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    TO263;N—Channel沟道,650V;2A;RDS(ON)=3500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款采用Plannar技术单N沟道MOSFET,适用于电源逆变器模块、电力传输模块等领域和模块。
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    TO252;N+P—Channel沟道,±30V;65/-35A;RDS(ON)=7/25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±3V;是一款采用Trench技术共栅N+P沟道功率MOSFET,适用于各种电力电子应用。
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    SOP8;N+P—Channel沟道,±100V;4.6/-3.4A;RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1.5~±2.5V;是一款双N+P沟道功率MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电力电子应用。
    • 10+

      ¥2.3895
    • 100+

      ¥2.301
    • 200+

      ¥2.124
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      ¥2.0355
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    TO251;N—Channel沟道,250V;17A;RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款采用Trench技术单N沟道MOSFET,适用于电源管理模块、LED驱动模块等中功率电力和电子应用。
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    TO263;N—Channel沟道,550V;18A;RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用Plannar技术高性能的单极性N型功率半导体器件,适用于多种高压、高功率的电力控制和转换应用。
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    TO251;N—Channel沟道-60V;-50A;RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-2.5V;是一款单路P型MOSFET,采用了Trench技术,适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
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    TO247;N—Channel沟道,650V;11A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用Plannar技术单N型功率MOSFET,适用于工业电力系统、电动汽车控制器等领域和模块。
    • 1+

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  • TO247;N—Channel沟道,550V;13A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用Plannar技术单N型MOSFET,适用于电力电子模块、电机驱动模块等领域和模块。
    • 1+

      ¥17.29
    • 210+

      ¥6.9
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      ¥6.67
    • 990+

      ¥6.56
  • 订货
  • TO263;N—Channel沟道,150V;128A;RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~5V;是一款单N型功率场效应管,采用Trench技术,适用于多种电力应用。
    • 1+

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    TO220F;N—Channel沟道,650V;15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的功率MOSFET,适用于电力电子模块、太阳能逆变器等领域和模块。
    • 1+

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    TO220F;N—Channel沟道,600V;15A;RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款单N沟道场效应管,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于各种电力电子应用。
    • 1+

      ¥8.268
    • 50+

      ¥7.632
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      ¥7.5048
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      ¥7.2504
    • 1000+

      ¥7.1232
    TO263;N—Channel沟道,150V;75A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款采用Trench技术单通道N型MOS场效应管,适用于电动汽车电池管理系统模块、工业电力控制模块等模块领域。
    • 1+

      ¥9.555
    • 50+

      ¥8.82
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      ¥8.673
    • 500+

      ¥8.379
    • 1000+

      ¥8.232
    TO263;N—Channel沟道,500V;30A;RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFE,适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块等领域。
    • 1+

      ¥11.024
    • 50+

      ¥10.176
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    台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道,1000V;12A;RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3~4V;是一款采用Plannar技术单N型MOSFET,适用于电力电子系统、电动汽车等领域和模块。
    • 1+

      ¥25.95
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      ¥10.36
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      ¥10.01
    • 900+

      ¥9.84
  • 订货
  • TO220;N—Channel沟道,600V;20A;RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型半导体器件,适用于工业电力系统、逆变器模块等领域和模块。
    • 1+

      ¥9.191
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      ¥8.484
    • 100+

      ¥8.3426
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      ¥8.0598
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      ¥7.9184
    TO247;N—Channel沟道,700V;15A;RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应管,适用于电力电子模块、电动汽车控制等领域和模块。
    • 1+

      ¥30.27
    • 210+

      ¥12.08
    • 510+

      ¥11.68
    • 990+

      ¥11.48
  • 订货
  • TO247;N—Channel沟道,100V;180A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;是一款采用SGT技术单通道N型MOSFET,适用于电力变换器应用、电动工具驱动器应用等领域。
    • 1+

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