电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

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型号：VB2103K 编号：C480920

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率和小封装体积要求的电子模块中，为各种便携式和低功耗设备提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT23-3；P—Channel沟道,-100V；-0.3A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.6V；

数据手册

50+
￥0.7965
500+
￥0.7375
1000+
￥0.708
5000+
￥0.6785
10000+
￥0.649

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型号：CET6861-VB 编号：C18795058

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

10+
￥1.9845
100+
￥1.911
200+
￥1.764
1000+
￥1.6905
2000+
￥1.617

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型号：IRF610SPBF-VB 编号：C20626375

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.266

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型号：VBA1210 编号：C416222

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

50+
￥0.999
500+
￥0.925
1000+
￥0.888
5000+
￥0.851
10000+
￥0.814

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型号：APM4050PUC-TRL-VB 编号：C6705253

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

10+
￥2.3895
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￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.947

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型号：P1504EDG-VB 编号：C878962

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

10+
￥2.3895
100+
￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.947

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型号：AP9579GM-HF-VB 编号：C7463680

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥2.9835
100+
￥2.873
200+
￥2.652
1000+
￥2.5415
2000+
￥2.431

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型号：SIR882DP-VB 编号：C20626336

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.695
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￥6.18
100+
￥5.9225
500+
￥5.768
1000+
￥5.665

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型号：SPA20N65C3 TK20A60U-VB 编号：C19632201

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥9.752
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￥9.4976
1000+
￥9.328

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型号：VBQA1105 编号：C42412581

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。

1+
￥6.695
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￥6.18
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￥5.9225
500+
￥5.768
1000+
￥5.665

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型号：TPC8030-VB 编号：C2680906

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

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型号：SUD50P04-23-GE3-VB 编号：C19632172

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

10+
￥2.3895
100+
￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.947

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型号：VBL1203M 编号：C480984

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

10+
￥2.889
100+
￥2.782
200+
￥2.568
1000+
￥2.461
2000+
￥2.354

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型号：FDP18N50-VB 编号：C20626307

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥9.752
500+
￥9.4976
1000+
￥9.328

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型号：SI4410DYTRPBF-VB 编号：C7568941

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

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型号：FDS4410-NL-VB 编号：C20417449

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
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￥1.0235
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￥0.979

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型号：DMN3031LSS-13-VB 编号：C7568990

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
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￥1.068
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￥0.979

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型号：RSS100N03TB-VB 编号：C5441237

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

50+
￥1.2015
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￥1.1125
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￥1.068
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￥1.0235
10000+
￥0.979

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型号：RRS130N03-TB-VB 编号：C5438955

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

我要订货

型号：RFP2N15-VB 编号：C2680767

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

10+
￥1.9845
100+
￥1.911
200+
￥1.764
1000+
￥1.6905
2000+
￥1.617

我要订货

型号：IRF7401TRPBF-VB 编号：C4355072

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

我要订货

型号：SI9410BDY-T1-E3-VB 编号：C5438962

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

我要订货

型号：IRF9520NSPBF-VB 编号：C19188268

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥2.3895
100+
￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.947

我要订货

型号：RF1S630SM-VB 编号：C20755390

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.266

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型号：RU40L10L-VB 编号：C710058

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

10+
￥2.3895
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￥2.301
200+
￥2.124
1000+
￥2.0355
2000+
￥1.947

我要订货

型号：STP413D-VB 编号：C878902

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册