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BSC040N10NS5ATMA1-HXY

型号：BSC040N10NS5ATMA1-HXY 编号：C53262891

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗，提升整体能效。适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、不间断电源及各类高效电力转换系统。器件在高频开关应用中表现出良好的动态性能和热稳定性，适合对效率与空间布局有较高要求的电子设备。

1+
￥2.77
10+
￥2.71
30+
￥2.67

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:9A

型号：HSTR2N2VH5 编号：C42401340

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有6A的漏极电流（ID）承载能力，最大工作电压（VDSS）为20V，适用于多种电子装置。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在12V的栅源电压（VGS）条件下表现出色，能够显著降低电力传输过程中的能量损失。该MOSFET适用于消费类电子产品中的电源管理模块、便携设备的电池保护电路以及需高效能开关的应用场景，是设计中实现高效率与稳定性的理想元件。

1+
￥2.84 ￥3.55
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￥2.288 ￥2.86
30+
￥2.008 ￥2.51
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￥1.736 ￥2.17
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￥1.576 ￥1.97
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￥1.488 ￥1.86

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.5A

型号：FDC638P 编号：C241772

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

1+
￥2.9684 ￥3.62
10+
￥2.9028 ￥3.54
30+
￥2.8618 ￥3.49
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￥2.8208 ￥3.44

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IAUC100N10S5L040-HXY

型号：IAUC100N10S5L040-HXY 编号：C51949347

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备100V漏源耐压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至3.6mΩ，可有效降低大电流工作下的功率损耗。其低导通电阻与高电流承载能力使其适用于高效率电源转换场景，如大功率同步整流、DC-DC变换器及电机驱动电路。器件在高负载条件下仍能保持良好热稳定性，适合对能效和功率密度有较高要求的设备，广泛用于各类高性能开关电源、储能系统及电力传输控制等应用场合。

1+
￥3.0875 ￥3.25
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￥3.021 ￥3.18
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.926 ￥3.08

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:7A

型号：FL9014-VB 编号：C20755503

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥3.2775 ￥3.45
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.28 ￥2.4
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￥1.9 ￥2
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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SIR664DP-T1-GE3-HXY

型号：SIR664DP-T1-GE3-HXY 编号：C53262841

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频率的电源转换、电机控制及各类高效电力电子系统。其电气特性支持快速开关动作，有助于实现紧凑且高效的电路设计。

1+
￥3.32
10+
￥3.24
30+
￥3.2

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1个P沟道耐压:18V 电流:80A

型号：SI7635DP-T1-GE3-HXY 编号：C22366938

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7635DP-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，优化散热性能和PCB占用面积。器件能在18V的电压下稳定工作，提供强劲的80A连续电流，而3.4mΩ的超低导通电阻确保了卓越的能效表现。广泛应用于电源供应系统等领域的高电流开关与转换场景，是实现高效能电力管理的理想解决方案。

1+
￥3.405 ￥4.54
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￥3.3225 ￥4.43
30+
￥3.27 ￥4.36
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￥3.2175 ￥4.29

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DMTH32M5LPSQ-13-HXY

型号：DMTH32M5LPSQ-13-HXY 编号：C51949303

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，适用于大电流开关应用。其低RDSON特性显著降低导通损耗，提升整体能效，适合对热性能和空间布局要求较高的设计。常用于高性能电源转换、大功率直流电机控制、储能系统及同步整流等电路中，能够有效支持高密度、高效率的电力管理方案，满足复杂电子设备对稳定性和响应速度的需求。

1+
￥3.5815 ￥3.77
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￥3.5055 ￥3.69
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￥3.4485 ￥3.63
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￥3.401 ￥3.58

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硅N沟道功率MOSFET

型号：AOTF16N50 编号：C49256438

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换场合。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗，提高转换效率。器件具备良好的热稳定性与可靠性，可广泛应用于开关电源、适配器、LED驱动电路以及各类电力电子设备中，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。

1+
￥4.1325 ￥4.35
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￥4.0375 ￥4.25
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￥3.9805 ￥4.19
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￥3.9235 ￥4.13

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1个P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：DMP3010LPS-13-VB 编号：C5456494

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.165 ￥4.9
10+
￥4.0715 ￥4.79
30+
￥4.012 ￥4.72
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￥3.9525 ￥4.65

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1个P沟道耐压:100V 电流:16A

型号：SPD15P10PL G-VB 编号：C7524903

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥4.655 ￥4.9
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￥3.7525 ￥3.95
30+
￥3.2965 ￥3.47
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￥2.85 ￥3
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

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ISC080N10NM6ATMA1-HXY

型号：ISC080N10NM6ATMA1-HXY 编号：C53262890

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电力电子设备。在合理驱动条件下，可实现快速开关响应与良好的热稳定性，满足对紧凑布局和高可靠性有要求的电路设计需求。

1+
￥4.79
10+
￥4.68
30+
￥4.61

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N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：HBSC0501NSI 编号：C42401192

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续排水电流（ID/A），并可在最高30V的工作电压（VDSS/V）下稳定运行。其导通电阻（RDSON/mR）仅为2毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）达到20V时展现出优异的导电性能。适用于高功率密度要求的开关电源设计，亦可用于消费电子产品中的电机驱动及电源切换应用，确保了电力传输过程中的低损耗与高效率。其可靠的性能为各种电子设备提供了坚实的硬件支持。

1+
￥5.256 ￥6.57
10+
￥4.264 ￥5.33
30+
￥3.768 ￥4.71
100+
￥3.176 ￥3.97
500+
￥2.88 ￥3.6
1000+
￥2.728 ￥3.41

