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IXFH34N65X3-HXY

型号：IXFH34N65X3-HXY 编号：C51949356

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可稳定工作于较高电压环境，适用于高压开关电路。其连续漏极电流（ID）可达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有利于降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件在高耐压与低导通损耗之间实现良好平衡，适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备、高功率适配器及电力输送管理模块等应用，满足对能效和热性能有要求的电力电子设计方案。

1+
￥14.05
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￥13.74
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￥13.53

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：STP20NK50Z-VB 编号：C7463561

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥8.296 ￥9.76

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650V 100A

型号：AOK50B65M2 编号：C49003325

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块的集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）达650V，适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流（IF）同样支持50A，正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范，便于安装和散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景，提供稳定高效的功率处理能力。

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￥14.21
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￥12.1
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￥10.78

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：VBMB165R20S 编号：C481040

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

数据手册

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￥14.229 ￥16.74
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￥8.143 ￥9.58
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￥7.871 ￥9.26

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1.35kV 60A

型号：NGTB30N135IHRWG-HXY 编号：C49003400

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有30A的集电极电流（Ic）和1350V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范，便于安装与散热管理，适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。

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￥13.794 ￥14.52

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650V 100A

型号：RGT00TS65DGC11-HXY 编号：C49003320

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的能效特性。该器件适用于需要高效能、高稳定性的电力电子系统，如能源转换装置及精密控制设备，提供可靠的开关与导通性能，满足复杂电路对动态响应和热稳定性的要求。

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￥15.4185 ￥16.23
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650V 100A

型号：DGTD65T50S1PT-HXY 编号：C49003401

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的能效特性。模块采用通用封装形式，便于安装与散热管理，适合用于电源变换、电机驱动等高性能功率系统设计。

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￥15.4185 ￥16.23
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￥13.129 ￥13.82
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￥11.704 ￥12.32
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￥9.5665 ￥10.07
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￥9.2815 ￥9.77

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650V 50A

型号：IKW50N65H5-HXY 编号：C49003404

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的电气特性，适用于较高功率场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.45V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，如电源转换及电机驱动等应用。

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￥15.4185 ￥16.23
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￥9.5665 ￥10.07
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1.2kV 80A

型号：MBQ40T120QESTH-HXY 编号：C49003413

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计，能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

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￥16.23
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￥13.82
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￥12.32

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：FQP20N60C-VB 编号：C19190228

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.61
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650V 70A

型号：STGWA40HP65FB-HXY 编号：C49003326

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能够有效降低导通损耗。内建二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的热稳定性和可靠性。此模块结构紧凑、效率高，适合用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计中。

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￥17.347 ￥18.26
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￥10.4405 ￥10.99

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650V 80A

型号：IGW50N60TP-HXY 编号：C49003466

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。内部续流二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备优良的热稳定性与动态响应特性。模块设计注重电气隔离与散热性能，适用于电力电子变换、智能能源管理及高效电源系统等场景，提供稳定可靠的开关控制能力。

1+
￥17.347 ￥18.26
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￥14.7725 ￥15.55
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￥13.167 ￥13.86
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￥11.514 ￥12.12
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￥10.7635 ￥11.33
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￥10.4405 ￥10.99

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650V 70A

型号：FGH40T65SHD-F155-HXY 编号：C49003421

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电能转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的开关性能和热稳定性。该器件可广泛应用于电源变换、电机控制、储能系统及智能电力基础设施等领域，提供高效、可靠的半导体解决方案。

1+
￥18.1165 ￥19.07
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￥15.5705 ￥16.39
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￥14.0505 ￥14.79
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￥11.818 ￥12.44
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￥11.495 ￥12.1

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650V 70A

型号：FGH40T65SQD-F155-HXY 编号：C49003409

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中等功率场景下的高频开关应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时有助于降低导通损耗。内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备稳定的反向恢复特性。模块采用优化的封装结构，散热性能良好，适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。

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￥18.1165 ￥19.07
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￥15.5705 ￥16.39
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650V 70A

型号：AOK40B65M3 编号：C49003322

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低损耗并提升能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的热稳定性和导通一致性。该器件适合用于电源转换、精密控制等电路设计，支持高频开关操作，满足复杂场景对效率与稳定性的需求。

1+
￥18.1165 ￥19.07
10+
￥15.5705 ￥16.39
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￥14.0505 ￥14.79
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￥12.521 ￥13.18
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￥11.818 ￥12.44
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￥11.495 ￥12.1

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650V 80A

型号：FGHL50T65SQ-HXY 编号：C49003468

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的性能指标，适用于高电压和较高功率场景下的开关与控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V，可在高频切换条件下提供稳定反向续流能力。该模块在结构设计上注重热管理和电气稳定性，适合多种电力变换设备中使用。

