电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSC066N06NS-HXY 编号：C7543018

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，具备卓越的功率密度和散热性能。工作电压高达60V，连续电流可达80A，特别适合应用于高效率电源转换、大电流开关控制及电池管理系统中，以紧凑设计实现强大电力驱动。

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型号：SIR4604LDP-T1-GE3-HXY 编号：C49420500

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，有效降低功耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、转换器、电池保护电路及高密度电力电子设备中的开关应用。封装形式可根据需求适配不同场景，满足多样化设计要求。

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型号：SIRA34DP-T1-GE3-HXY 编号：C53263355

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。器件在高电流负载下表现出优异的导通性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，适合用于各类中低压电力电子电路中，作为高效开关元件实现稳定可靠的运行。

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型号：DMTH32M5LPSQ-13-HXY 编号：C51949303

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，适用于大电流开关应用。其低RDSON特性显著降低导通损耗，提升整体能效，适合对热性能和空间布局要求较高的设计。常用于高性能电源转换、大功率直流电机控制、储能系统及同步整流等电路中，能够有效支持高密度、高效率的电力管理方案，满足复杂电子设备对稳定性和响应速度的需求。

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型号：NTMFS4983NFT1G-HXY 编号：C53263362

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高电流开关等场景。器件结构优化了高频开关特性，适合在需要快速响应和高可靠性的电力电子系统中使用。

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型号：IPC100N04S5L-1R1-HXY 编号：C53263409

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高电流开关等应用场景。器件采用标准封装形式，便于集成于各类高效率电力电子电路中。

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型号：AOTF16N50 编号：C49256438

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换场合。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗，提高转换效率。器件具备良好的热稳定性与可靠性，可广泛应用于开关电源、适配器、LED驱动电路以及各类电力电子设备中，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。

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型号：SIR5108DP-T1-RE3-HXY 编号：C53262900

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流和100V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为6.4毫欧。低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于高电流开关电源、电机控制、不间断电源及各类高效能电力电子转换场合。其电气特性支持快速开关动作，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。

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型号：BSC060P03NS3E G-VB 编号：C7463912

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：FDPF16N50-HXY 编号：C49256441

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道场效应管（MOSFET）具备20A漏极电流能力，漏源电压耐受值为500V，导通电阻为260mΩ。该器件具有良好的热稳定性和较高的开关效率，适用于电源适配器、电池管理系统、光伏逆变装置及各类中功率电子设备中的电力控制与转换应用，能满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计方案。

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型号：BFL4037-HXY 编号：C49256439

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换应用。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、充电设备、LED驱动模块及各类电力电子变换装置，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。

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型号：HIRFP450APBF 编号：C42401082

封装：TO-247S

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET拥有14A的连续排水电流（ID/A），并且能够承受高达500V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为430毫欧，适用于高压应用环境。器件支持最大±20V的栅源电压（VGS），确保了在高压条件下的可靠操作。这种MOSFET适用于需要高压保护的场合，例如家用电器中的电机控制、高压直流转换器以及普通电子设备中的电源管理电路，能够在保证系统安全的同时提供有效的电力转换。

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型号：DMTH10H005LCT-HXY 编号：C53262920

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在大电流工作条件下维持较低温升。器件适用于高效率电源系统、电机控制及各类需要频繁开关操作的电力电子应用，能够支持高功率密度设计并提升整体能效表现。

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￥11.894 ￥12.52
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型号：IXFH34N65X3-HXY 编号：C51949356

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可稳定工作于较高电压环境，适用于高压开关电路。其连续漏极电流（ID）可达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有利于降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件在高耐压与低导通损耗之间实现良好平衡，适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备、高功率适配器及电力输送管理模块等应用，满足对能效和热性能有要求的电力电子设计方案。

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型号：NGTB40N120FL2WG-HXY 编号：C49003416

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）典型值为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合应用于高性能电源转换系统，如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块，满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。

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￥16.27

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型号：IRGP4790D-EPBF-HXY 编号：C49003328

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块提供75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。内置二极管可支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该器件结构紧凑、性能稳定，适合用于对能效和功率密度有一定要求的高频开关与电源转换应用。

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￥56.4965 ￥59.47
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￥40.2325 ￥42.35

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型号：IXYH40N120B3D1-HXY 编号：C49003429

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可稳定支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，提升了整体能效与可靠性。该器件适用于需要高效能电力转换与控制的设备，提供稳定的电路运行表现。

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￥61.3415 ￥64.57
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型号：FGH75N60SFTU-HXY 编号：C49003476

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块典型集电极电流为75A，集射极击穿电压达650V，具备较高的电流承载与耐压能力。导通状态下，集射极饱和电压为1.6V，有助于减少功率损耗。内部续流二极管可承受75A正向电流，正向压降为1.85V，表现出良好的导通性能。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，适用于多种电力电子系统中的开关与控制场景，能够满足对稳定性和效率有较高要求的应用需求。

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￥66.1865 ￥69.67
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型号：APT70GR120B2-HXY 编号：C49003484

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，具备优异的开关特性和稳定性。该器件适合应用于高效电力转换系统，如智能电网、新能源发电、精密电机驱动等场景，满足对可靠性与性能的严苛要求。

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￥71.1835 ￥74.93
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￥57.475 ￥60.5

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型号：IXYR50N120C3D1-HXY 编号：C49003395

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.7V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统，如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。

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型号：APT50GT120B2RG-HXY 编号：C49003482

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电路应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下可保持较低的能量损耗。内置二极管支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具有良好的热稳定性和开关性能，适用于多种高性能电力电子系统的设计与应用。

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型号：IKY75N120CH3XKSA1-HXY 编号：C49003422

封装：TO-247P-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能的同时兼顾导通损耗控制。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复特性与热稳定性。该器件可广泛应用于电力变换、能源管理、智能电网及高性能电源系统中，满足对可靠性和效率有高要求的电路设计需求。

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￥77.482 ￥81.56
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￥55.176 ￥58.08

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型号：IXXX160N65B4-HXY 编号：C49003479

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有助于降低导通损耗，提高能效。内置续流二极管支持160A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，表现出良好的电流承载能力和较低的损耗特性。该模块适用于电源变换、能量管理及高效电子设备，可满足高频开关与稳定运行的设计需求。

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￥63.2225 ￥66.55

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型号：IXXX160N65C4-HXY 编号：C49003478

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的续流二极管可承受160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，具备良好的电流承载与恢复性能。该器件适合应用于电源转换、能量管理及高效能电子设备中，支持高频开关操作，满足对稳定性和可靠性要求较高的电路设计需求。