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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRLMS5703TRPBF-VB 编号：C20755080

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：TPC6108-VB 编号：C20755404

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：BSL215C-VB 编号：C19626716

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：IRF5803GTRPBF-VB 编号：C7524958

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.198245 ￥1.4097
50+
￥0.945455 ￥1.1123
150+
￥0.837165 ￥0.9849
500+
￥0.702015 ￥0.8259
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：HAT1044M-EL-E-VB 编号：C7524956

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.198245 ￥1.4097
50+
￥0.945455 ￥1.1123
150+
￥0.837165 ￥0.9849
500+
￥0.702015 ￥0.8259
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRF5803TRPBF-VB 编号：C558144

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.20156 ￥1.4136
50+
￥0.94894 ￥1.1164
150+
￥0.84065 ￥0.989
500+
￥0.7055 ￥0.83
3000+
￥0.62016 ￥0.7296
6000+
￥0.584035 ￥0.6871

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：NTGS3433T1G-VB 编号：C20755063

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.2019 ￥1.414
50+
￥0.94911 ￥1.1166
150+
￥0.84082 ￥0.9892
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￥0.70567 ￥0.8302
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：NTGS4111PT1G-VB 编号：C5878832

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.206405 ￥1.4193
50+
￥0.953615 ￥1.1219
150+
￥0.845325 ￥0.9945
500+
￥0.710175 ￥0.8355
3000+
￥0.649995 ￥0.7647
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：PMGD290XN-VB 编号：C693214

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

数据手册

5+
￥1.206405 ￥1.4193
50+
￥0.953615 ￥1.1219
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￥0.845325 ￥0.9945
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￥0.710175 ￥0.8355
3000+
￥0.649995 ￥0.7647
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1917TE-VB 编号：C5355734

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.206405 ￥1.4193
50+
￥0.953615 ￥1.1219
150+
￥0.845325 ￥0.9945
500+
￥0.710175 ￥0.8355
3000+
￥0.649995 ￥0.7647
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：NTJD4401NT1G-VB 编号：C5355772

封装：SOT-363(SC-70)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

5+
￥1.206405 ￥1.4193
50+
￥0.953615 ￥1.1219
150+
￥0.845325 ￥0.9945
500+
￥0.710175 ￥0.8355
3000+
￥0.649995 ￥0.7647
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:5A

型号：PMV28XPEAR 编号：C6736673

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

P- 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

10+
￥1.5255
100+
￥1.469
200+
￥1.356
1000+
￥1.2995
2000+
￥1.2656

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：IRLMS6802TRPBF-VB 编号：C558181

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.22434 ￥1.4404
50+
￥0.97172 ￥1.1432
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￥0.86343 ￥1.0158
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￥0.728365 ￥0.8569
3000+
￥0.66827 ￥0.7862
6000+
￥0.632145 ￥0.7437

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC658AP-VB 编号：C878861

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.22451 ￥1.4406
50+
￥0.97189 ￥1.1434
150+
￥0.8636 ￥1.016
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￥0.728535 ￥0.8571
3000+
￥0.668355 ￥0.7863
6000+
￥0.632315 ￥0.7439

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3457DV-T1-E3-VB 编号：C7494505

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.224935 ￥1.4411
50+
￥0.97223 ￥1.1438
150+
￥0.86394 ￥1.0164
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￥0.72879 ￥0.8574
3000+
￥0.66861 ￥0.7866
6000+
￥0.632485 ￥0.7441

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3455ADV-T1-GE3-VB 编号：C19632037

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
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￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3433CDV-T1-GE3-VB 编号：C18212519

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
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￥0.728875 ￥0.8575
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￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRF5806TRPBF-VB 编号：C20417603

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.728875 ￥0.8575
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￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：ZXMP4A57E6-VB 编号：C19626749

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.225105 ￥1.4413
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有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC634P-VB 编号：C20626369

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.225105 ￥1.4413
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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：QS6M4TR-VB 编号：C20755206

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.668695 ￥0.7867
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￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：AO6401A-VB 编号：C20754972

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
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￥0.864025 ￥1.0165
500+
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￥0.668695 ￥0.7867
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￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：HM6602-VB 编号：C20755069

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
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￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：STS2620-VB 编号：C20755398

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：SI1972DH-T1-GE3-VB 编号：C20626254

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：SI3588DV-T1-GE3-VB 编号：C19632262

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：STS3621-VB 编号：C20755399

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:600mA

型号：NTZD3155CT1G-VB 编号：C20755414

封装：SC-75-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=±0.7~±2V；

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N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：SI1922EDH-T1-GE3-VB 编号：C18212435

封装：SC70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

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1个P沟道耐压:30V

型号：FDC606P-VB 编号：C7568934

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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