电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SJ601-VB 编号：C19711217

封装：TO-251

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO251；N—Channel沟道-60V；-50A；RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；

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￥4.5815 ￥5.39
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￥4.471 ￥5.26
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￥4.403 ￥5.18
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￥4.335 ￥5.1

有货

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型号：HM4421B-VB 编号：C19626698

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.655 ￥4.9
10+
￥3.7525 ￥3.95
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￥3.2965 ￥3.47
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￥2.85 ￥3
500+
￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：SPD15P10PG-VB 编号：C20755197

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥4.655 ￥4.9
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￥3.7525 ￥3.95
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￥3.2965 ￥3.47
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￥2.85 ￥3
500+
￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：SI7483ADP-T1-GE3-VB 编号：C7463592

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.655 ￥4.9
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￥4.5505 ￥4.79
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￥4.484 ￥4.72
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￥4.4175 ￥4.65

有货

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型号：IRF630S-VB 编号：C709984

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥4.788 ￥5.04
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￥3.9425 ￥4.15
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￥2.9925 ￥3.15
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￥2.3275 ￥2.45
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￥2.1945 ￥2.31

有货

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型号：IRF630NS-VB 编号：C7494481

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥4.93 ￥5.8
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￥4.012 ￥4.72
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￥3.3405 ￥3.93
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￥2.8815 ￥3.39
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￥2.6095 ￥3.07
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￥2.465 ￥2.9

有货

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型号：FDMS6673BZ-VB 编号：C7463907

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥5.111 ￥5.38
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￥5.0065 ￥5.27
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￥4.94 ￥5.2
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￥4.864 ￥5.12

有货

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型号：IRLH5030TRPBF-VB 编号：C5179524

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

数据手册

1+
￥5.8565 ￥6.89
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￥5.729 ￥6.74
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￥5.644 ￥6.64
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￥5.304 ￥6.24

有货

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型号：SIR870DP-T1-GE3-VB 编号：C7525098

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

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￥6.0515 ￥6.37
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￥5.909 ￥6.22
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￥5.814 ￥6.12
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￥5.6335 ￥5.93

有货

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型号：FDMS86101DC-VB 编号：C7524904

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.0515 ￥6.37
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￥5.909 ￥6.22
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￥5.814 ￥6.12
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￥5.6335 ￥5.93

有货

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型号：FCP16N60N-VB 编号：C7525047

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥6.681 ￥7.86
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￥6.528 ￥7.68
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￥6.324 ￥7.44
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￥6.222 ￥7.32

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型号：IRFS4321TRLPBF-VB 编号：C45662535

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,150V；128A；RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于多种电力应用。

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￥7.3055 ￥7.69
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￥7.144 ￥7.52
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￥7.03 ￥7.4
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￥6.9255 ￥7.29

有货

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型号：RCX700N20-VB 编号：C20755577

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥7.616 ￥8.96
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￥7.429 ￥8.74
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￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

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型号：RJK2017DPP-M0-VB 编号：C20417620

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥7.616 ￥8.96
10+
￥7.429 ￥8.74
50+
￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

有货

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型号：K3209-VB 编号：C20755533

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥7.616 ￥8.96
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￥7.429 ￥8.74
50+
￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

有货

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型号：2SK3209-VB 编号：C20417716

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥7.616 ￥8.96
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￥7.429 ￥8.74
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￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

有货

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型号：VBMB1204N 编号：C7569075

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥8.483 ￥9.98
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￥8.3045 ￥9.77
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￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

有货

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型号：FTA20N50A-VB 编号：C19632258

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
100+
￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：TK15A50D-VB 编号：C19632176

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：FDP20N50F-VB 编号：C20626327

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥8.7805 ￥10.33
10+
￥8.5765 ￥10.09
50+
￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：AOTF15S60-VB 编号：C20755340

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：STP24NM60N-VB 编号：C20626267

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：FDP22N50N-VB 编号：C20755352

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：FDP20N50-VB 编号：C7525068

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥8.908 ￥10.48
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￥8.6955 ￥10.23
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￥8.432 ￥9.92
100+
￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：FDPF320N06L-VB 编号：C7569094

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥9.707 ￥11.42
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￥9.503 ￥11.18
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：FCPF22N60NT-VB 编号：C7568991

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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￥9.707 ￥11.42
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￥9.503 ￥11.18
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：FDPF18N50T-VB 编号：C20755228

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥9.8135 ￥10.33
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￥9.5855 ￥10.09
50+
￥9.424 ￥9.92
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￥9.272 ￥9.76

有货

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型号：2SK3934-VB 编号：C19632079

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥9.8135 ￥10.33
10+
￥9.5855 ￥10.09
50+
￥9.424 ￥9.92
100+
￥9.272 ￥9.76

有货

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型号：VBP1104N 编号：C481044

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥10.217 ￥12.02
10+
￥8.7125 ￥10.25
30+
￥7.2675 ￥8.55
90+
￥6.2985 ￥7.41
510+
￥5.865 ￥6.9
990+
￥5.678 ￥6.68

有货

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型号：VBM16R32S 编号：C7541283

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220；N—Channel沟道,600V；32A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；

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￥15.9505 ￥16.79
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￥15.5705 ￥16.39
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￥15.314 ￥16.12
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