电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 电力晶体管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共89873件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

650V 90A

型号：APT70GR65B-HXY 编号：C49003472

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件可广泛应用于电源变换器、电机驱动、储能系统及智能电网等场景，满足高效能与高稳定性需求的电路设计要求。

1+
￥43.586 ￥45.88
10+
￥37.6675 ￥39.65
30+
￥34.067 ￥35.86
90+
￥31.0365 ￥32.67

有货

立即购买

650V 100A

型号：IXYH75N65C3D1-HXY 编号：C49003430

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率需求的电路设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通压降，提升能量转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.65V，进一步优化系统整体性能。该器件适合用于多种高效电力控制与转换场景，提供稳定可靠的运行表现。

1+
￥51.661 ￥54.38
10+
￥44.6405 ￥46.99
30+
￥40.3655 ￥42.49
90+
￥36.784 ￥38.72

有货

立即购买

650V 90A

型号：IRGP4790D-EPBF-HXY 编号：C49003328

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块提供75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。内置二极管可支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该器件结构紧凑、性能稳定，适合用于对能效和功率密度有一定要求的高频开关与电源转换应用。

1+
￥56.4965 ￥59.47
10+
￥48.83 ￥51.4
30+
￥44.156 ￥46.48
90+
￥40.2325 ￥42.35

有货

立即购买

1.2kV 80A

型号：IXYH40N120C3-HXY 编号：C49003442

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统整体效率。内部反并联二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流能力与稳定性。该器件适合应用于电源变换器、储能系统及高效能开关电路等场景，满足对性能与可靠性有较高要求的电力电子设计方案。

1+
￥56.4965 ￥59.47
10+
￥48.83 ￥51.4
30+
￥44.156 ￥46.48
90+
￥40.2325 ￥42.35

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:60A

型号：AP2055K 编号：C2858583

封装：TO-252

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP2055K系列采用了Advanced Power创新的设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种可用于广泛电力应用的高效器件。

数据手册

5+
￥0.6659
50+
￥0.4895
150+
￥0.4013
500+
￥0.3351

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:13A

型号：VBZA4412 编号：C700586

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.81345 ￥0.957
50+
￥0.79526 ￥0.9356
150+
￥0.78319 ￥0.9214
500+
￥0.77112 ￥0.9072

有货

立即购买

1个N沟道电流:13A

型号：AO4406-VB 编号：C693194

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.858075 ￥1.0095
50+
￥0.836485 ￥0.9841
150+
￥0.822205 ￥0.9673
500+
￥0.80784 ￥0.9504

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:11A

型号：VBZA4410 编号：C700585

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.89233 ￥1.0498
50+
￥0.874225 ￥1.0285
150+
￥0.862155 ￥1.0143
500+
￥0.850085 ￥1.0001

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：ME4410-VB 编号：C710013

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.89964 ￥1.0584
50+
￥0.87788 ￥1.0328
150+
￥0.863345 ￥1.0157
500+
￥0.84881 ￥0.9986

有货

立即购买

1个N沟道电流:13A

型号：FDS6680AS-NL-VB 编号：C7568798

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
50+
￥0.910435 ￥1.0711
150+
￥0.8959 ￥1.054
500+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：SI4134DY-T1-E3-VB 编号：C20754936

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
50+
￥0.910435 ￥1.0711
150+
￥0.8959 ￥1.054
500+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：AO4566-VB 编号：C19626797

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
50+
￥0.910435 ￥1.0711
150+
￥0.8959 ￥1.054
500+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：IRF7413ZTRPBF-VB 编号：C20626371

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
50+
￥0.910435 ￥1.0711
150+
￥0.8959 ￥1.054
500+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：MDS1525URH-VB 编号：C20417730

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
50+
￥0.910435 ￥1.0711
150+
￥0.8959 ￥1.054
500+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：FDS6298-NL-VB 编号：C20755093

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
50+
￥0.910435 ￥1.0711
150+
￥0.8959 ￥1.054
500+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：IRF7809AVTRPBF-VB 编号：C7525046

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.963475 ￥1.1335
50+
￥0.941715 ￥1.1079
150+
￥0.92718 ￥1.0908
500+
￥0.912645 ￥1.0737

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:13A

型号：AP4424GM-VB 编号：C7524915

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.963475 ￥1.1335
50+
￥0.941715 ￥1.1079
150+
￥0.92718 ￥1.0908
500+
￥0.912645 ￥1.0737

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：PHK12NQ03LT-VB 编号：C5456585

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：SPN4412WS8RGB-VB 编号：C5456603

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道电流:13A

型号：IRF7467TRPBF-VB 编号：C7463660

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：MDS2658URH-VB 编号：C2680741

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

N沟道 MOSFET,电流:13A,耐压:30V

型号：SI4334DY-T1-E3-VB 编号：C2680882

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：APM4412KC-TRL-VB 编号：C2680892

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：TPC8010-H-VB 编号：C2680823

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道电流:13A

型号：FDS6670AS-NL-VB 编号：C5456498

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

N沟道,电流:13A,耐压:30V

型号：SM4839NSKC-TRG-VB 编号：C2680788

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：FDS6694-NL-VB 编号：C5444624

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:13A

型号：SI4688DY-T1-GE3-VB 编号：C7463606

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.002915 ￥1.1799
50+
￥0.98107 ￥1.1542
150+
￥0.966535 ￥1.1371
500+
￥0.952085 ￥1.1201

有货

立即购买

1个N沟道电流:13A

型号：NDS8425-NL-VB 编号：C7463620

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥1.002915 ￥1.1799
50+
￥0.98107 ￥1.1542
150+
￥0.966535 ￥1.1371
500+
￥0.952085 ￥1.1201

有货

立即购买

1个N沟道电流:13A

型号：CEM3252-VB 编号：C725000

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥1.00504 ￥1.1824
50+
￥0.98328 ￥1.1568
150+
￥0.968745 ￥1.1397
500+
￥0.95421 ￥1.1226

有货

立即购买

共2996页，89873条记录到页

<上一页
1
...
11
12
13
14
15
...
2996
下一页

立创商城为您提供电力晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买电力晶体管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content