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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM2319P-T1-PF-VB 编号：C5456475

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：APM2303AC-TRL-VB 编号：C5456484

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：WNM3008-VB 编号：C5355692

封装：TO-236(SOT-23)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2305AAC-TRL-VB 编号：C5355747

封装：TO-236(SOT-23)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ZXMP3F30FHTA-VB 编号：C5444657

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CES2307-VB 编号：C693422

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.29563 ￥0.3478
50+
￥0.28917 ￥0.3402
150+
￥0.28475 ￥0.335
500+
￥0.280415 ￥0.3299

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SSM3K333R-VB 编号：C693205

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.298605 ￥0.3513
50+
￥0.291975 ￥0.3435
150+
￥0.287555 ￥0.3383
500+
￥0.28322 ￥0.3332

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ME2347-VB 编号：C19626758

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM3400B-VB 编号：C19626827

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ST2304-VB 编号：C878846

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ZXMP3A13FTA-VB 编号：C19190182

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：VB1218X 编号：C516872

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；8A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；

数据手册

5+
￥0.29937 ￥0.3522
50+
￥0.29291 ￥0.3446
150+
￥0.288575 ￥0.3395
500+
￥0.28424 ￥0.3344

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.88A

型号：WNM4153-3/TR 编号：C239557

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4153 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换应用。标准产品 WNM4153 为无铅产品

数据手册

10+
￥0.3021
100+
￥0.2421
300+
￥0.2121
3000+
￥0.1896

有货

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N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：NX138BKWX-VB 编号：C45662539

封装：SC-70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。

5+
￥0.302955 ￥0.3189
50+
￥0.2964 ￥0.312
150+
￥0.29203 ￥0.3074
500+
￥0.28766 ￥0.3028

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：ME2325-VB 编号：C20754959

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2306BDS-T1-GE3-VB 编号：C7494608

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ME2306A-VB 编号：C879079

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ZXM61P03FTA-VB 编号：C5179572

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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P沟道,电流:5.4A,耐压:30V

型号：VBZ3401X 编号：C3040221

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：2305-VB 编号：C5179555

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：2SJ486ZU-TL-E-VB 编号：C5179574

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：DMN3730U-7-VB 编号：C5179510

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2319SRG-VB 编号：C5137393

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：2SK3290-VB 编号：C709872

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.31501 ￥0.3706
50+
￥0.30855 ￥0.363
150+
￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：2SK3105-T1B-A-VB 编号：C557930

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.31501 ￥0.3706
50+
￥0.30855 ￥0.363
150+
￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

有货

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N沟道,电流:6.5A,耐压:30V

型号：SPN2306WS23RGB-VB 编号：C3040318

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.315095 ￥0.3707
50+
￥0.30855 ￥0.363
150+
￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：2303-VB 编号：C4355084

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.315095 ￥0.3707
50+
￥0.30855 ￥0.363
150+
￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：KFH-VB 编号：C4355051

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.315095 ￥0.3707
50+
￥0.30855 ￥0.363
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N沟道 MOSFET,电流:6.5A,耐压:30V

型号：TSM3404CX RF-VB 编号：C3040301

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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N沟道,电流:6.5A,耐压:30V

型号：MEM2310XG-VB 编号：C3040293

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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