1+
￥18.1165 ￥19.07
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￥15.5705 ￥16.39
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￥12.521 ￥13.18
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￥11.818 ￥12.44
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￥11.495 ￥12.1

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650V 80A

型号：AOK50B65H1 编号：C49003323

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率场合。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的电流承载能力和热稳定性。模块采用标准封装形式，便于安装与散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等应用场景，提供可靠且高效的电力电子解决方案。

1+
￥19.9215 ￥20.97
10+
￥17.119 ￥18.02
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￥15.4565 ￥16.27
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￥13.775 ￥14.5
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￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

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650V 80A

型号：STGWA50M65DF2-HXY 编号：C49003417

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用标准封装，便于安装与散热，适用于各类高效能转换设备中的电力调控需求。

1+
￥19.9215 ￥20.97
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￥17.119 ￥18.02
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￥15.4565 ￥16.27
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￥13.775 ￥14.5
510+
￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

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650V 70A

型号：AFGHL40T65SPD-HXY 编号：C49003317

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）650V的额定参数，能够满足较高功率应用场景的需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该模块适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，可广泛用于电源变换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定的开关和导通表现。

1+
￥20.634 ￥21.72
10+
￥20.1685 ￥21.23
30+
￥19.855 ￥20.9
90+
￥19.5415 ￥20.57

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650V 70A

型号：IGW40N65F5-HXY 编号：C49003453

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部集成的续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，增强了整体能效表现。该器件可应用于电源转换、电机驱动及高频开关等电路设计，提供稳定且可靠的技术支持。

1+
￥20.8335 ￥21.93
10+
￥17.898 ￥18.84
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￥16.1595 ￥17.01
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￥14.402 ￥15.16
510+
￥13.585 ￥14.3
990+
￥13.224 ￥13.92

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650V 80A

型号：AFGHL50T65SQD-HXY 编号：C49003419

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。内部集成二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和反向恢复性能。模块采用通用封装设计，便于安装与维护，适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。

1+
￥21.736 ￥22.88
10+
￥18.677 ￥19.66
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￥16.8625 ￥17.75
90+
￥15.029 ￥15.82
510+
￥14.1835 ￥14.93
990+
￥13.794 ￥14.52

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650V 90A

型号：FGW75N65WE-HXY 编号：C49003406

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力转换与控制场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，导通损耗较低，有助于提升系统整体能效。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的导通与恢复特性。模块采用优化的封装结构，兼顾散热性能与电气绝缘，适合应用于电源设备、能量管理系统及其他高性能电子装置中。

1+
￥23.45
10+
￥20.15
30+
￥18.19

有货

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650V 80A

型号：SPT50N65F1A1T8TL-HXY 编号：C49003424

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效电源转换、能量调节及高频逆变等场景，满足复杂电气环境下对高性能功率器件的需求。

1+
￥23.541 ￥24.78
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￥20.235 ￥21.3
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￥18.2685 ￥19.23
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￥16.283 ￥17.14
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￥14.9435 ￥15.73

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650V 80A

型号：IRGP4760-EPBF-HXY 编号：C49003459

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的开关控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了系统整体效率。该模块结构紧凑、可靠性高，适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。

1+
￥23.541 ￥24.78
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￥20.235 ￥21.3
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￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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650V 70A

型号：NGTB35N65FL2WG-HXY 编号：C49003321

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的热稳定性和导通性能。该器件适合用于对效率与可靠性有较高要求的电源转换设备及控制电路，支持高频开关操作，满足复杂应用场景下的动态响应需求。

1+
￥23.541 ￥24.78
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650V 80A

型号：IGW50N65H5AXKSA1-HXY 编号：C49003460

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的开关控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了系统整体效率。该模块结构紧凑、可靠性高，适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。

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650V 80A

型号：AIGW50N65H5-HXY 编号：C49003458

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的续流能力与热稳定性。模块结构设计优化，兼顾性能与可靠性，广泛应用于高效电源系统及先进电力电子设备中。

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650V 100A

型号：RGT00TS65DGC13-HXY 编号：C49003387

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，优化了反向恢复性能与能耗表现。该器件采用高可靠封装结构，兼顾散热能力与电气绝缘特性，适用于对稳定性和耐久性有较高要求的功率变换装置。

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650V 100A

型号：BIDW50N65T-HXY 编号：C49003330

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，在高频开关与能量回馈应用中表现良好。模块设计兼顾性能与可靠性，适合用于电源转换、新能源控制及高效电机驱动等场景，提供稳定的高压高电流处理能力。

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650V 100A

型号：RGS00TS65DHRC11-HXY 编号：C49003385

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

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