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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.334495 ￥0.3521
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￥0.32243 ￥0.3394
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￥0.317585 ￥0.3343

有货

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型号：WPM3005-VB 编号：C879106

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.34922 ￥0.3676
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￥0.342095 ￥0.3601
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￥0.33725 ￥0.355
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￥0.3325 ￥0.35

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型号：VBZ3407 编号：C3040336

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.352165 ￥0.3707
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￥0.34485 ￥0.363
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￥0.340005 ￥0.3579
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￥0.33516 ￥0.3528

有货

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型号：MEM2310M3G 编号：C489595

封装：SOT-23-3L

品牌：MICRONE(南京微盟)

MEM2310M3G系列N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用，并且采用极小外形的表面贴装封装，功耗较低。

数据手册

10+
￥0.3527
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￥0.284
300+
￥0.2497

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型号：RSR025P03TL-VB 编号：C18212480

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.3534 ￥0.372
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型号：HM2318A-VB 编号：C7568800

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.3534 ￥0.372
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￥0.341335 ￥0.3593
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￥0.33649 ￥0.3542

有货

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型号：FDN537N-NL-VB 编号：C7463589

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.3583
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￥0.3507
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￥0.3406

有货

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型号：QM3001K-VB 编号：C725140

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.35775
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￥0.33125
6000+
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￥0.2968

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型号：SQ2303ES-T1-GE3-VB 编号：C7463595

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.372
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￥0.3593
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￥0.3542

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型号：2N7002BKV,115 编号：C551414

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

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￥0.4471
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￥0.4255

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型号：NX138AKHH 编号：C6943210

封装：DFN0606-3

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚、超小型DFN0606 - 3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥0.4539
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￥0.4452
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￥0.4394

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型号：2N7002BKT-VB 编号：C7568750

封装：SC75-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子电路中的功率控制和开关应用。SC75-3；N—Channel沟道,60V；0.33A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.499035 ￥0.5871
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￥0.323085 ￥0.3801
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￥0.243865 ￥0.2869
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型号：CMSA3006 编号：C7427448

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA3006采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

5+
￥0.5114
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￥0.4995
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￥0.4835

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型号：STK003SF-VB 编号：C693126

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

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￥0.5355 ￥0.63
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￥0.42738 ￥0.5028
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6000+
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型号：IRLML2030TRPBF-VB 编号：C5878821

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.538645 ￥0.6337
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型号：SI2303DS-T1-GE3-VB 编号：C20754934

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.538645 ￥0.6337
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型号：2SJ621-T1B-A-VB 编号：C5179548

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.549015 ￥0.6459
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￥0.440895 ￥0.5187
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￥0.2703 ￥0.318

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型号：SMS3400A-VB 编号：C5179569

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.55216 ￥0.6496
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型号：AP2321GN-VB 编号：C693295

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.456 ￥0.48
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￥0.39558 ￥0.4164
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￥0.350265 ￥0.3687
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￥0.313975 ￥0.3305
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型号：NTR4170NT3G-VB 编号：C19632143

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：AM2340NE-T1-PF-VB 编号：C5441213

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.456 ￥0.48
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￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：SSC8033GS6-VB 编号：C878856

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58767 ￥0.6186
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￥0.46455 ￥0.489
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￥0.40299 ￥0.4242
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￥0.35682 ￥0.3756
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￥0.319865 ￥0.3367
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型号：BSS306N-VB 编号：C20755074

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.58767 ￥0.6186
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型号：SI2307BDS-T1-GE3-VB 编号：C5179520

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.591945 ￥0.6231
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￥0.471105 ￥0.4959
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型号：SI2369DS-T1-GE3-VB 编号：C5878838

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.273505 ￥0.2879

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型号：FDN304PZ-NL-VB 编号：C558122

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.607145 ￥0.6391
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￥0.315305 ￥0.3319
6000+
￥0.297065 ￥0.3127

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型号：IRLML0030TRPBF-VB 编号：C7429056

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.61408 ￥0.6464
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￥0.49324 ￥0.5192
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￥0.43282 ￥0.4556
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￥0.387505 ￥0.4079
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：SSF3341L-VB 编号：C18212575

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.617405 ￥0.6499
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型号：SI3457DV-T1-E3-VB 编号：C7494505

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.617865 ￥0.7269
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￥0.6035 ￥0.71
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￥0.59381 ￥0.6986
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￥0.584205 ￥0.6873

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型号：SI3455ADV-T1-GE3-VB 编号：C19632037

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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