电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥3.434 ￥4.04
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型号：CEM6659-VB 编号：C693144

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

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￥3.515 ￥3.7
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￥2.7835 ￥2.93
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￥1.9285 ￥2.03
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型号：IRF7343QTRPBF-VB 编号：C5878805

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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￥3.7335 ￥3.93
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￥2.071 ￥2.18
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型号：P80NF55-08-VB 编号：C878766

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥5.7715 ￥6.79
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￥4.692 ￥5.52
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￥2.788 ￥3.28

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型号：IPP80N06S2L-07-VB 编号：C725066

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥5.7715 ￥6.79
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型号：2SK3069-VB 编号：C19188261

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：IRF1010EZPBF-VB 编号：C7568779

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：SUP75N06-08-VB 编号：C7568928

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：IXFR180N10-VB 编号：C20755368

封装：TO-247AC

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥11.913 ￥12.54
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型号：IRFP4310ZPBF-VB 编号：C7463469

封装：TO-247

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥12.223 ￥14.38
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型号：HUF75652G3-VB 编号：C18457638

封装：TO-247AC

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥13.167 ￥13.86
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型号：FDH3632-VB 编号：C18457639

封装：TO-247AC

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：STP60N55F3-VB 编号：C19711359

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：STW120NF10-VB 编号：C19188142

封装：TO-247AC

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：STP80NF06-VB 编号：C18212460

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：IRL3705ZPBF-VB 编号：C19711257

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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型号：MTP75N05HD-VB 编号：C7524901

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥3.969
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￥3.528
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￥3.381
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型号：VBE16R07S 编号：C42412834

封装：TO-252

TO252；N—Channel沟道,600V；7A；RDS(ON)=650mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种电力电子应用场合。

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￥3.315
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￥2.9325
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￥2.805

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型号：VBE16R05S 编号：C42412731

封装：TO-252

TO252；N—Channel沟道,600V；5A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于多种电力电子应用场合。

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型号：VBP165R10 编号：C42412746

封装：TO-247AC

TO247；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单极N型场效应晶体管，适用于电力电子模块、工业自动化设备等领域和模块。

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￥17.29
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￥6.9
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￥6.67
990+
￥6.56

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型号：VBP1106 编号：C42412597

封装：TO-247AC

TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。

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￥31.49
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￥12.57
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￥12.15
990+
￥11.94

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型号：VBP19R15S 编号：C42412794

封装：TO-247

TO247；N—Channel沟道,900V；15A；RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型功率场效应晶体管，适用于工业电力系统、电动车充电桩等领域和模块。

1+
￥34.58
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￥13.8
510+
￥13.34
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￥13.11

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型号：IRLZ44NPBF-HXY 编号：C22367197

封装：TO-220

IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

1+
￥2.3994 ￥2.58
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￥1.9437 ￥2.09
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￥1.7019 ￥1.83
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￥1.4601 ￥1.57
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￥1.3485 ￥1.45
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￥1.2834 ￥1.38

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型号：BSP170P 编号：C5296736

封装：SOT-223

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

数据手册

5+
￥1.23088 ￥1.5386
50+
￥0.96088 ￥1.2011
150+
￥0.8452 ￥1.0565
1000+
￥0.66968 ￥0.8371
2000+
￥0.60544 ￥0.7568
5000+
￥0.5668 ￥0.7085

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型号：AOTL66912 编号：C48996529

封装：TOLL

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流承载能力和优异的导通性能，主要参数包括：最大漏极电流ID为350A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至1.4mΩ。器件设计采用成熟工艺，确保在高负载条件下仍具有良好的稳定性和耐久性。适用于高效电源变换装置、储能管理系统、智能电力设备及高性能计算平台等场景，满足对电能转换效率与系统可靠性有较高要求的应用需求。

1+
￥11.571 ￥12.18
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￥9.8515 ￥10.37
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￥8.778 ￥9.24
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￥7.676 ￥8.08
500+
￥7.182 ￥7.56
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￥6.9635 ￥7.33

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型号：IRF100S201-HXY 编号：C22367077

封装：TO-263

IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-263封装，专为大电流、高效率应用设计。器件能在100V电压下稳定工作，并支持高达260A的连续电流，尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ，有效降低功耗，大幅提升系统能效。IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。

1+
￥7.488 ￥8.32
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￥6.192 ￥6.88
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￥5.481 ￥6.09
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￥4.68 ￥5.2
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￥4.32 ￥4.8
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￥4.158 ￥4.62

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型号：FDA24N50F 编号：C898137

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥24.85
10+
￥21.13
30+
￥18.92
90+
￥16.69
450+
￥15.66
900+
￥15.19

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型号：JSM9435 编号：C917088

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用

数据手册

10+
￥0.2276 ￥0.2845
100+
￥0.18152 ￥0.2269
300+
￥0.15848 ￥0.1981
3000+
￥0.12544 ￥0.1568
6000+
￥0.1116 ￥0.1395
12000+
￥0.10464 ￥0.1308

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型号：AON7400A-HXY 编号：C22367274

封装：DFN3x3-8L