电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

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￥25.3555 ￥26.69
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￥21.793 ￥22.94
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￥16.093 ￥16.94

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型号：AOKS40B65H1 编号：C49003451

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）同样支持40A，其正向压降（Vf）为1.8V，提升了整体能效表现。该器件适合用于电源变换、电机驱动及高频开关等电力电子系统设计中，提供稳定可靠的性能支持。

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￥16.5395 ￥17.41
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型号：AFGHL75T65SQ-HXY 编号：C49003475

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的能量损耗。内部二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性与热稳定性。模块设计兼容标准安装方式，便于散热和系统集成，适用于电力电子变换、高效能电机驱动及精密能源调控等场合，具备较高的可靠性与耐用性。

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型号：FGH75T65SQD-F155-HXY 编号：C49003412

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受最高75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和响应特性。该器件适合用于高频开关、高效能转换及电源管理相关的电路设计，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。

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￥27.17 ￥28.6
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型号：STGWA75M65DF2-HXY 编号：C49003316

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复性能与稳定性。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、智能电网、精密电机控制等领域，满足多种高性能电力电子设备的技术需求。

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型号：SPT40N120F1AT8TL-HXY 编号：C49003423

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和高电流的工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的反向恢复特性。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统，能够稳定运行于复杂电气环境中，为多种高性能电源应用提供可靠支持。

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￥30.7895 ￥32.41
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型号：STGWA100H65DFB2-HXY 编号：C49003309

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可适用于较高功率的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有助于减小导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备较强的续流能力与稳定性。该器件适合用于各类高效功率转换设备中的开关控制与能量调节应用，参数设计兼顾性能与可靠性需求。

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￥32.2905 ￥33.99
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￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
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￥22.99 ￥24.2

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型号：IKW40N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003410

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压与中高功率的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，表现出稳定的续流能力和良好的热性能。模块结构设计紧凑，支持高效、可靠的电力转换与控制功能，适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。

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￥32.41
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￥27.85
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￥25.14

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型号：GWA40MS120DF4AG-HXY 编号：C49003426

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率等级的电力转换应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗并提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于电源系统、电机驱动、智能电网及相关电子设备中，满足对高性能电力电子器件的技术需求。

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￥39.08
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￥33.78
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￥30.54

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型号：RJH1CV7DPQ-HXY 编号：C49003398

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率密度的设计需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通状态下的功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与可靠性。适用于多种电力电子变换系统，满足高效、稳定工作的技术要求。

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￥42.48
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￥36.71
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￥33.2

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型号：FGH40T120SMD-F155-HXY 编号：C49003318

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于实现较低的导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，确保稳定可靠的反向续流能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及能源调控等领域，具备良好的动态响应和热稳定性，适合对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

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￥42.48
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￥33.2

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型号：MIW40N120FLA-BP-HXY 编号：C49003428

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压、中等功率的电力转换应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，能够在较高电压环境下保持稳定的导通性能。内置续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提供良好的电流流通与续流能力。模块采用坚固封装结构，具有出色的热稳定性和可靠性，适用于多种电源变换系统中的高频开关操作。

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￥42.48
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￥33.2

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型号：IRG7PH46U-EP-HXY 编号：C49003435

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其1.7V的集射极饱和电压（VCE(sat)）有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机控制、智能电网及储能系统等领域，满足高效能、高可靠性电路设计需求。

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￥45.88
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￥39.65
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￥35.86

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型号：IGW40T120FKSA1-HXY 编号：C49003436

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定可靠。该模块适用于需要高效能开关与功率控制的设备，例如电力变换装置、精密电机驱动系统及高精度电源管理设备，为复杂电路提供稳定的功率支持。

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￥47.576 ￥59.47
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￥41.12 ￥51.4
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￥37.184 ￥46.48
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￥33.88 ￥42.35

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型号：RGS80TSX2GC11-HXY 编号：C49003434

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与热稳定性。该器件适合应用于电源变换、电机驱动、智能电网及储能系统等场景，满足复杂电路对高效开关性能与可靠运行的严苛要求。

1+
￥47.58
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￥41.12
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￥37.18

有货

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型号：IRG8P50N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003396

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可适应较高功率密度的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有效减少导通状态下的功率损耗。内部二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，进一步提升系统整体效率。该模块适合应用于高效能电力转换系统，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度电源控制等领域。

1+
￥50.98
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￥44.06
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￥39.84

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型号：ITF48IF1200HR-HXY 编号：C49003393

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）高达1200V，具备较强的电压耐受能力，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于控制导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与反向恢复特性。该器件适合用于高效电源系统、储能设备及智能电网相关应用，满足对性能与可靠性要求较高的设计方案。

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￥56.08
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￥48.46
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￥43.82

有货

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型号：IXA45IF1200HB-HXY 编号：C49003399

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力与能效表现。适合用于多种高效电力转换系统，提供稳定且可靠的开关性能。

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￥74.93
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￥71.53
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￥65.64

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型号：CJPF04N65 编号：C2910334

封装：TO-220F

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

这款先进的高压MOSFET专为在雪崩模式下承受高能量并实现高效开关而设计。这款新型高能量器件还具备漏源二极管快速恢复时间。它适用于高压、高速开关应用，如电源、转换器、电力电机控制和桥式电路

数据手册

1+
￥2.47
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￥1.94
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￥1.71

有货

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型号：FDPF20N50T 编号：C417292

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥8.7806 ￥20.42
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￥6.5901 ￥19.97
30+
￥4.5264 ￥19.68
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￥4.4574 ￥19.38

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型号：STP20NM60FP-VB 编号：C20755102

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥16.61
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￥12.46
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￥10.82
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￥10.08
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￥9.76

有货

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型号：IRF8301MTRPBF 编号：C537836

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了 80%

数据手册

1+
￥17.7175 ￥18.65
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￥13.549 ￥15.94
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￥10.68 ￥14.24
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￥9.3825 ￥12.51
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￥8.79 ￥11.72
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￥8.535 ￥11.38

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型号：FDH44N50 编号：C898142

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥54.75
10+
￥48.13
30+
￥44.09

有货

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型号：AP6N090N 编号：C648835

封装：SOT-23S

品牌：APEC(富鼎)

AP6N090系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种可用于广泛电力应用的高效器件。SOT - 23S封装在商业和工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于如DC/DC转换器等低压应用

数据手册

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￥0.49274 ￥0.694
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￥0.336964 ￥0.5524
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￥0.245616 ￥0.4816
500+
￥0.218535 ￥0.4285
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￥0.19686 ￥0.386
6000+
￥0.186048 ￥0.3648

有货

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型号：AP2055K 编号：C2858583

封装：TO-252

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP2055K系列采用了Advanced Power创新的设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种可用于广泛电力应用的高效器件。

数据手册

5+
￥0.6659
50+
￥0.4895
150+
￥0.4013
500+
￥0.3351

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型号：IRF9530STRR-VB 编号：C5137434

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.25
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￥2.2
30+
￥2.16
100+
￥2.06

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型号：SUD50P04-08-GE3-VB 编号：C6705328

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥4.27
10+
￥3.5
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￥3.12
100+
￥2.74
500+
￥2.37
1000+
￥2.25

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型号：SPP20N60S5-VB 编号：C7568921

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥17.7
10+
￥15.15
50+
￥12.46
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￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

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型号：STF23NM50N-VB 编号：C7429124

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥17.79
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￥15.24
50+
￥12.96
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￥11.33
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￥10.59
1000+
￥10.27

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型号：FDPF18N50 编号：C11767

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥22.52
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￥14.07
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