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1个P沟道耐压:30V 电流:4.9A

型号：FDC610PZ 编号：C241761

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

1+
￥1.27
10+
￥1.24
30+
￥1.21

有货

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1个N沟道电流:13A

型号：AO4408-VB 编号：C709888

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.9968

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1个P沟道耐压:60V 电流:8A

型号：AP9579GM-HF-VB 编号：C7463680

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.72
10+
￥2.65
30+
￥2.61
100+
￥2.57

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:65A

型号：VBZE50P04 编号：C700652

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥4.31
10+
￥3.55
30+
￥3.16
100+
￥2.78
500+
￥2.18
1000+
￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：IRF610SPBF-VB 编号：C20626375

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥4.57
10+
￥3.68
50+
￥3.24
100+
￥2.79
500+
￥2.53
1000+
￥2.39

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1个N沟道耐压:250V 电流:44A

型号：FDB44N25TM 编号：C125737

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥10.09
10+
￥8.39
30+
￥7.45

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:34A 180A

型号：IRF6715MTRPBF 编号：C537795

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6715MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFETTM 封装相结合，在具有 SO - 8 封装尺寸且厚度仅为 0.6 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大化电力系统中的热传递，将先前的最佳热阻降低 80%

数据手册

1+
￥13.2411 ￥19.19
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￥11.0743 ￥18.77
30+
￥9.0601 ￥18.49
100+
￥8.9229 ￥18.21

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：FQPF20N60C-VB 编号：C7525073

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥16.61
10+
￥14.06
50+
￥12.46
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￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：STP20NM50FD-VB 编号：C20626366

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.61
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￥14.06
50+
￥12.46
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￥10.82
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￥10.08
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￥9.76

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：SPA20N65C3 TK20A60U-VB 编号：C19632201

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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￥16.61
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￥14.06
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￥9.76

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：FQP20N60C-VB 编号：C19190228

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥16.61
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￥14.06
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￥12.46
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￥10.82
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￥10.08
1000+
￥9.76

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1个N沟道耐压:650V

型号：FDPF20N50FT-VB 编号：C7569001

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥17.7
10+
￥15.15
50+
￥12.46
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￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

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1个N沟道耐压:650V

型号：SPP20N60C3-VB 编号：C7568837

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥17.7
10+
￥15.15
50+
￥12.46
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￥10.82
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￥10.08
1000+
￥9.76

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1个N沟道耐压:20V 电流:13A

型号：IRF7201TRPBF-VB 编号：C7429011

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥2.1742
50+
￥1.7256
150+
￥1.5334
500+
￥1.2935
2500+
￥1.1867
4000+
￥1.1226

有货

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1个N沟道电流:13A

型号：NDS9410A-NL-VB 编号：C5878830

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥2.2491
50+
￥1.7779
150+
￥1.5759
500+
￥1.324
2500+
￥1.2118
4000+
￥1.1444

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：BRCS020N03ZC 编号：C22448993

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻；无卤产品电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 30V 150A

5+
￥2.255
50+
￥1.7707
150+
￥1.5631

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:46A

型号：BRCS150N10SZC 编号：C22448997

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻。无卤产品电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 100V 46A

5+
￥2.3208
50+
￥1.8223
150+
￥1.6087

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:13A

型号：MTB11N03Q8-VB 编号：C878922

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥1.94
30+
￥1.72
100+
￥1.45
500+
￥1.32
1000+
￥1.25

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1个N沟道耐压:500V 电流:4A

型号：FDD5N50NZTM 编号：C903576

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥3.36
30+
￥3.31
100+
￥3.25

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.5A

型号：FDC638P 编号：C241772

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.93
30+
￥2.56
100+
￥2.19

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1个P沟道耐压:40V

型号：SQD50P04-09L-GE3-VB 编号：C7568922

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥3.93
10+
￥3.16
30+
￥2.78
100+
￥2.4
500+
￥2.18
1000+
￥2.06

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1个N沟道耐压:80V 电流:195A

型号：BRCS035N08SHRA 编号：C22449014

封装：TO-220

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-220 塑封封装 N 沟道场效应管低电阻,开关速度快 BMS 设备，大功率逆变器系统，电力设备 80V 195A

1+
￥4.7
10+
￥3.79
30+
￥3.33

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：AUIRFR5410TRR-VB 编号：C20755470

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥5.24
10+
￥4.22
30+
￥3.71
100+
￥3.2
500+
￥2.9
1000+
￥2.74

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:6.2A

型号：FDD7N25LZTM 编号：C903583

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥7.43
10+
￥6.21
30+
￥5.55
100+
￥4.79

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：FB18N50K-VB 编号：C20417708

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥16.61
10+
￥14.06
50+
￥12.46
100+
￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：IRFB18N50KPBF-VB 编号：C19632198

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.61
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￥12.46
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￥9.76

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：LSC20N65F-VB 编号：C19632137

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥16.61
10+
￥14.06
50+
￥12.46
100+
￥10.82
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￥10.08
1000+
￥9.76

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：IPP60R165CP-VB 编号：C7525008

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥16.76
10+
￥14.2
50+
￥12.46
100+
￥10.82
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￥10.08
1000+
￥9.76

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N沟道耐压:500V 电流:25A

型号：VBP15R25S 编号：C42412804

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,500V；25A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术高电压单N沟道MOSFET，适用于电源转换系统、工业电力控制等领域和模块。

1+
￥19.58
10+
￥16.74
30+
￥15.05
90+
￥13.34
510+
￥12.56
990+
￥12.2

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N沟道耐压:650V 电流:47A

型号：VBP165R47S 编号：C42412831

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,700V；47A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款高性能单极性N型功率半导体器件，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种电力控制和转换应用。

1+
￥34.74
10+
￥29.85
30+
￥26.87
90+
￥24.37

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降低成本

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