电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合下的电力控制与转换。其导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.65V，有效减少导通损耗，提高整体能效。内部二极管可承载最大50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，表现出良好的热稳定性与可靠性。该器件适合用于对效率、稳定性和空间布局有较高要求的多种应用场合，满足复杂环境下的长期运行需求。

1+
￥32.5945 ￥34.31
10+
￥28.0155 ￥29.49
30+
￥25.289 ￥26.62
90+
￥22.534 ￥23.72
510+
￥21.2705 ￥22.39
990+
￥20.691 ￥21.78

有货

立即购买

型号：IRGP4263D-EPBF-HXY 编号：C49003331

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，可在高频开关与能量回馈应用中提供稳定性能。模块结构设计优化，兼顾散热效率与电气性能，广泛应用于电源变换、新能源控制及高效电机驱动等领域，满足高压高电流场景的技术需求。

1+
￥33.9055 ￥35.69
10+
￥29.298 ￥30.84
30+
￥26.4955 ￥27.89
90+
￥24.1395 ￥25.41

有货

立即购买

型号：IXYH50N65C3H1-HXY 编号：C49003391

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，可支持较高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复性能。该器件适用于需要高效能与稳定性的电力转换设备，如电源系统、储能装置及智能电网相关设备中，满足高可靠性和高效率的设计需求。

1+
￥40.356 ￥42.48
10+
￥34.8745 ￥36.71
30+
￥31.54 ￥33.2
90+
￥28.7375 ￥30.25

有货

立即购买

型号：IXXH60N65B4-HXY 编号：C49003431

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，进一步优化整体电性能表现。该器件适合用于多种类型的电力电子设备中，满足对稳定性和效率的较高要求。

1+
￥40.356 ￥42.48
10+
￥34.8745 ￥36.71
30+
￥31.54 ￥33.2
90+
￥28.7375 ￥30.25

有货

立即购买

型号：APT70GR65B-HXY 编号：C49003472

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件可广泛应用于电源变换器、电机驱动、储能系统及智能电网等场景，满足高效能与高稳定性需求的电路设计要求。

1+
￥43.586 ￥45.88
10+
￥37.6675 ￥39.65
30+
￥34.067 ￥35.86
90+
￥31.0365 ￥32.67

有货

立即购买

型号：IGW100N60H3-HXY 编号：C49003438

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有效减少导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的导电性能与热稳定性。该模块可广泛用于高效能电源转换系统、精密电机驱动及电力调控装置，为高要求电路设计提供可靠的技术支持。

1+
￥45.201 ￥47.58
10+
￥39.064 ￥41.12
30+
￥35.321 ￥37.18
90+
￥32.186 ￥33.88

有货

立即购买

型号：IXYH55N120C4-HXY 编号：C49003437

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备60A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流的工作环境。导通时，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受60A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.35V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于高效电源转换、精密电机控制及电力调节设备中，满足对功率密度和能效要求较高的场景需求。

1+
￥45.201 ￥47.58
10+
￥39.064 ￥41.12
30+
￥35.321 ￥37.18
90+
￥32.186 ￥33.88

有货

立即购买

型号：IRG7PH50K10D-EPBF-HXY 编号：C49003382

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关与耐高压特性的设备中，如电力转换装置、精密电机控制及高频率电源系统等场景。

1+
￥48.431 ￥50.98
10+
￥41.857 ￥44.06
30+
￥37.848 ￥39.84
90+
￥34.485 ￥36.3

有货

立即购买

型号：IXYH75N65C3H1-HXY 编号：C49003392

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持中高功率电力转换需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，具备良好的电流承载与恢复特性。适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置，满足对稳定性与效率的高标准要求。

1+
￥48.431 ￥50.98
10+
￥41.857 ￥44.06
30+
￥37.848 ￥39.84
90+
￥34.485 ￥36.3

有货

立即购买

型号：IXYH75N65C3D1-HXY 编号：C49003430

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率需求的电路设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通压降，提升能量转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.65V，进一步优化系统整体性能。该器件适合用于多种高效电力控制与转换场景，提供稳定可靠的运行表现。

1+
￥51.661 ￥54.38
10+
￥44.6405 ￥46.99
30+
￥40.3655 ￥42.49
90+
￥36.784 ￥38.72

有货

立即购买

型号：IRG8P60N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003397

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统中，提供可靠的开关与续流功能。

1+
￥52.68
10+
￥45.53
30+
￥41.17

有货

立即购买

型号：IXYH40N120C3-HXY 编号：C49003442

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统整体效率。内部反并联二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流能力与稳定性。该器件适合应用于电源变换器、储能系统及高效能开关电路等场景，满足对性能与可靠性有较高要求的电力电子设计方案。

1+
￥56.4965 ￥59.47
10+
￥48.83 ￥51.4
30+
￥44.156 ￥46.48
90+
￥40.2325 ￥42.35

有货

立即购买

型号：VBZA4800 编号：C700593

封装：SO-8

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示