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1个N沟道耐压:60V 电流:80A

型号：PSMN7R6-60BS-HXY 编号：C22366951

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

PSMN7R6-60BS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热封装TO-252-2L，专为大电流应用设计。器件拥有60V的高额定电压VDSS，以及惊人的80A连续电流ID承载能力，充分彰显卓越的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mΩ，确保在大电流环境下依然能有效降低功耗、提升系统能效。

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￥4.26 ￥5.68
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￥3.4575 ￥4.61
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￥3.0525 ￥4.07
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￥2.655 ￥3.54
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￥2.415 ￥3.22
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￥2.295 ￥3.06

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：RU1HL13L-VB 编号：C18212526

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥4.335 ￥5.1
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￥3.5275 ￥4.15
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￥3.1195 ￥3.67
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￥2.72 ￥3.2
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￥2.4735 ￥2.91
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￥2.3545 ￥2.77

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：UTT25P10L-TN3-R-VB 编号：C19188272

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥4.335 ￥5.1
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￥3.5275 ￥4.15
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￥3.1195 ￥3.67
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￥2.72 ￥3.2
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￥2.4735 ￥2.91
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￥2.3545 ￥2.77

有货

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FDP100N10-HXY

型号：FDP100N10-HXY 编号：C53262917

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，其导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子转换系统，能够在严苛电气条件下保持稳定工作性能。

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￥4.4175 ￥4.65
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￥3.5815 ￥3.77
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￥3.1635 ￥3.33
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￥2.755 ￥2.9
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￥2.508 ￥2.64
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￥2.3845 ￥2.51

有货

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1个P沟道耐压:60V

型号：IRFU5305PBF-VB 编号：C7569028

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO251；N—Channel沟道-60V；-50A；RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；

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￥8.1345 ￥9.57
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￥6.7915 ￥7.99
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￥6.052 ￥7.12
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￥5.2105 ￥6.13
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￥4.8365 ￥5.69
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￥4.6665 ￥5.49

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1个N沟道耐压:100V 电流:95A

型号：IRFH5010TRPBF-VB 编号：C5355724

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

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￥8.84 ￥10.4
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￥7.5225 ￥8.85
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￥6.6895 ￥7.87
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￥5.848 ￥6.88
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￥5.4655 ￥6.43
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￥5.304 ￥6.24

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1个N沟道耐压:40V 电流:150A

型号：IRF6613TRPBF 编号：C537782

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF6613PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前最佳的热阻降低了80%

数据手册

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￥9.72
10+
￥8.07
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￥7.17
100+
￥6.15

有货

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650V 30A

型号：IXYP15N65C3D1M-HXY 编号：C49003315

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备15A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.79V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受15A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.68V，提升了反向恢复性能与整体可靠性。该器件采用标准封装设计，便于散热与安装，广泛应用于电源转换、电机控制及智能电网等领域，为高性能电力电子装置提供了良好的技术支持。

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￥13.4995 ￥14.21
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1个N沟道耐压:200V 电流:45A

型号：FDPF390N15A-VB 编号：C18795069

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥13.68 ￥14.4
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￥11.5805 ￥12.19
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￥8.303 ￥8.74
1000+
￥8.037 ￥8.46

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：STP20NK50Z-VB 编号：C7463561

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥14.1185 ￥16.61
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￥8.296 ￥9.76

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：VBZMB20N65S 编号：C700736

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

数据手册

1+
￥14.756 ￥17.36
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￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
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￥9.8345 ￥11.57
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￥9.2055 ￥10.83
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￥8.9335 ￥10.51

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：FDP20N50-VB 编号：C7525068

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥14.756 ￥17.36
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￥12.5885 ￥14.81
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￥11.2285 ￥13.21
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￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
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￥8.9335 ￥10.51

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：FCPF20N60-VB 编号：C7463549

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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￥15.4445 ￥18.17
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￥13.277 ￥15.62
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￥11.016 ￥12.96
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￥9.6305 ￥11.33
500+
￥9.0015 ￥10.59
1000+
￥8.7295 ￥10.27

有货

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1.2kV 80A

型号：MBQ40T120QESTH-HXY 编号：C49003413

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计，能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

1+
￥16.23
10+
￥13.82
30+
￥12.32

有货

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1.2kV 80A

型号：IRG7PH46UD-EP-HXY 编号：C49003327

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑，效率高，适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

1+
￥18.26
10+
￥15.55
30+
￥13.86

有货

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650V 80A

型号：AFGHL50T65SQD-HXY 编号：C49003419

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。内部集成二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和反向恢复性能。模块采用通用封装设计，便于安装与维护，适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。

1+
￥21.736 ￥22.88
10+
￥18.677 ￥19.66
30+
￥16.8625 ￥17.75
90+
￥15.029 ￥15.82
510+
￥14.1835 ￥14.93
990+
￥13.794 ￥14.52

