电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：VBM2611 编号：C42412572

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=-1~-3V；是一款采用Trench技术高性能的P通道MOSFET，适用于各种电力要求较高的应用场景。

1+
￥7.5525 ￥7.95
10+
￥6.2415 ￥6.57
50+
￥5.529 ￥5.82
100+
￥4.712 ￥4.96
500+
￥4.3605 ￥4.59
1000+
￥4.1895 ￥4.41

有货

立即购买

型号：TPCA8109-VB 编号：C2680866

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥7.771 ￥8.18
10+
￥6.4695 ￥6.81
30+
￥5.7475 ￥6.05
100+
￥4.94 ￥5.2
500+
￥4.579 ￥4.82
1000+
￥4.4175 ￥4.65

有货

立即购买

型号：SI7483ADP-T1-GE3-VB 编号：C7463592

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥7.771 ￥8.18
10+
￥6.4695 ￥6.81
30+
￥5.7475 ￥6.05
100+
￥4.94 ￥5.2
500+
￥4.579 ￥4.82
1000+
￥4.4175 ￥4.65

有货

立即购买

型号：2SJ601-VB 编号：C19711217

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO251；N—Channel沟道-60V；-50A；RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；

1+
￥8.1345 ￥9.57
10+
￥6.7915 ￥7.99
30+
￥6.052 ￥7.12
80+
￥5.2105 ￥6.13
480+
￥4.8365 ￥5.69
960+
￥4.6665 ￥5.49

有货

立即购买

型号：FDMS6673BZ-VB 编号：C7463907

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥8.227 ￥8.66
10+
￥6.916 ￥7.28
30+
￥6.2035 ￥6.53
100+
￥5.3865 ￥5.67
500+
￥4.579 ￥4.82
1000+
￥4.4175 ￥4.65

有货

立即购买

型号：IRLH5030TRPBF-VB 编号：C5179524

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

数据手册

1+
￥9.1035 ￥10.71
10+
￥7.7775 ￥9.15
30+
￥6.953 ￥8.18
100+
￥5.848 ￥6.88
500+
￥5.4655 ￥6.43
1000+
￥5.304 ￥6.24

有货

立即购买

型号：FDMS86101DC-VB 编号：C7524904

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥9.671 ￥10.18
10+
￥8.1985 ￥8.63
30+
￥7.277 ￥7.66
100+
￥6.2415 ￥6.57
500+
￥5.814 ￥6.12
1000+
￥5.6335 ￥5.93

有货

立即购买

型号：IXTH16N10D2-VB 编号：C2680853

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥10.234 ￥12.04
10+
￥8.7295 ￥10.27
30+
￥7.786 ￥9.16
90+
￥6.8255 ￥8.03
510+
￥6.3835 ￥7.51
990+
￥6.1965 ￥7.29

有货

立即购买

型号：VBP1104N 编号：C481044

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥10.234 ￥12.04
10+
￥8.7295 ￥10.27
30+
￥7.786 ￥9.16
90+
￥6.8255 ￥8.03
510+
￥6.3835 ￥7.51
990+
￥6.1965 ￥7.29

有货

立即购买

型号：BSC070N10NS3 G-VB 编号：C7463913

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥10.5165 ￥11.07
10+
￥9.0345 ￥9.51
30+
￥8.113 ￥8.54
100+
￥6.536 ￥6.88
500+
￥6.1085 ￥6.43
1000+
￥5.928 ￥6.24

有货

立即购买

型号：FCP16N60N-VB 编号：C7525047

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥10.6845 ￥12.57
10+
￥9.0525 ￥10.65
50+
￥7.9475 ￥9.35
100+
￥6.902 ￥8.12
500+
￥6.426 ￥7.56
1000+
￥6.222 ￥7.32

有货

立即购买

型号：IRFS4321TRLPBF-VB 编号：C45662535

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,150V；128A；RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于多种电力应用。

1+
￥11.438 ￥12.04
10+
￥9.7565 ￥10.27
50+
￥8.702 ￥9.16
100+
￥7.6285 ￥8.03
500+
￥7.1345 ￥7.51
1000+
￥6.9255 ￥7.29

有货

立即购买

型号：FDP33N25 编号：C243046

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥11.84
10+
￥10.19
30+
￥9.15
100+
￥6.88
500+
￥6.4
1000+
￥6.2

