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价格(含税)

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：VBZ3401B 编号：C3040200

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.315095 ￥0.3707
50+
￥0.30855 ￥0.363
150+
￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2307CDS-T1-GE3-VB 编号：C18212592

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ST2306SRG-VB 编号：C18794947

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2307CDS-T1-E3-VB 编号：C18212455

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：NTR4502PT3G-VB 编号：C18212525

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2305AS23RG-VB 编号：C18212494

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CES2313-VB 编号：C18212583

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2343CDS-T1-E3-VB 编号：C18794935

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：3400 CMN3400-VB 编号：C18212599

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2303CDS-T1-GE3-VB 编号：C18212544

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM3400C-VB 编号：C18212543

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：PMV33UPE-VB 编号：C18795004

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：NVTR4503NT1G-VB 编号：C7568856

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2303BDS-T1-GE3-VB 编号：C7568765

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDN357N-NL-VB 编号：C18794982

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：STS3415-VB 编号：C725216

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.319855 ￥0.3763
50+
￥0.31331 ￥0.3686
150+
￥0.308975 ￥0.3635
500+
￥0.30464 ￥0.3584

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SM2323PSA-VB 编号：C878887

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.321215 ￥0.3779
50+
￥0.31467 ￥0.3702
150+
￥0.310335 ￥0.3651
500+
￥0.306 ￥0.36

有货

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N沟道,电流:3.2A,耐压:30V

型号：ST2304 编号：C2682902

封装：SOT-23-3L

品牌：STANSON(司坦森)

ST2304是一款采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合

数据手册

10+
￥0.3249
100+
￥0.2529
300+
￥0.2169
3000+
￥0.1899
6000+
￥0.1683
9000+
￥0.1575

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM2305PE-T1-PF-VB 编号：C5878777

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.328225 ￥0.3455
50+
￥0.32091 ￥0.3378
150+
￥0.31616 ￥0.3328
500+
￥0.311315 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ZXMN3F30FHTA-VB 编号：C5444655

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AO3418-VB 编号：C7525019

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.330315 ￥0.3477
50+
￥0.322905 ￥0.3399
150+
￥0.317965 ￥0.3347
500+
￥0.313025 ￥0.3295

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP3130L-7-VB 编号：C7494574

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.330905 ￥0.3893
50+
￥0.32436 ￥0.3816
150+
￥0.32011 ￥0.3766
500+
￥0.315775 ￥0.3715

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDN372S-NL-VB 编号：C7494516

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.330905 ￥0.3893
50+
￥0.32436 ￥0.3816
150+
￥0.32011 ￥0.3766
500+
￥0.315775 ￥0.3715

有货

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-30 V，SOT23-3 封装，单P沟道沟槽MOSFET

型号：SI2343DS-T1-E3-VB 编号：C45662585

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMG3415UQ-7-VB 编号：C45662588

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP3130LQ-7-VB 编号：C45662593

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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30V沟槽型单P沟道MOSFET

型号：RQ5E035ATTCL-VB 编号：C45662592

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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SOT23-3封装，-30V单P沟道沟槽MOSFET

型号：SI2369BDS-T1-GE3-VB 编号：C45662591

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
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-30V单P沟道沟槽型SOT23-3封装MOSFET

型号：SI2393DS-T1-GE3-VB 编号：C45662584

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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SOT23-3封装，单沟槽、30V MOSFET

型号：AOSS21311C-VB 编号：C45662589

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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