电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RF1S630SM-VB 编号：C20755390

封装：TO-263(D2PAK)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.3072

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型号：VBL1203M 编号：C480984

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

10+
￥2.889
100+
￥2.782
200+
￥2.568
1000+
￥2.461
2000+
￥2.3968

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型号：STP413D-VB 编号：C878902

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

10+
￥2.3895
100+
￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.9824

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型号：IRF610PBF-VB 编号：C6705268

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

10+
￥1.9845
100+
￥1.911
200+
￥1.764
1000+
￥1.6905
2000+
￥1.6464

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型号：N3PF06-VB 编号：C693255

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

10+
￥1.9845
100+
￥1.911
200+
￥1.764
1000+
￥1.6905
2000+
￥1.6464

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型号：P1504EDG-VB 编号：C878962

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

10+
￥2.3895
100+
￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.9824

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型号：STD45P4LLF6AG-VB 编号：C45662555

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。

10+
￥2.3895
100+
￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.9824

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型号：SIR882DP-VB 编号：C20626336

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.695
50+
￥6.18
100+
￥6.077
500+
￥5.871
1000+
￥5.768

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型号：SIR846DP-T1-GE3-VB 编号：C20626297

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.695
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￥6.18
100+
￥6.077
500+
￥5.871
1000+
￥5.768

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型号：ISC060N10NM6ATMA1-VB 编号：C45662519

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。

1+
￥6.695
50+
￥6.18
100+
￥6.077
500+
￥5.871
1000+
￥5.768

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型号：SIR870DP-T1-GE3-VB 编号：C7525098

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.695
50+
￥6.18
100+
￥6.077
500+
￥5.871
1000+
￥5.768

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型号：FDP18N50-VB 编号：C20626307

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

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型号：VBQA1105 编号：C42412581

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。

1+
￥6.695
50+
￥6.18
100+
￥6.077
500+
￥5.871
1000+
￥5.768

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型号：IRFP150PBF-VB 编号：C20755363

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥7.17
10+
￥7
30+
￥6.88
90+
￥6.77

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型号：STF40NF20-VB 编号：C7463507

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥9.555
50+
￥8.82
100+
￥8.673
500+
￥8.379
1000+
￥8.232

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型号：IPA65R190CFD-VB 编号：C20417701

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

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型号：IPA60R190C6-VB 编号：C7463579

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

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型号：STF24N60M2-VB 编号：C7463584

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥11.024
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￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

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型号：SIHF18N50D-E3-VB 编号：C7494636

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

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型号：30NM90L-T47-T 编号：C5310406

封装：TO-247

品牌：UTC(友顺)

UTC 30NM90-Q 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。

数据手册

1+
￥17.86
10+
￥15.2
30+
￥13.53
90+
￥11.82
360+
￥11.05
1080+
￥10.71

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型号：FDPF18N20FT 编号：C899161

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

单价：
￥4.92024 / 个

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型号：4N90CL-TF3-T 编号：C5310389

封装：TO-220F

品牌：UTC(友顺)

UTC 4N90C 是一款功率 MOSFET 结构器件，其设计旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.29
50+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

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型号：24NM65G-TF1-T 编号：C5310400

封装：TO-220F1

品牌：UTC(友顺)

24NM65是一款超结MOSFET结构器件，旨在具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电力应用的AC - DC转换器中。

数据手册

1+
￥9.66
10+
￥7.97
50+
￥7.04
100+
￥5.99
500+
￥5.53
1000+
￥5.32

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型号：FDPF33N25T 编号：C124438

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

单价：
￥7.56768 / 个

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型号：FDPF18N50T 编号：C348536

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

单价：
￥12.48984 / 个

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型号：FDD18N20LZ 编号：C903557

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

单价：
￥5.6772 / 个

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型号：FDB52N20TM 编号：C605011

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

800+
￥7.77
1600+
￥7.7
2400+
￥7.63

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型号：FDB15N50 编号：C605009

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

单价：
￥13.45212 / 个

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型号：FDB38N30U 编号：C898561

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有卓越的体二极管逆向恢复性能。其 trr 小于 50nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，需要 MOSFET 体二极管性能提高的某些应用中，UniFET Ultra FRFET MOSFET 可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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单价：
￥11.18784 / 个

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预售商品

型号：FS10ASJ-06F-JSM 编号：C18190781

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电力转换器应用。

1+
￥0.780216
500+
￥0.76038
5000+
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