有货

立即购买

型号：RJK2017DPP-M0-VB 编号：C20417620

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥12.24 ￥14.4
10+
￥10.3615 ￥12.19
50+
￥9.18 ￥10.8
100+
￥7.973 ￥9.38
500+
￥7.429 ￥8.74
1000+
￥7.191 ￥8.46

有货

立即购买

型号：K3209-VB 编号：C20755533

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥12.24 ￥14.4
10+
￥10.3615 ￥12.19
50+
￥9.18 ￥10.8
100+
￥7.973 ￥9.38
500+
￥7.429 ￥8.74
1000+
￥7.191 ￥8.46

有货

立即购买

型号：VBMB1204N 编号：C7569075

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥12.7925 ￥15.05
10+
￥10.914 ￥12.84
50+
￥9.7325 ￥11.45
100+
￥8.5255 ￥10.03
500+
￥7.9815 ￥9.39
1000+
￥7.7435 ￥9.11

有货

立即购买

型号：RCX700N20-VB 编号：C20755577

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥12.7925 ￥15.05
10+
￥10.914 ￥12.84
50+
￥9.7325 ￥11.45
100+
￥8.5255 ￥10.03
500+
￥7.9815 ￥9.39
1000+
￥7.7435 ￥9.11

有货

立即购买

型号：2SK3209-VB 编号：C20417716

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥12.7925 ￥15.05
10+
￥10.914 ￥12.84
50+
￥9.7325 ￥11.45
100+
￥8.5255 ￥10.03
500+
￥7.9815 ￥9.39
1000+
￥7.7435 ￥9.11

有货

立即购买

型号：FDPF55N06 编号：C188509

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥13.17
10+
￥11.05
50+
￥9.72

有货

立即购买

型号：FQPF45N15V2-VB 编号：C20755273

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥13.68 ￥14.4
10+
￥11.5805 ￥12.19
50+
￥10.26 ￥10.8
100+
￥8.911 ￥9.38
500+
￥8.303 ￥8.74
1000+
￥8.037 ￥8.46

有货

立即购买

型号：IRFI4227PBF-VB 编号：C20626287

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥13.68 ￥14.4
10+
￥11.5805 ￥12.19
50+
￥10.26 ￥10.8
100+
￥8.911 ￥9.38
500+
￥8.303 ￥8.74
1000+
￥8.037 ￥8.46

有货

立即购买

型号：FTA20N50A-VB 编号：C19632258

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥14.1185 ￥16.61
10+
￥11.951 ￥14.06
50+
￥10.591 ￥12.46
100+
￥9.197 ￥10.82
500+
￥8.568 ￥10.08
1000+
￥8.296 ￥9.76

有货

立即购买

型号：AOTF15S60-VB 编号：C20755340

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥14.1185 ￥16.61
10+
￥11.951 ￥14.06
50+
￥10.591 ￥12.46
100+
￥9.197 ￥10.82
500+
￥8.568 ￥10.08
1000+
￥8.296 ￥9.76

有货

立即购买

型号：FDPF18N50T-VB 编号：C20755228

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥14.1185 ￥16.61
10+
￥11.951 ￥14.06
50+
￥10.591 ￥12.46
100+
￥9.197 ￥10.82
500+
￥8.568 ￥10.08
1000+
￥8.296 ￥9.76

有货

立即购买

型号：AOK50B65M2 编号：C49003325

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块的集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）达650V，适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流（IF）同样支持50A，正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范，便于安装和散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景，提供稳定高效的功率处理能力。

1+
￥14.21
10+
￥12.1
30+
￥10.78

有货

立即购买

型号：FDPF320N06L-VB 编号：C7569094

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥14.756 ￥17.36
10+
￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
100+
￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
1000+
￥8.9335 ￥10.51

有货

立即购买

型号：VBZM20N65S 编号：C7569079

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥14.756 ￥17.36
10+
￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
100+
￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
1000+
￥8.9335 ￥10.51

有货

立即购买

型号：TK15A50D-VB 编号：C19632176

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥14.756 ￥17.36
10+
￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
100+
￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
1000+
￥8.9335 ￥10.51

有货

立即购买

型号：FCPF22N60NT-VB 编号：C7568991

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

1+
￥14.756 ￥17.36
10+
￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
100+
￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
1000+
￥8.9335 ￥10.51

有货

立即购买

型号：FDP20N50F-VB 编号：C20626327

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥14.756 ￥17.36
10+
￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
100+
￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
1000+
￥8.9335 ￥10.51

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示