电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥1.547 ￥1.82
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￥1.5045 ￥1.77
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￥1.4875 ￥1.75
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￥1.462 ￥1.72

有货

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型号：IPD50P04P4L-11-VB 编号：C7429000

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥1.7085 ￥2.01
10+
￥1.666 ￥1.96
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￥1.6405 ￥1.93
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￥1.615 ￥1.9

有货

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型号：IRF7807ZTRPBF-VB 编号：C7429019

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.77514 ￥2.0884
50+
￥1.393915 ￥1.6399
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￥1.23046 ￥1.4476
500+
￥1.02663 ￥1.2078
2500+
￥0.93585 ￥1.101
4000+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

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型号：BSP613P-VB 编号：C7428942

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥1.7765 ￥2.09
10+
￥1.7425 ￥2.05
30+
￥1.717 ￥2.02
100+
￥1.7 ￥2

有货

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型号：AP9561GH-HF-VB 编号：C3040212

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥1.819 ￥2.14
10+
￥1.7765 ￥2.09
30+
￥1.751 ￥2.06
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￥1.717 ￥2.02

有货

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型号：AO4404-VB 编号：C724959

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.8224 ￥2.144
50+
￥1.44109 ￥1.6954
150+
￥1.27772 ￥1.5032
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￥0.95472 ￥1.1232
2500+
￥0.86394 ￥1.0164
4000+
￥0.80954 ￥0.9524

有货

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型号：AOD413A-VB 编号：C20755221

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥1.853 ￥2.18
10+
￥1.8105 ￥2.13
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.751 ￥2.06

有货

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型号：SUD45P03-15-T1-E3-VB 编号：C20755270

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥1.853 ￥2.18
10+
￥1.8105 ￥2.13
30+
￥1.7765 ￥2.09
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￥1.751 ￥2.06

有货

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型号：SUD50P04-13L-GE3-VB 编号：C7568772

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥1.8955 ￥2.23
10+
￥1.853 ￥2.18
30+
￥1.8275 ￥2.15
100+
￥1.7935 ￥2.11

有货

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型号：SI4410DY-T1-E3-VB 编号：C5456595

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.98398 ￥2.0884
50+
￥1.557905 ￥1.6399
150+
￥1.37522 ￥1.4476
500+
￥1.14741 ￥1.2078
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

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型号：ME12P04-VB 编号：C5137369

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

1+
￥2.0655 ￥2.43
10+
￥2.023 ￥2.38
30+
￥1.9975 ￥2.35
100+
￥1.9635 ￥2.31

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型号：D4185-VB 编号：C20417571

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥2.071 ￥2.18
10+
￥2.0235 ￥2.13
30+
￥1.9855 ￥2.09
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