电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥2.074 ￥2.44
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￥1.972 ￥2.32

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型号：NP50P04SDG-E1-AY-VB 编号：C19188252

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥2.074 ￥2.44
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￥2.0315 ￥2.39
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￥2.006 ￥2.36
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￥1.972 ￥2.32

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型号：IRF8707TRPBF-VB 编号：C7463574

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥2.094275 ￥2.2045
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￥1.668105 ￥1.7559
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￥0.985055 ￥1.0369

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型号：HBSC098N10NS5ATMA1 编号：C42401096

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的最大漏极电流（ID），支持高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下操作，适合用于需要高效电力转换的应用中。此MOSFET适用于各种电源管理解决方案，例如在消费电子产品的开关模式电源（SMPS）中作为功率级元件，或是在便携设备中充当负载开关，确保了电路的可靠性和效率。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电子装置的理想选择。

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￥2.1165 ￥2.55
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￥2.0418 ￥2.46
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￥2.0086 ￥2.42

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型号：TJ20S04M3L-VB 编号：C7524989

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

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￥2.1185 ￥2.23
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￥2.0045 ￥2.11

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型号：IRF9530STRR-VB 编号：C5137434

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.1375 ￥2.25
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￥2.09 ￥2.2
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￥2.052 ￥2.16
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￥1.957 ￥2.06

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型号：SiHF9530S-VB 编号：C5179543

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.337 ￥2.46
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￥2.2895 ￥2.41
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￥2.261 ￥2.38
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IRF620SPBF-VB 编号：C19711249

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥2.4035 ￥2.53
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￥2.3085 ￥2.43
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￥2.2705 ￥2.39

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型号：IRL620STRLPBF-VB 编号：C19188169

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥2.414 ￥2.84
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￥2.0655 ￥2.43
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￥2.0315 ￥2.39

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型号：P5504EDG-VB 编号：C725136

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

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￥2.4225 ￥2.55
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￥2.375 ￥2.5
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￥2.3465 ￥2.47
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￥2.3085 ￥2.43

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型号：P2504EDG-VB 编号：C5179515

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

数据手册

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￥3.6975 ￥4.35
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￥3.0175 ￥3.55
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￥2.6775 ￥3.15
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￥2.3375 ￥2.75
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￥2.04 ￥2.4
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￥1.938 ￥2.28

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型号：IRF9530NSTRLPBF-VB 编号：C45662531

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。

1+
￥3.8855 ￥4.09
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￥2.793 ￥2.94
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￥2.2135 ￥2.33
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￥2.109 ￥2.22

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型号：IPD50P04P4-13-VB 编号：C7428999

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；

1+
￥3.9425 ￥4.15
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￥3.2205 ￥3.39
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￥2.8595 ￥3.01
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.957 ￥2.06

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型号：SI7139DP-T1-GE3-VB 编号：C7568768

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.046 ￥4.76
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￥3.9525 ￥4.65
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￥3.893 ￥4.58
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￥3.825 ￥4.5

有货

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型号：STL60P4LLF6-VB 编号：C7463474

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.573 ￥5.38
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￥4.4795 ￥5.27
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￥4.42 ￥5.2
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￥4.352 ￥5.12

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型号：IRFU5305PBF-VB 编号：C7569028

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO251；N—Channel沟道-60V；-50A；RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；

1+
￥4.6665 ￥5.49
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￥4.556 ￥5.36
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￥4.488 ￥5.28
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￥4.335 ￥5.1

有货

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型号：VBZQA50P03 编号：C700744

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.7025 ￥4.95
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￥4.598 ￥4.84
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￥4.5315 ￥4.77
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￥4.4555 ￥4.69

有货

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型号：IRFH5010TRPBF-VB 编号：C5355724

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥5.593 ￥6.58
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￥5.4655 ￥6.43
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￥5.389 ￥6.34
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￥5.304 ￥6.24

有货

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型号：BSC077N12NS3 G-VB 编号：C20755254

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

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￥5.966 ￥6.28
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￥5.8235 ￥6.13
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￥5.7285 ￥6.03
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￥5.6335 ￥5.93

有货

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型号：AON6435-VB 编号：C18795017

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥7.5525 ￥7.95
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￥6.2415 ￥6.57
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￥5.529 ￥5.82
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￥4.712 ￥4.96
500+
￥4.3605 ￥4.59
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￥4.1895 ￥4.41

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型号：BSC060P03NS3E G-VB 编号：C7463912

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥8.0085 ￥8.43
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￥6.6975 ￥7.05
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￥5.985 ￥6.3
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￥5.168 ￥5.44
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￥4.3605 ￥4.59
1000+
￥4.1895 ￥4.41

有货

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型号：IRFI4227PBF-VB 编号：C20626287

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥8.512 ￥8.96
10+
￥8.303 ￥8.74
50+
￥8.17 ￥8.6
100+
￥8.037 ￥8.46

有货

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型号：VBZM20N65S 编号：C7569079

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥9.707 ￥11.42
10+
￥9.503 ￥11.18
50+
￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

有货

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型号：FCPF20N60-VB 编号：C7463549

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

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￥10.1065 ￥11.89
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￥9.9025 ￥11.65
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￥8.8655 ￥10.43
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￥8.7295 ￥10.27

有货

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型号：IPB200N15N3G-VB 编号：C20755359

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于多种电力应用。TO263；N—Channel沟道,150V；128A；RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥10.944 ￥11.52
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￥9.2625 ￥9.75
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￥8.208 ￥8.64
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￥7.1345 ￥7.51
500+
￥6.6405 ￥6.99
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￥6.4315 ￥6.77

有货

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型号：FDP33N25 编号：C243046

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥12.59
10+
￥10.94
30+
￥9.91
100+
￥7.64
500+
￥7.16
1000+
￥6.95

有货

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型号：IRFIB41N15DPBF-VB 编号：C4355121

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

数据手册

1+
￥12.767 ￥15.02
10+
￥10.8885 ￥12.81
50+
￥9.078 ￥10.68
100+
￥7.8795 ￥9.27
500+
￥7.327 ￥8.62
1000+
￥7.0975 ￥8.35

有货

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型号：IKW40N120CS6-HXY 编号：C49003307

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下，集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF)，其正向压降(Vf)为1.85V，可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计，如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。

1+
￥12.78
10+
￥12.49
30+
￥12.3

有货

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型号：FDPF55N06 编号：C188509

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥13.17
10+
￥11.05
50+
￥9.72

有货

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型号：FGH50T65SQD-F155-HXY 编号：C49003308

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和高频响应能力。该模块适合用于高效电源转换、智能电网设备、新能源变换装置及精密电机控制等领域，满足对性能与可靠性有较高要求的设计需求。

1+
￥13.3475 ￥14.05
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￥13.053 ￥13.74
30+
￥12.8535 ￥13.53
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