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P沟道 MOSFET,电流:-50A,耐压:-40V

型号：B44P04A-VB 编号：C2680841

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥1.938 ￥2.28
10+
￥1.8955 ￥2.23
30+
￥1.87 ￥2.2
100+
￥1.836 ￥2.16

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:13A

型号：SI9410DY-T1-E3-VB 编号：C7494566

封装：SOP-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.98398 ￥2.0884
50+
￥1.557905 ￥1.6399
150+
￥1.37522 ￥1.4476
500+
￥1.14741 ￥1.2078
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：SI9804DY-T1-E3-VB 编号：C5456599

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：P4404EDG-VB 编号：C19188219

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥2.074 ￥2.44
10+
￥2.0315 ￥2.39
30+
￥2.006 ￥2.36
100+
￥1.972 ￥2.32

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：RSD160P05-VB 编号：C18794961

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥2.074 ￥2.44
10+
￥2.0315 ￥2.39
30+
￥2.006 ￥2.36
100+
￥1.972 ￥2.32

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：SUD50P04-15-E3-VB 编号：C18794962

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥2.074 ￥2.44
10+
￥2.0315 ￥2.39
30+
￥2.006 ￥2.36
100+
￥1.972 ￥2.32

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：IRL620SPBF-VB 编号：C20417499

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥2.0995 ￥2.47
50+
￥2.0655 ￥2.43
100+
￥2.0315 ￥2.39

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：ME45P04-VB 编号：C710015

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥2.193 ￥2.58
10+
￥2.1505 ￥2.53
30+
￥2.1165 ￥2.49
100+
￥2.091 ￥2.46

有货

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P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：STD45P4LLF6AG-VB 编号：C45662555

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。

1+
￥2.223 ￥2.34
10+
￥2.1755 ￥2.29
30+
￥2.1375 ￥2.25
100+
￥2.109 ￥2.22

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：RU1HL8L-VB 编号：C20755583

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.312 ￥2.72
10+
￥2.2525 ￥2.65
30+
￥2.2185 ￥2.61
100+
￥2.1845 ￥2.57

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：RU1HL13L-VB 编号：C18212526

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.312 ￥2.72
10+
￥2.2525 ￥2.65
30+
￥2.2185 ￥2.61
100+
￥2.1845 ￥2.57

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1个N沟道耐压:200V 电流:6.7A

型号：IRF620STRR-VB 编号：C7494492

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.38 ￥2.8
10+
￥2.329 ￥2.74
50+
￥2.0655 ￥2.43
100+
￥2.0315 ￥2.39

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:8A

型号：QM6015S-VB 编号：C725142

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.413 ￥2.54
10+
￥2.356 ￥2.48
30+
￥2.3085 ￥2.43
100+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：IRL630STRR-VB 编号：C19190156

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.414 ￥2.84
10+
￥2.363 ￥2.78
50+
￥2.0655 ￥2.43
100+
￥2.0315 ￥2.39

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:4A

型号：CJPF04N65 编号：C2910334

封装：TO-220F

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

这款先进的高压MOSFET专为在雪崩模式下承受高能量并实现高效开关而设计。这款新型高能量器件还具备漏源二极管快速恢复时间。它适用于高压、高速开关应用，如电源、转换器、电力电机控制和桥式电路

数据手册

1+
￥2.47
10+
￥1.94
50+
￥1.71

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：AP18P10GH-HF-VB 编号：C5179507

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.533 ￥2.98
10+
￥2.482 ￥2.92
30+
￥2.448 ￥2.88
100+
￥2.4055 ￥2.83

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：ST13P10-VB 编号：C19711373

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.584 ￥2.72
10+
￥2.5175 ￥2.65
30+
￥2.4795 ￥2.61
100+
￥2.4415 ￥2.57

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：HM18P10K-VB 编号：C19190273

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.5925 ￥3.05
10+
￥2.5415 ￥2.99
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.465 ￥2.9

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：UTT25P10L-TN3-R-VB 编号：C19188272

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.5925 ￥3.05
10+
￥2.5415 ￥2.99
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.465 ￥2.9

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：RSD131P10FRA-VB 编号：C19188177

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.5925 ￥3.05
10+
￥2.5415 ￥2.99
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.465 ￥2.9

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:5A

型号：VBZM4N20 编号：C700713

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥3.1535 ￥3.71
10+
￥2.5245 ￥2.97
50+
￥2.04 ￥2.4
100+
￥1.7 ￥2
500+
￥1.547 ￥1.82
1000+
￥1.462 ￥1.72

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:4A

型号：VBM1201K 编号：C481002

封装：ITO-220AB-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。TO220；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥3.2015 ￥3.37
10+
￥2.4985 ￥2.63
50+
￥2.1755 ￥2.29
100+
￥1.7955 ￥1.89
500+
￥1.6245 ￥1.71
1000+
￥1.5295 ￥1.61

有货

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P沟道,电流:12A,耐压:100V

型号：VBL2102M 编号：C3040321

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.4765 ￥4.09
10+
￥2.822 ￥3.32
50+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.176 ￥2.56
500+
￥1.9805 ￥2.33
800+
￥1.887 ￥2.22

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：BSP315P-VB 编号：C693201

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.496 ￥3.68
10+
￥2.793 ￥2.94
30+
￥2.489 ￥2.62
100+
￥2.109 ￥2.22
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：APM4050APUC-TRL-VB 编号：C5438927

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥3.8285 ￥4.03
10+
￥3.1065 ￥3.27
30+
￥2.7455 ￥2.89
100+
￥2.3845 ￥2.51
500+
￥2.166 ￥2.28
1000+
￥2.052 ￥2.16

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：BSC080P03LS G-VB 编号：C20755416

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.9695 ￥4.67
10+
￥3.876 ￥4.56
30+
￥3.8165 ￥4.49
100+
￥3.7485 ￥4.41

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：HM50P03D-VB 编号：C19626727

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.9695 ￥4.67
10+
￥3.876 ￥4.56
30+
￥3.8165 ￥4.49
100+
￥3.7485 ￥4.41

有货

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P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：UPA2726UT1A-VB 编号：C2680916

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.165 ￥4.9
10+
￥4.0715 ￥4.79
30+
￥4.012 ￥4.72
100+
￥3.9525 ￥4.65

有货

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P沟道,电流:16A,耐压:100V

型号：VBE2101M 编号：C3040206

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥4.165 ￥4.9
10+
￥3.3575 ￥3.95
30+
￥2.9495 ￥3.47
100+
￥2.55 ￥3
500+
￥2.3035 ￥2.71
1000+
￥2.1845 ￥2.57

有货

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P沟道耐压:60V 电流:80A

型号：VBM2611 编号：C42412572

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=-1~-3V；是一款采用Trench技术高性能的P通道MOSFET，适用于各种电力要求较高的应用场景。

1+
￥4.4365 ￥4.67
10+
￥4.332 ￥4.56
50+
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