有货

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1.35kV 60A

型号：NGTB30N135IHRWG-HXY 编号：C49003400

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有30A的集电极电流（Ic）和1350V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范，便于安装与散热管理，适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。

1+
￥21.736 ￥22.88
10+
￥18.677 ￥19.66
30+
￥16.8625 ￥17.75
90+
￥15.029 ￥15.82
510+
￥14.1835 ￥14.93
990+
￥13.794 ￥14.52

有货

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650V 90A

型号：IGW75N65H5XKSA1-HXY 编号：C49003469

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力变换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的高频响应与稳定性。模块采用优化的封装设计，兼顾散热性能与电气绝缘，适用于多种高效、高可靠性要求的电源系统。

1+
￥26.258 ￥27.64
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￥22.572 ￥23.76
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￥20.3775 ￥21.45
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￥18.1545 ￥19.11
510+
￥17.1285 ￥18.03
990+
￥16.6725 ￥17.55

有货

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650V 70A

型号：AOK40B65HQ2 编号：C49003425

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定可靠。该器件可广泛应用于电源管理、电机控制、智能电网及相关电子设备中，满足高效、高可靠性电路设计需求。

1+
￥27.17 ￥28.6
10+
￥23.351 ￥24.58
30+
￥21.0805 ￥22.19
90+
￥18.7815 ￥19.77
510+
￥17.727 ￥18.66
990+
￥17.2425 ￥18.15

有货

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650V 70A

型号：MIW40N65RA-BP-HXY 编号：C49003427

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)与650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时兼顾导通压降控制。内部续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备良好的电流承载与续流特性。模块封装设计稳定，适用于多种高效能电源系统，提供可靠的开关表现和热管理能力。

1+
￥27.17 ￥28.6
10+
￥23.351 ￥24.58
30+
￥21.0805 ￥22.19
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￥18.7815 ￥19.77
510+
￥17.727 ￥18.66
990+
￥17.2425 ￥18.15

有货

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650V 90A

型号：AOK75B65H1 编号：C49003324

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。模块采用标准化封装设计，便于安装和散热，适用于电源变换、电机驱动及电力调节等多种应用场合，提供高效可靠的功率解决方案。

1+
￥27.17 ￥28.6
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￥23.351 ￥24.58
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￥21.0805 ￥22.19
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￥18.7815 ￥19.77
510+
￥17.727 ￥18.66
990+
￥17.2425 ￥18.15

有货

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650V 70A

型号：NGTB40N65FL2WG-HXY 编号：C49003415

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换与控制场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效降低损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件适合对能效、运行稳定性及安装空间有较高要求的多样化应用环境，满足复杂工况下的长期使用需求。

1+
￥28.975 ￥30.5
10+
￥24.8995 ￥26.21
30+
￥22.4865 ￥23.67
90+
￥20.0355 ￥21.09
510+
￥18.905 ￥19.9
990+
￥18.392 ￥19.36

有货

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650V 80A

型号：RGTH00TS65GC13-HXY 编号：C49003456

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与稳定性。模块设计兼顾性能与可靠性，适合多种高效能电力转换场景的应用需求。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
30+
￥23.883 ￥25.14
90+
￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

有货

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650V 80A

型号：NGTB50N65FL2WG-HXY 编号：C49003319

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中功率电力电子应用。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理系统，能够在较高频率下稳定工作，满足对性能与可靠性有要求的应用场合。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
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￥23.883 ￥25.14
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￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
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￥19.5415 ￥20.57

有货

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650V 70A

型号：AFGHL40T65SPD-HXY 编号：C49003317

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）650V的额定参数，能够满足较高功率应用场景的需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该模块适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，可广泛用于电源变换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定的开关和导通表现。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
30+
￥23.883 ￥25.14
90+
￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

有货

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650V 90A

型号：IRGP4790-EPBF-HXY 编号：C49003471

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定。该模块在电源转换、电力控制等领域表现优异，能够满足多种复杂电路设计对效率与可靠性的要求。

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650V 90A

型号：RGSX5TS65HRC11-HXY 编号：C49003473

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和压降为1.6V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好热稳定性和快速恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制、储能装置及智能电力管理系统，满足对效率、可靠性和集成度有较高要求的电路设计应用需求。

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650V 100A

型号：RGS00TS65EHRC11-HXY 编号：C49003386

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

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650V 90A

型号：IRGP4266-EPBF-HXY 编号：C49003470

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适合中高功率电力电子系统应用。其集射极饱和压降（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，能够在高频工作条件下提供稳定可靠的反向续流路径。模块结构设计优化，兼顾良好的散热性能与电气稳定性，适用于多种高效电源变换设备。

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650V 80A

型号：APT45GR65B-HXY 编号：C49003461

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升能效。内置二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力。模块采用坚固封装结构，适用于多种高频开关应用，如电源转换、电机控制及智能家电等领域，提供稳定可靠的电力电子解决方案。

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