电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

TO251；N—Channel沟道-60V；-50A；RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。

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￥4.851

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型号：VBP165R11 编号：C42412750

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,650V；11A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型功率MOSFET，适用于工业电力系统、电动汽车控制器等领域和模块。

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￥17.29
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￥6.67
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￥6.56

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型号：VBP155R13 编号：C42412686

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,550V；13A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型MOSFET，适用于电力电子模块、电机驱动模块等领域和模块。

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￥17.29
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型号：VBL1151N 编号：C42412631

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO263；N—Channel沟道,150V；128A；RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于多种电力应用。

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型号：VBMB165R15S 编号：C42412723

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,650V；15A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的功率MOSFET，适用于电力电子模块、太阳能逆变器等领域和模块。

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型号：VBMB16R15S 编号：C42412720

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,600V；15A；RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种电力电子应用。

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型号：VBL11518 编号：C42412525

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO263；N—Channel沟道,150V；75A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单通道N型MOS场效应管，适用于电动汽车电池管理系统模块、工业电力控制模块等模块领域。

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￥9.555
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型号：VBL15R30S 编号：C42412677

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO263；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFE，适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块等领域。

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型号：STW12N120K5-VB 编号：C45662523

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,1000V；12A；RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~4V；是一款采用Plannar技术单N型MOSFET，适用于电力电子系统、电动汽车等领域和模块。

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￥25.95
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￥10.01
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￥9.84

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型号：VBM16R20SFD 编号：C42412703

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220；N—Channel沟道,600V；20A；RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型半导体器件，适用于工业电力系统、逆变器模块等领域和模块。

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型号：VBP165R15S 编号：C42412724

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,700V；15A；RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应管，适用于电力电子模块、电动汽车控制等领域和模块。

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￥30.27
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￥12.08
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￥11.68
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￥11.48

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型号：VBGP1103 编号：C42412508

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单通道N型MOSFET，适用于电力变换器应用、电动工具驱动器应用等领域。

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￥35.99
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￥14.36
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￥13.88
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￥13.65

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型号：VBP1202N 编号：C42412529

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,200V；96A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；是一款采用Trench技术单极N型MOSFET，适用于工业电力模块、电动车充电桩等领域和模块。

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￥35.99
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￥13.65

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型号：VBE16I10 编号：C42412434

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

IGBT；TO252；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

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￥3.421

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型号：VBL16I10 编号：C42412436

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

IGBT；TO263；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款是一款高性能的IGBT+FRD模块，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

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￥4.232
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￥4.048

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型号：VBMB16I20 编号：C42412432

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

IGBT；TO220F；600/650V；20A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

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￥7.722
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￥6.831
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型号：VBL16I30 编号：C42412449

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

IGBT；TO263；600/650V；30A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于各种工业和电力电子应用。

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￥9.919
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￥8.5456
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￥8.393

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型号：VBL1201N 编号：C42412651

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO263；N—Channel沟道,200V；100A；RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于各种高压高功率的电力应用。

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￥15.2145
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￥14.8176
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￥14.553

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型号：VBP16R47SFD 编号：C42412696

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247P；N—Channel沟道,600V；47A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于电力电子模块、工业电机控制模块等领域和模块。

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￥43.24
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￥16.68
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￥16.4

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型号：VBP15R33SFD 编号：C42412682

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,500V；33A；RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的高功率MOSFET，适用于太阳能逆变器、工业电力变频器等领域和模块。

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￥51.87
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￥20.7
510+
￥20.01
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￥19.67

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型号：VBP17R47S 编号：C42412765

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,700V；46A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应管，适用于高功率电源模块、电力电子设备等领域和模块。

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￥64.85
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￥25.01
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￥24.59

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型号：VBP165R64SFD 编号：C42412694

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,650V；64A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的高功率MOSFET，适用于高性能电源模块、汽车电力系统等领域和模块。

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￥86.45
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￥34.5
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￥33.34
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￥32.77

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型号：VBP19R47S 编号：C42412795

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO247；N—Channel沟道,900V；47A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于电力电子领域、工业自动化等领域和模块。

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￥95.11
210+
￥37.95
510+
￥36.68
990+
￥36.06

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型号：FDD3N40TM 编号：C903567

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

10+
￥1.5255
100+
￥1.469
200+
￥1.356
1000+
￥1.2995
2000+
￥1.243

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