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封装：DFN-8(5x6)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。

1+
￥6.695
50+
￥6.18
100+
￥5.9225
500+
￥5.768
1000+
￥5.665

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型号：IRFP150PBF-VB 编号：C20755363

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥7.17
10+
￥7
30+
￥6.88
90+
￥6.77

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型号：STF40NF20-VB 编号：C7463507

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥9.555
50+
￥8.82
100+
￥8.4525
500+
￥8.232
1000+
￥8.085

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型号：IPA65R190CFD-VB 编号：C20417701

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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￥11.024
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￥10.176
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￥9.752
500+
￥9.4976
1000+
￥9.328

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型号：IPA60R190C6-VB 编号：C7463579

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥11.024
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￥10.176
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￥9.752
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￥9.4976
1000+
￥9.328

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型号：STF24N60M2-VB 编号：C7463584

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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￥11.024
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￥10.176
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￥9.752
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￥9.4976
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￥9.328

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型号：SIHF18N50D-E3-VB 编号：C7494636

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥9.752
500+
￥9.4976
1000+
￥9.328

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型号：24NM65G-TF1-T 编号：C5310400

封装：TO-220F1

品牌：UTC(友顺)

24NM65是一款超结MOSFET结构器件，旨在具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电力应用的AC - DC转换器中。

数据手册

1+
￥9.66
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￥7.97
50+
￥7.04
100+
￥5.99
500+
￥5.53
1000+
￥5.32

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型号：FDPF18N20FT 编号：C899161

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

2000+
￥4.551222
4000+
￥4.51022
6000+
￥4.428216

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型号：FDPF33N25T 编号：C124438

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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2000+
￥6.93704
4000+
￥6.873976
6000+
￥6.810912

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型号：4N90CL-TF3-T 编号：C5310389

封装：TO-220F

品牌：UTC(友顺)

UTC 4N90C 是一款功率 MOSFET 结构器件，其设计旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.29
50+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

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型号：FDPF18N50T 编号：C348536

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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单价：
￥11.240856 / 个

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型号：FDD18N20LZ 编号：C903557

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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2500+
￥5.25141
5000+
￥5.2041
7500+
￥5.10948

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型号：FDB52N20TM 编号：C605011

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1600+
￥7.32127
3200+
￥7.254713
4800+
￥7.188156

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型号：FDB15N50 编号：C605009

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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单价：
￥12.106908 / 个

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型号：FDB38N30U 编号：C898561

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有卓越的体二极管逆向恢复性能。其 trr 小于 50nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，需要 MOSFET 体二极管性能提高的某些应用中，UniFET Ultra FRFET MOSFET 可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1600+
￥10.25552
3200+
￥10.162288
4800+
￥10.069056

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型号：FDL100N50F 编号：C2840585

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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