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封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

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￥3.6805 ￥4.33
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￥3.026 ￥3.56
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￥2.703 ￥3.18
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￥2.38 ￥2.8
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￥1.938 ￥2.28
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￥1.836 ￥2.16

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型号：D4185-VB 编号：C20417571

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.002 ￥3.16
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￥2.641 ￥2.78
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￥2.28 ￥2.4
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.957 ￥2.06

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型号：TJ20S04M3L-VB 编号：C7524989

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥3.781 ￥3.98
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型号：APM4050APUC-TRL-VB 编号：C5438927

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

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￥3.8285 ￥4.03
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￥3.1065 ￥3.27
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型号：IRF9530NSTRLPBF-VB 编号：C45662531

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。

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￥3.8855 ￥4.09
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￥2.109 ￥2.22

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型号：IPD50P04P4-13-VB 编号：C7428999

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥3.9425 ￥4.15
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型号：SiHF9530S-VB 编号：C5179543

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.2775 ￥3.45
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型号：QM6015S-VB 编号：C725142

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥4.0205 ￥4.73
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￥3.2045 ￥3.77
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￥2.0315 ￥2.39

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型号：IRL620SPBF-VB 编号：C20417499

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥4.046 ￥4.76
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￥3.2895 ￥3.87
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型号：IRL630STRR-VB 编号：C19190156

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥4.046 ￥4.76
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￥2.533 ￥2.98
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￥2.312 ￥2.72
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￥2.193 ￥2.58

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型号：VBE2101M 编号：C3040206

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥4.165 ￥4.9
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￥3.3575 ￥3.95
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型号：IRF630S-VB 编号：C709984

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥4.284 ￥5.04
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￥3.5275 ￥4.15
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￥2.6775 ￥3.15
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￥2.0825 ￥2.45
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￥1.9635 ￥2.31

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型号：RU1HL8L-VB 编号：C20755583

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥4.335 ￥5.1
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￥3.1195 ￥3.67
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型号：HM18P10K-VB 编号：C19190273

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥4.335 ￥5.1
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型号：RSD131P10FRA-VB 编号：C19188177

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥4.335 ￥5.1
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￥2.4735 ￥2.91
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￥2.3545 ￥2.77

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型号：AP18P10GH-HF-VB 编号：C5179507

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥4.3945 ￥5.17
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￥3.5785 ￥4.21
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￥3.179 ￥3.74
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￥2.771 ￥3.26
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￥2.4225 ￥2.85
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￥2.295 ￥2.7

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型号：SPD15P10PG-VB 编号：C20755197

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥4.655 ￥4.9
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￥3.7525 ￥3.95
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￥2.85 ￥3
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

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型号：HM4421B-VB 编号：C19626698

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-10A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.655 ￥4.9
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￥3.7525 ￥3.95
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￥3.2965 ￥3.47
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￥2.85 ￥3
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

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型号：ST13P10-VB 编号：C19711373

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥4.655 ￥4.9
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￥2.85 ￥3
500+
￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：IRF630NS-VB 编号：C7494481

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥4.7175 ￥5.55
10+
￥3.7995 ￥4.47
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￥3.3405 ￥3.93
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￥2.6095 ￥3.07
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￥2.465 ￥2.9

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型号：BSC082N10LS G-VB 编号：C7568955

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.0515 ￥6.37
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￥5.909 ￥6.22
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￥5.814 ￥6.12
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￥5.6335 ￥5.93

有货

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型号：SI7495DP-VB 编号：C7569058

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥6.7575 ￥7.95
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￥5.5845 ￥6.57
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￥4.947 ￥5.82
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￥4.216 ￥4.96
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￥3.9015 ￥4.59
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有货

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型号：SI7139DP-T1-GE3-VB 编号：C7568768

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥6.834 ￥8.04
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￥5.661 ￥6.66
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￥5.0235 ￥5.91
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￥3.7485 ￥4.41

有货

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型号：UPA2726UT1A-VB 编号：C2680916

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥6.953 ￥8.18
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￥5.7885 ￥6.81
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型号：DMP3010LPS-13-VB 编号：C5456494

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥6.953 ￥8.18
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￥5.1425 ￥6.05
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500+
￥4.097 ￥4.82
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￥3.9525 ￥4.65

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型号：VBZQA50P03 编号：C700744

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥6.9955 ￥8.23
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￥5.8225 ￥6.85
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￥5.185 ￥6.1
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￥4.454 ￥5.24
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￥3.7485 ￥4.41

有货

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型号：BSC080P03LS G-VB 编号：C20755416

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥7.0465 ￥8.29
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￥5.882 ￥6.92
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￥4.1905 ￥4.93
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￥4.046 ￥4.76

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型号：HM50P03D-VB 编号：C19626727

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥7.0465 ￥8.29
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￥4.5135 ￥5.31
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￥4.1905 ￥4.93
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￥4.046 ￥4.76

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型号：STL60P4LLF6-VB 编号：C7463474

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥7.361 ￥8.66
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￥6.188 ￥7.28
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型号：AON6435-VB 编号：C18795017

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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