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价格(含税)

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1个P沟道耐压:30V

型号：FDC610PZ-VB 编号：C7568935

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：NTGD4167CT1G-VB 编号：C7568849

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：BSL308C-VB 编号：C19188190

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：VBK3215N 编号：C516947

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

数据手册

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.5797 ￥0.682
6000+
￥0.543575 ￥0.6395

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:80A

型号：CMD80P02 编号：C5371873

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。

数据手册

1+
￥1.24393 ￥1.3094
10+
￥0.97679 ￥1.0282
30+
￥0.86222 ￥0.9076
100+
￥0.719435 ￥0.7573
500+
￥0.655785 ￥0.6903
1000+
￥0.617595 ￥0.6501

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：CPH6355-VB 编号：C5179577

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.249075 ￥1.4695
50+
￥0.996285 ￥1.1721
150+
￥0.887995 ￥1.0447
500+
￥0.75276 ￥0.8856
3000+
￥0.66249 ￥0.7794
6000+
￥0.62645 ￥0.737

有货

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低侧单通道驱动芯片

型号：EG1416 编号：C5346625

封装：SOT23-5

品牌：EG(屹晶微)

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.2508
50+
￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：FDC6327C-VB 编号：C693273

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

5+
￥1.257745 ￥1.4797
50+
￥1.004955 ￥1.1823
150+
￥0.896665 ￥1.0549
500+
￥0.761515 ￥0.8959
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V

型号：P5803NAG-VB 编号：C710043

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

5+
￥1.26021 ￥1.4826
50+
￥1.00742 ￥1.1852
150+
￥0.89913 ￥1.0578
500+
￥0.76398 ￥0.8988
3000+
￥0.7038 ￥0.828
6000+
￥0.667675 ￥0.7855

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：FDG8850NZ-VB 编号：C7494448

封装：SC70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：BSL207SP-VB 编号：C20755474

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3443DV-T1-GE3-VB 编号：C7524969

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：MIS6537-VB 编号：C20755538

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：AO6409A-VB 编号：C20755339

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
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￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：Si3407DV-T1-GE3-VB 编号：C5438958

封装：SOT-23-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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P沟道20V（D-S）MOSFET

型号：CMU75P02 编号：C17702475

封装：TO-251

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。

5+
￥1.32943 ￥1.3994
50+
￥1.06229 ￥1.1182
160+
￥0.86222 ￥0.9076
480+
￥0.719435 ￥0.7573
2480+
￥0.655785 ￥0.6903
6400+
￥0.617595 ￥0.6501

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：2SJ481-VB 编号：C20755331

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.33637 ￥1.5722
50+
￥1.049325 ￥1.2345
150+
￥0.92633 ￥1.0898
1000+
￥0.77282 ￥0.9092
2000+
￥0.70448 ￥0.8288
5000+
￥0.66351 ￥0.7806

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC365P-VB 编号：C5179519

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.348905 ￥1.4199
50+
￥1.066375 ￥1.1225
150+
￥0.945345 ￥0.9951
500+
￥0.794295 ￥0.8361
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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30V，SOT23-6封装，单沟槽P沟道MOSFET

型号：CPH6350-TL-W-VB 编号：C45662578

封装：SOT-23-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。

5+
￥1.369235 ￥1.4413
50+
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￥0.814625 ￥0.8575
3000+
￥0.747365 ￥0.7867
6000+
￥0.70699 ￥0.7442

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：XP162A11C0PR-VB 编号：C20754975

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.391195 ￥1.6367
50+
￥1.104235 ￥1.2991
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￥0.981155 ￥1.1543
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￥0.82773 ￥0.9738
2000+
￥0.75939 ￥0.8934
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有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：2SJ317NYTL-E-VB 编号：C19188160

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.391195 ￥1.6367
50+
￥1.104235 ￥1.2991
150+
￥0.981155 ￥1.1543
1000+
￥0.82773 ￥0.9738
2000+
￥0.75939 ￥0.8934
5000+
￥0.718335 ￥0.8451

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：2SJ335-VB 编号：C20755109

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.391195 ￥1.6367
50+
￥1.104235 ￥1.2991
150+
￥0.981155 ￥1.1543
1000+
￥0.82773 ￥0.9738
2000+
￥0.75939 ￥0.8934
5000+
￥0.718335 ￥0.8451

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：9435GG-VB 编号：C20755453

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.391195 ￥1.6367
50+
￥1.104235 ￥1.2991
150+
￥0.981155 ￥1.1543
1000+
￥0.82773 ￥0.9738
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￥0.75939 ￥0.8934
5000+
￥0.718335 ￥0.8451

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.8A

型号：2SK3074-VB 编号：C19188262

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；

5+
￥1.391195 ￥1.6367
50+
￥1.104235 ￥1.2991
150+
￥0.981155 ￥1.1543
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￥0.82773 ￥0.9738
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￥0.75939 ￥0.8934
5000+
￥0.718335 ￥0.8451

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：2SJ244-VB 编号：C693248

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.391535 ￥1.6371
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N沟道，200V，5A，466mΩ@10V,3A，2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRFR220NTRPBF(ES) 编号：C42434103

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR220NTRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

5+
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：9435-VB 编号：C20417493

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.476025 ￥1.7365
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：APM9435KC-TRL-VB 编号：C7463693

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.513085 ￥1.7801
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￥1.19612 ￥1.4072
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：TSM4415CS RL-VB 编号：C5456614

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.513085 ￥1.7801
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￥1.19612 ￥1.4072
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AP9435GM-HF-VB 编号：C7463671

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.513085 ￥1.7801
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