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VBP1202N
型号：VBP1202N 编号：C42412529
封装：TO-247AC
品牌：VBsemi(微碧半导体)
TO247；N—Channel沟道,200V；96A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；是一款采用Trench技术单极N型MOSFET，适用于工业电力模块、电动车充电桩等领域和模块。

  • 1+

    ￥35.99

  • 210+

    ￥14.36

  • 510+

    ￥13.88

  • 990+

    ￥13.65
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    预售商品
    VBL1201N
    型号：VBL1201N 编号：C42412651
    封装：TO-263
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO263；N—Channel沟道,200V；100A；RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于各种高压高功率的电力应用。

    • 1+

      ￥14.725

    • 20+

      ￥14.136

    • 100+

      ￥13.6648

    • 200+

      ￥13.4292

    • 500+

      ￥13.1936
    我要订货
    预售商品
    VBP16R47SFD
    型号：VBP16R47SFD 编号：C42412696
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO247P；N—Channel沟道,600V；47A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于电力电子模块、工业电机控制模块等领域和模块。

    • 1+

      ￥43.24

    • 210+

      ￥17.26

    • 510+

      ￥16.68

    • 990+

      ￥16.4
  • 订货
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    预售商品
    VBP15R33SFD
    型号：VBP15R33SFD 编号：C42412682
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO247；N—Channel沟道,500V；33A；RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的高功率MOSFET，适用于太阳能逆变器、工业电力变频器等领域和模块。

    • 1+

      ￥51.87

    • 210+

      ￥20.7

    • 510+

      ￥20.01

    • 990+

      ￥19.67
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    预售商品
    VBP17R47S
    型号：VBP17R47S 编号：C42412765
    封装：TO-247AC
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO247；N—Channel沟道,700V；46A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应管，适用于高功率电源模块、电力电子设备等领域和模块。

    • 1+

      ￥64.85

    • 210+

      ￥25.88

    • 510+

      ￥25.01

    • 990+

      ￥24.59
  • 订货
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    预售商品
    VBP165R64SFD
    型号：VBP165R64SFD 编号：C42412694
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO247；N—Channel沟道,650V；64A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的高功率MOSFET，适用于高性能电源模块、汽车电力系统等领域和模块。

    • 1+

      ￥86.45

    • 210+

      ￥34.5

    • 510+

      ￥33.34

    • 990+

      ￥32.77
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    预售商品
    VBP19R47S
    型号：VBP19R47S 编号：C42412795
    封装：TO-247AC
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO247；N—Channel沟道,900V；47A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于电力电子领域、工业自动化等领域和模块。

    • 1+

      ￥95.11

    • 210+

      ￥37.95

    • 510+

      ￥36.68

    • 990+

      ￥36.06
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    预售商品
    1个N沟道 耐压:400V 电流:2A
    型号：FDD3N40TM 编号：C903567
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
    数据手册

    • 10+

      ￥1.5255

    • 100+

      ￥1.469

    • 200+

      ￥1.356

    • 1000+

      ￥1.2995

    • 2000+

      ￥1.2656
    我要订货
    预售商品
    VBE16I10
    型号：VBE16I10 编号：C42412434
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO252；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

    • 10+

      ￥4.1985

    • 100+

      ￥4.043

    • 200+

      ￥3.732

    • 1000+

      ￥3.5765

    • 2000+

      ￥3.4832
    我要订货
    预售商品
    VBL16I10
    型号：VBL16I10 编号：C42412436
    封装：TO-263
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO263；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款是一款高性能的IGBT+FRD模块，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

    • 10+

      ￥4.968

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      ￥4.784

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      ￥4.416

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      ￥4.232

    • 2000+

      ￥4.1216
    我要订货
    预售商品
    VBMB16I20
    型号：VBMB16I20 编号：C42412432
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO220F；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

    • 1+

      ￥7.722

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      ￥7.128

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      ￥7.0092

    • 500+

      ￥6.7716

    • 1000+

      ￥6.6528
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    预售商品
    VBL16I30
    型号：VBL16I30 编号：C42412449
    封装：TO-263
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO263；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

    • 1+

      ￥9.919

    • 50+

      ￥9.156

    • 100+

      ￥9.0034

    • 500+

      ￥8.6982

    • 1000+

      ￥8.5456
    我要订货
    预售商品
    VBPB16I60
    型号：VBPB16I60 编号：C42412445
    封装：TO-3P
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO3P；600/650V；60A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于工业电子、电力电子、电动车辆等领域的各种模块和系统。

