电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SK4202-VB 编号：C20755335

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥5.7715 ￥6.79
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型号：STP80NF55-08-VB 编号：C18212440

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：CSD18533KCS-VB 编号：C2680845

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥6.194 ￥6.52
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型号：CS3205B8-VB 编号：C20755437

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥6.194 ￥6.52
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型号：K4145-VB 编号：C878790

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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型号：IRF1010EZPBF-VB 编号：C7568779

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：SUP75N06-08-VB 编号：C7568928

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：IXFR180N10-VB 编号：C20755368

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：IRFP4310ZPBF-VB 编号：C7463469

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：HUF75652G3-VB 编号：C18457638

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：FDH3632-VB 编号：C18457639

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：IRFP4410ZPBF-VB 编号：C7494551

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：RU7088R-VB 编号：C878832

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥6.76
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型号：STP60N55F3-VB 编号：C19711359

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥5.55
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型号：STW120NF10-VB 编号：C19188142

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：IRL3705ZPBF-VB 编号：C19711257

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：MTP75N05HD-VB 编号：C7524901

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：STP80NF06-VB 编号：C18212460

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：VBE16R07S 编号：C42412834

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO252；N—Channel沟道,600V；7A；RDS(ON)=650mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种电力电子应用场合。

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￥2.9325
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￥2.856

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预售商品

型号：VBE16R05S 编号：C42412731

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO252；N—Channel沟道,600V；5A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于多种电力电子应用场合。

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￥3.4425
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￥3.315
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￥3.06
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￥2.9325
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￥2.856

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预售商品

型号：VBP165R10 编号：C42412746

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单极N型场效应晶体管，适用于电力电子模块、工业自动化设备等领域和模块。

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￥17.29
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￥6.9
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￥6.67
990+
￥6.56

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型号：VBP1106 编号：C42412597

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。

1+
￥31.49
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￥12.57
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￥12.15
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￥11.94

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型号：VBP19R15S 编号：C42412794

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,900V；15A；RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型功率场效应晶体管，适用于工业电力系统、电动车充电桩等领域和模块。

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￥34.58
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￥13.8
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￥13.34
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￥13.11

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型号：IRLZ44NPBF-HXY 编号：C22367197

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

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￥2.3994 ￥2.58
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￥1.9437 ￥2.09
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￥1.2834 ￥1.38

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型号：IPD042P03L3G-HXY 编号：C22367526

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IPD042P03L3G 是一款高性能P沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件提供30V的额定电压VDSS，可承载高达120A的连续电流ID，彰显其卓越的电力处理能力。其独特的3.7mΩ导通电阻RD(on)设计，确保了在高电流下仍能维持极低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及大电流负载开关等场景，是您实现高功率、高效能半导体解决方案的理想选择。

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型号：BSP170P-VB 编号：C709922

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥1.653 ￥1.74

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型号：NTF2955PT1G-VB 编号：C710036

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥1.805 ￥1.9
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￥1.7005 ￥1.79

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型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥13.25
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￥11.11
30+
￥9.78
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￥8.41
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￥7.79
900+
￥7.52

有货

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型号：AOTL66912 编号：C48996529

封装：TOLL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流承载能力和优异的导通性能，主要参数包括：最大漏极电流ID为350A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至1.4mΩ。器件设计采用成熟工艺，确保在高负载条件下仍具有良好的稳定性和耐久性。适用于高效电源变换装置、储能管理系统、智能电力设备及高性能计算平台等场景，满足对电能转换效率与系统可靠性有较高要求的应用需求。

1+
￥11.571 ￥12.18
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￥8.778 ￥9.24
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￥7.676 ￥8.08
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￥7.182 ￥7.56
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￥6.9635 ￥7.33

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型号：FDB33N25TM 编号：C241752

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥7.47
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