电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDC610PZ 编号：C241761

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

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型号：SQD50P04-09L-GE3-VB 编号：C7568922

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：VBZE50P04 编号：C700652

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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型号：FDD5N50NZTM 编号：C903576

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：TPCA8109-VB 编号：C2680866

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：IRF6715MTRPBF 编号：C537795

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6715MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFETTM 封装相结合，在具有 SO - 8 封装尺寸且厚度仅为 0.6 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大化电力系统中的热传递，将先前的最佳热阻降低 80%

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型号：STP20NM60FP-VB 编号：C20755102

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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型号：30NM90L-T47-T 编号：C5310406

封装：TO-247

品牌：UTC(友顺)

UTC 30NM90-Q 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。

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型号：IRF6726MTRPBF 编号：C537800

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6726MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFETTM 封装相结合，在具有 MICRO - 8 封装尺寸且高度仅为 0.7 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前最佳的热阻降低了 80%

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￥21.6891 ￥24.93
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型号：IRF6613TRPBF 编号：C537782

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6613PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前最佳的热阻降低了80%

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型号：BRCS020N03ZC 编号：C22448993

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻；无卤产品电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 30V 150A

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型号：BRCS150N10SZC 编号：C22448997

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻。无卤产品电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 100V 46A

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型号：MTB11N03Q8-VB 编号：C878922

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：BSP171P-VB 编号：C7428941

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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型号：FQB8P10-VB 编号：C20755025

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.18
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型号：AO4420-VB 编号：C724960

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥2.3433
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型号：BRCS035N08SHRA 编号：C22449014

封装：TO-220

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-220 塑封封装 N 沟道场效应管低电阻,开关速度快 BMS 设备，大功率逆变器系统，电力设备 80V 195A

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型号：AUIRFR5410TRR-VB 编号：C20755470

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥5.24
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型号：FB18N50K-VB 编号：C20417708

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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型号：LSC20N65F-VB 编号：C19632137

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥9.92
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型号：STP24N60DM2-VB 编号：C19632042

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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型号：IPA60R199CP-VB 编号：C19632123

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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型号：VBP15R25S 编号：C42412804

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,500V；25A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术高电压单N沟道MOSFET，适用于电源转换系统、工业电力控制等领域和模块。

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型号：VBP165R47S 编号：C42412831

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,700V；47A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款高性能单极性N型功率半导体器件，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种电力控制和转换应用。

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￥25.8
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型号：FDD7N25LZTM 编号：C903583

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥13.08
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￥11.18
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型号：AP9T16AGH-HF 编号：C380192

封装：TO-252

品牌：APEC(富鼎)

AP9T16A系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电力应用。TO - 252封装在所有采用红外回流技术的商业和工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用

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￥0.8068
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型号：11NM70G-TN3-R 编号：C696252

封装：TO-252

品牌：UTC(友顺)

UTC 11NM70 采用超级结 MOSFET 结构，具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低以及出色的雪崩耐量特性。这款功率 MOSFET 通常用于直流 - 直流、交流 - 直流转换器等电力应用领域。

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￥4.59
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￥3.63
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￥3.15

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型号：IRF6620TRPBF 编号：C537785

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6620PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在尺寸与SO - 8相同、高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统的热传递效率，将此前最佳的热阻降低了80%

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型号：FDD6685-HXY 编号：C22366940

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

FDD6685 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备良好的散热性能和易于焊接的特点。该器件在30V的最大工作电压下，能承载高达50A的大电流，且拥有仅为15mΩ的低导通电阻，确保高效能、低损耗的电力传输。

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型号：SUD50P04-09L-E3-VB 编号：C558296

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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