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1个N沟道 电流:13A
型号：STS6NF20V-VB 编号：C7569068
封装：SO-8
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:13A
    型号：SI4416DY-T1-E3-VB 编号：C5441242
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：SI4890BDY-T1-E3-VB 编号：C5441248
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：WNM3007-VB 编号：C19632254
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：SI4892DY-T1-E3-VB 编号：C20417587
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    型号：SI4810BDY-T1-E3-VB 编号：C20417586
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：SI4884BDY-T1-E3-VB 编号：C19190106
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:13A
    型号：FDS6680A-NL-VB 编号：C7524906
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    型号：FDS4410A-NL-VB 编号：C7568797
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：IRF9410TRPBF-VB 编号：C7494538
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：IRF7807TRPBF-VB 编号：C18794928
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 电流:13A
    型号：ME4410AD-VB 编号：C710014
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：FDS6612A-NL-VB 编号：C5878793
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 电流:13A
    型号：BSO200N03S-VB 编号：C724991
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：IRF7811WTRPBF-VB 编号：C5444630
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：AO4468-VB 编号：C5137408
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
    型号：SIHFL9014T-E3-VB 编号：C5240554
    封装：SOT-223
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
    数据手册

    • 1+

      ￥1.7085 ￥2.01

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      ￥1.6745 ￥1.97

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  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
    型号：ZXMP6A13GTA-VB 编号：C18212438
    封装：SOT-223
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

    • 1+

      ￥1.734 ￥2.04

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      ￥1.6915 ￥1.99

    • 30+

      ￥1.6745 ￥1.97

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      ￥1.649 ￥1.94
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
    型号：ZXMP6A17GTA-VB 编号：C18212611
    封装：SOT-223
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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    P沟道 MOSFET,电流:-50A,耐压:-40V
    型号：50P04-VB 编号：C3040286
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：AP9565BGH-VB 编号：C20755342
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

    • 1+

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：N0400P-ZK-E1-AY-VB 编号：C20755541
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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      ￥1.751 ￥2.06
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：NP20P04SLG-VB 编号：C20755380
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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    型号：SM4025PSU-VB 编号：C20755393
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：TK50P04M1-VB 编号：C19632177
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：TJ10S04M3L-VB 编号：C19632043
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：NP15P04SLG-E1-AY-VB 编号：C19626850
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：AP6677GH-VB 编号：C19626753
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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    1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
    型号：F9530NS-VB 编号：C20417659
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
    型号：N3PF06-VB 编号：C693255
    封装：SOT-223
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
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