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:30A

型号：BSC070N10NS3 G-VB 编号：C7463913

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；

1+
￥6.8875 ￥7.25
10+
￥6.745 ￥7.1
30+
￥6.65 ￥7
100+
￥5.928 ￥6.24

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:100A

型号：SI7495DP-VB 编号：C7569058

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥7.5525 ￥7.95
10+
￥6.2415 ￥6.57
30+
￥5.529 ￥5.82
100+
￥4.712 ￥4.96
500+
￥4.3605 ￥4.59
1000+
￥4.1895 ￥4.41

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650V 30A

型号：IXYP15N65C3D1M-HXY 编号：C49003315

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备15A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.79V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受15A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.68V，提升了反向恢复性能与整体可靠性。该器件采用标准封装设计，便于散热与安装，广泛应用于电源转换、电机控制及智能电网等领域，为高性能电力电子装置提供了良好的技术支持。

1+
￥8.569 ￥9.02
10+
￥8.379 ￥8.82
50+
￥8.2555 ￥8.69
100+
￥8.1225 ￥8.55

有货

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N沟道,电流:28A,耐压:300V

型号：FDB28N30TM 编号：C241751

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥9.07
10+
￥7.69
30+
￥6.93
100+
￥6.07
500+
￥5.68
800+
￥5.51

有货

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N沟道,电流:85A,耐压:100V

型号：IXTH16N10D2-VB 编号：C2680853

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥10.217 ￥12.02
10+
￥8.7125 ￥10.25
30+
￥7.2675 ￥8.55
90+
￥6.2985 ￥7.41
510+
￥5.865 ￥6.9
990+
￥5.678 ￥6.68

有货

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DMTH10H005LCT-HXY

型号：DMTH10H005LCT-HXY 编号：C53262920

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在大电流工作条件下维持较低温升。器件适用于高效率电源系统、电机控制及各类需要频繁开关操作的电力电子应用，能够支持高功率密度设计并提升整体能效表现。

1+
￥12.52
10+
￥10.66
50+
￥9.5

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:45A

型号：FDPF390N15A-VB 编号：C18795069

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥13.68 ￥14.4
10+
￥11.5805 ￥12.19
50+
￥10.26 ￥10.8
100+
￥8.911 ￥9.38
500+
￥8.303 ￥8.74
1000+
￥8.037 ￥8.46

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：VBZMB20N65S 编号：C700736

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；

数据手册

1+
￥14.603 ￥17.18
10+
￥12.4355 ￥14.63
50+
￥10.013 ￥11.78
100+
￥8.6275 ￥10.15
500+
￥7.9985 ￥9.41
1000+
￥7.7265 ￥9.09

有货

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650V 70A

型号：IGW40N60TP-HXY 编号：C49003452

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，进一步优化整体能效表现。该器件广泛应用于电源转换、电机控制及高频开关电路中，满足多种高性能电路设计需求。

1+
￥15.0385 ￥15.83
10+
￥12.806 ￥13.48
30+
￥11.4095 ￥12.01
90+
￥9.975 ￥10.5
510+
￥9.329 ￥9.82
990+
￥9.0535 ￥9.53

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:34A

型号：IRF8301MTRPBF 编号：C537836

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了 80%

数据手册

1+
￥17.53
10+
￥13.6344 ￥14.82
30+
￥10.3238 ￥12.59
100+
￥8.897 ￥10.85
500+
￥8.2492 ￥10.06
1000+
￥7.9704 ￥9.72

有货

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1.2kV 80A

型号：IRG7PH46UD-EP-HXY 编号：C49003327

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑，效率高，适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

1+
￥18.26
10+
￥15.55
30+
￥13.86

有货

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1.2kV 80A

型号：NGTB40N120IHRWG-HXY 编号：C49003329

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率、高电压的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置的续流二极管具备40A的正向电流（IF）能力和1.85V的正向压降（Vf），在高频开关和能量回馈场合表现稳定。模块采用标准封装设计，便于安装与散热，广泛用于电源变换、新能源设备及精密电机控制等电力电子领域。

1+
￥20.97
10+
￥18.02
30+
￥16.27

有货

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1.2kV 80A

型号：IRG7PH50K10D-EPBF-HXY 编号：C49003382

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关与耐高压特性的设备中，如电力转换装置、精密电机控制及高频率电源系统等场景。

1+
￥36.404 ￥38.32
10+
￥35.5775 ￥37.45
30+
￥35.036 ￥36.88
90+
￥34.485 ￥36.3

有货

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650V 100A

型号：IXYH75N65C3H1-HXY 编号：C49003392

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持中高功率电力转换需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，具备良好的电流承载与恢复特性。适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置，满足对稳定性与效率的高标准要求。

1+
￥36.404 ￥38.32
10+
￥35.5775 ￥37.45
30+
￥35.036 ￥36.88
90+
￥34.485 ￥36.3

有货

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650V 100A

型号：FGH60N60SFDTU-HXY 编号：C49003411

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率场景下的稳定工作。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持高达50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）也为1.65V，提升了整体能效表现。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计，能够满足复杂电路中对可靠性和性能的要求。

1+
￥37.126 ￥39.08
10+
￥32.091 ￥33.78
30+
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650V 100A

型号：IXXH60N65B4-HXY 编号：C49003431

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，进一步优化整体电性能表现。该器件适合用于多种类型的电力电子设备中，满足对稳定性和效率的较高要求。

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650V 70A

型号：IXYH50N65C3H1-HXY 编号：C49003391

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，可支持较高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复性能。该器件适用于需要高效能与稳定性的电力转换设备，如电源系统、储能装置及智能电网相关设备中，满足高可靠性和高效率的设计需求。

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