电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：STP20NM50FD-VB 编号：C20626366

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.61
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￥9.76

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型号：IRGP4263-EPBF-HXY 编号：C49003457

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗并提升系统效率。内置二极管具备50A正向电流（IF）耐受能力，正向压降（Vf）为1.85V，增强续流性能与热稳定性。适用于电源转换、能源管理及高性能电力电子装置中，满足高效、高可靠性应用需求。

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￥17.33
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￥13.15
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￥11.5
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￥10.43

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型号：SPP20N60C3-VB 编号：C7568837

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥17.7
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型号：SPP20N60S5-VB 编号：C7568921

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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型号：NGTB40N120FL3WG-HXY 编号：C49003312

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率和高压场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和导通性能。该器件可广泛应用于能源管理、智能家电及精密电力控制设备中，实现高效、可靠的开关与能量转换功能。

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￥20.02
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￥17.2
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￥15.53

有货

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型号：NGTB40N120FL2WG-HXY 编号：C49003416

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）典型值为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合应用于高性能电源转换系统，如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块，满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。

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￥20.97
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￥18.02
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￥16.27

有货

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型号：RGS80TSX2HRC11-HXY 编号：C49003433

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的电流承载能力和能效表现。该器件适用于需要稳定开关性能和高效能管理的电力电子系统设计，如电源转换、智能电网设备及电机控制等领域，为复杂电路提供可靠支持。

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￥22.88
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￥19.66
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￥17.75

有货

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型号：STGWA40M120DF3-HXY 编号：C49003314

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和较高功率场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的能效特性。该器件适合用于需要稳定性和高效能的应用场合，如电力转换与控制、节能设备及精密仪器等领域，为复杂电路提供可靠支持。

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￥24.78
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￥21.3
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￥19.23

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型号：GWA40MS120DF4AG-HXY 编号：C49003426

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率等级的电力转换应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗并提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于电源系统、电机驱动、智能电网及相关电子设备中，满足对高性能电力电子器件的技术需求。

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￥39.08
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￥33.78
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￥30.54

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型号：RJH1CV7DPQ-HXY 编号：C49003398

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率密度的设计需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通状态下的功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与可靠性。适用于多种电力电子变换系统，满足高效、稳定工作的技术要求。

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￥42.48
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￥36.71
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￥33.2

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型号：FGH40T120SMD-F155-HXY 编号：C49003318

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于实现较低的导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，确保稳定可靠的反向续流能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及能源调控等领域，具备良好的动态响应和热稳定性，适合对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

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￥42.48
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￥36.71
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￥33.2

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型号：MIW40N120FLA-BP-HXY 编号：C49003428

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压、中等功率的电力转换应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，能够在较高电压环境下保持稳定的导通性能。内置续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提供良好的电流流通与续流能力。模块采用坚固封装结构，具有出色的热稳定性和可靠性，适用于多种电源变换系统中的高频开关操作。

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￥33.2

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型号：IGW100N60H3-HXY 编号：C49003438

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有效减少导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的导电性能与热稳定性。该模块可广泛用于高效能电源转换系统、精密电机驱动及电力调控装置，为高要求电路设计提供可靠的技术支持。

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￥45.201 ￥47.58
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￥39.064 ￥41.12
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￥35.321 ￥37.18
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￥32.186 ￥33.88

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型号：IRG7PH46U-EP-HXY 编号：C49003435

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其1.7V的集射极饱和电压（VCE(sat)）有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机控制、智能电网及储能系统等领域，满足高效能、高可靠性电路设计需求。

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￥45.88
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￥39.65
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￥35.86

有货

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型号：RGS80TSX2GC11-HXY 编号：C49003434

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与热稳定性。该器件适合应用于电源变换、电机驱动、智能电网及储能系统等场景，满足复杂电路对高效开关性能与可靠运行的严苛要求。

1+
￥47.58
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￥41.12
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￥37.18

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型号：SUD50P04-08-GE3-VB 编号：C6705328

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥4.27
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￥3.5
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￥3.12
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￥2.74
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￥2.37
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￥2.25

有货

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型号：FDB44N25TM 编号：C125737

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥10.09
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￥8.39
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￥7.45

有货

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型号：FQPF20N60C-VB 编号：C7525073

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥10.33
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￥10.09
50+
￥9.92
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￥9.76

有货

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型号：FDPF20N50T 编号：C417292

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥12.0478 ￥20.42
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￥11.7823 ￥19.97
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￥11.6112 ￥19.68
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￥11.4342 ￥19.38

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型号：IRFB18N50KPBF-VB 编号：C19632198

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥16.61
10+
￥14.06
50+
￥12.46
100+
￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

有货

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型号：FDPF20N50FT-VB 编号：C7569001

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥17.7
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￥15.15
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￥12.46
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￥10.82
500+
￥10.08
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￥9.76

有货

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型号：IRF7769L1TRPBF 编号：C537826

封装：MG-WDSON-11

品牌：Infineon(英飞凌)

将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在占地面积小于D2PAK且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高电力系统中的热传递。针对高频开关和同步整流应用进行了优化。器件中减少的总损耗与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温，这是提高系统可靠性的关键，使该器件非常适合高性能电源转换器。

数据手册

1+
￥30.42
10+
￥26.4
30+
￥24.02

有货

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型号：AO4408-VB 编号：C709888

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.0967
50+
￥1.0711
150+
￥1.054
500+
￥1.0369

有货

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型号：NDS9410A-NL-VB 编号：C5878830

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.2073
50+
￥1.1803
150+
￥1.1624
500+
￥1.1444

有货

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型号：4NM80G-TN3-R 编号：C5310422

封装：TO-252

品牌：UTC(友顺)

UTC 4NM80 采用超级结 MOSFET 结构，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC - DC 转换器中。

数据手册

1+
￥2
10+
￥1.75
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￥1.65
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￥1.52
500+
￥1.46

有货

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型号：FDP61N20 编号：C364876

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥15.0212 ￥22.09
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￥13.1784 ￥19.38
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￥12.0836 ￥17.77
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￥10.9752 ￥16.14
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￥10.4652 ￥15.39
800+
￥10.234 ￥15.05

有货

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型号：IPP60R165CP-VB 编号：C7525008

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.76
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￥14.2
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￥10.82
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￥9.76

有货

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型号：STF23NM50N-VB 编号：C7429124

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；