    • 1+

      ￥44.1

    • 210+

      ￥17.6

    • 510+

      ￥17.01

    • 990+

      ￥16.72
  • 订货
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    预售商品
    VBP16I80
    型号：VBP16I80 编号：C42412443
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO247；600/650V；80A；VCEsat_1.8V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于工业电力电子模块、可再生能源系统和电动车充电桩等领域和模块。

    • 1+

      ￥53.62

    • 210+

      ￥21.4

    • 510+

      ￥20.68

    • 990+

      ￥20.33
  • 订货
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    预售商品
    VBP112MI40
    型号：VBP112MI40 编号：C42412428
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO247；1200V；40A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

    • 1+

      ￥58.36

    • 210+

      ￥23.29

    • 510+

      ￥22.51

    • 990+

      ￥22.13
  • 订货
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    预售商品
    VBP165I80
    型号：VBP165I80 编号：C42412805
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO247；650V；160A；VCEsat_1.8V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于电力电子模块、电力传输与配电等各种电子领域和应用。

    • 1+

      ￥58.79

    • 210+

      ￥23.46

    • 510+

      ￥22.68

    • 990+

      ￥22.29
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    VBP112MI50
    型号：VBP112MI50 编号：C42412429
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO247；1200V；50A；VCEsat_1.8V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

    • 1+

      ￥77.82

    • 210+

      ￥31.05

    • 510+

      ￥30.02

    • 990+

      ￥29.5
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    VBP112MI75
    型号：VBP112MI75 编号：C42412430
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    IGBT；TO247；1200V；75A；VCEsat_1.8V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

    • 1+

      ￥99.42

    • 210+

      ￥39.67

    • 510+

      ￥38.35

    • 990+

      ￥37.69
  • 订货
    • 我要订货
    H档 200-350 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C7420370
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:200-350，丝印:Y1

    • 50+

      ￥0.0662

    • 500+

      ￥0.0532

    • 3000+

      ￥0.0474

    • 6000+

      ￥0.043

    • 24000+

      ￥0.0413

    • 51000+

      ￥0.0401
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:200-350，丝印:J3Y NPN 500mA 25V
    型号：S8050 编号：C20069125
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:200-350，丝印:J3Y

    • 50+

      ￥0.0585

    • 500+

      ￥0.0457

    • 3000+

      ￥0.0347

    • 6000+

      ￥0.0304

    • 24000+

      ￥0.0287

    • 51000+

      ￥0.0276
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:100-300 NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551 编号：C7420357
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:100-300，丝印:G1

    • 50+

      ￥0.0718

    • 500+

      ￥0.0608

    • 3000+

      ￥0.0442

    • 6000+

      ￥0.0405

    • 24000+

      ￥0.039

    • 51000+

      ￥0.038
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C347476
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该器件适合用作负载开关或其他通用应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1956

    • 200+

      ￥0.1443

    • 600+

      ￥0.1214

    • 3000+

      ￥0.1042

    • 9000+

      ￥0.0973

    • 21000+

      ￥0.0928
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C347475
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：5.8A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）：< 27mΩ（VGS = 10V）；< 31mΩ（VGS = 4.5V）；< 48mΩ（VGS = 2.5V）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1987

    • 200+

      ￥0.1471

    • 600+

      ￥0.1242

    • 3000+

      ￥0.1046

    • 9000+

      ￥0.0977

    • 21000+

      ￥0.0931
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~350 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050(RANGE:200-350) 编号：C2150
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印Y1
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0815

    • 500+

      ￥0.0623

    • 3000+

      ￥0.0538

    • 6000+

      ￥0.0474

    • 24000+

      ￥0.0449

    • 51000+

      ￥0.0431
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~300 NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551(RANGE:200-300) 编号：C2145
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMBT5401互补，非常适合中功率放大和开关
    数据手册

    • 50+

      ￥0.082

    • 500+

      ￥0.0626

    • 3000+

      ￥0.054

    • 6000+

      ￥0.0475

    • 24000+

      ￥0.0449

    • 51000+

      ￥0.0431
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002 编号：C8545
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.083

    • 500+

      ￥0.0633

    • 3000+

      ￥0.0545

    • 6000+

      ￥0.0479

    • 24000+

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    hFE：200-350 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C916392
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。
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    hFE:200-350 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C364312
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。
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    H档 200-350 PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 编号：C7420371
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:200-350，丝印:Y2

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    H档(200-350) NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 J3Y(RANGE:200-350) 编号：C2146
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印J3Y
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