现出良好的反向恢复特性。该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统，如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。

1+
￥156.8355 ￥165.09
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￥149.435 ￥157.3

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型号：SI2301CDS-T1-GE3-HXY 编号：C22367037

封装：SOT-23

SI2301CDS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，专为低功耗及高集成度设计。其关键特性包括工作电压VDSS高达20V，可承载2.3A连续漏极电流，提供出色的电力管理能力。导通电阻RD(on)仅为95mR，有效减少能源消耗，提升系统能效。SI2301CDS-T1-GE3 MOS管凭借卓越的开关性能、小巧封装尺寸及高稳定性，广泛应用于电源开关控制、电池保护、便携式电子设备等多元化场景，是您优化电路设计的理想半导体元件。

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￥0.069095 ￥0.1063
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￥0.067535 ￥0.1039
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￥0.06643 ￥0.1022
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型号：IRF7413TRPBF-VB 编号：C558151

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.88462 ￥2.2172
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￥1.49583 ￥1.7598
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￥1.329145 ￥1.5637
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￥1.121235 ￥1.3191
2500+
￥1.02867 ￥1.2102
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￥0.97308 ￥1.1448

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型号：NTF2955PT1G-VB 编号：C710036

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.3535 ￥3.53
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￥2.6505 ￥2.79
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￥2.3465 ￥2.47
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￥1.976 ￥2.08
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￥1.6625 ￥1.75
1000+
￥1.558 ￥1.64

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型号：AOD4185-VB 编号：C879147

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥4.0565 ￥4.27
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￥3.3345 ￥3.51
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.6125 ￥2.75
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￥2.0995 ￥2.21
1000+
￥1.995 ￥2.1

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型号：BSC066N06NS-MS 编号：C51927960

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC066N06NS-MS是一款N沟道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，具备卓越的功率密度和散热性能。工作电压高达60V，连续电流可达80A，特别适合应用于高效率电源转换、大电流开关控制及电池管理系统中，以紧凑设计实现强大电力驱动。

1+
￥6.53
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￥5.3
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￥4.68
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￥4.07

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型号：FDP52N20 编号：C410937

封装：TO-220

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥15.88
10+
￥13.8
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￥12.5
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￥9.02
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型号：HDMP3099L 编号：C42401162

封装：SOT-23