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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSF3341L-VB 编号：C18212575

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.617405 ￥0.6499
50+
￥0.496565 ￥0.5227
150+
￥0.436145 ￥0.4591
500+
￥0.39083 ￥0.4114
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：TSM2306CX RF-VB 编号：C19188145

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.617405 ￥0.6499
50+
￥0.496565 ￥0.5227
150+
￥0.436145 ￥0.4591
500+
￥0.39083 ￥0.4114
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：G2306A-VB 编号：C693430

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.61769 ￥0.6502
50+
￥0.496565 ￥0.5227
150+
￥0.43605 ￥0.459
500+
￥0.39064 ￥0.4112
3000+
￥0.31464 ￥0.3312
6000+
￥0.296495 ￥0.3121

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3407-VB 编号：C693136

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.61788 ￥0.6504
50+
￥0.49704 ￥0.5232
150+
￥0.43662 ￥0.4596
500+
￥0.391305 ￥0.4119
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SSM3K336R-VB 编号：C7568771

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.62909 ￥0.6622
50+
￥0.50597 ￥0.5326
150+
￥0.44441 ￥0.4678
500+
￥0.39824 ￥0.4192
3000+
￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：FDN304PZ-NL-VB 编号：C558122

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.637545 ￥0.6711
50+
￥0.51015 ￥0.537
150+
￥0.446405 ￥0.4699
500+
￥0.39862 ￥0.4196
3000+
￥0.331075 ￥0.3485
6000+
￥0.311885 ￥0.3283

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSC8035GS6-VB 编号：C725195

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.646665 ￥0.6807
50+
￥0.525825 ￥0.5535
150+
￥0.465405 ￥0.4899
500+
￥0.42009 ￥0.4422
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.4A

型号：PMV50XPR 编号：C547261

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.664
50+
￥0.647
150+
￥0.6357

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:5A

型号：ST2317S23RG 编号：C2682896

封装：SOT-23-3L

品牌：STANSON(司坦森)

ST2317S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他电池供电电路，这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗

数据手册

5+
￥0.762
50+
￥0.6084
150+
￥0.5316
500+
￥0.474
3000+
￥0.3991
6000+
￥0.376

有货

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四路 2 输入或非门

型号：74HC02N 编号：C507193

封装：DIP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。工作电压范围：2.0至6.0V。低输入电流：1.0A。具有CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.851
50+
￥0.6727
150+
￥0.5836
500+
￥0.5167
2000+
￥0.4632
5000+
￥0.4365

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:10A

型号：STP9527 编号：C2682812

封装：SOP-8

品牌：STANSON(司坦森)

SuSCRIPTIONSTP9527是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥0.863
50+
￥0.6998
150+
￥0.6182
500+
￥0.557
2500+
￥0.4344
5000+
￥0.4099

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:590mA

型号：PMZ550UNEYL 编号：C547285

封装：SOT-883

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小型OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.8643
50+
￥0.7542
150+
￥0.6991
500+
￥0.6578
2500+
￥0.6247
5000+
￥0.6082

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:4.4A

型号：PMV28ENEAR 编号：C553090

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.926
50+
￥0.906
150+
￥0.8926
500+
￥0.8793

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耐压:650V 电流:4A

型号：4N65F 编号：C5455844

封装：TO-220F

品牌：XCH(旭昌辉)

XCH4N65 F 硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 251，符合 RoHS 标准

5+
￥0.93909 ￥1.361
50+
￥0.737403 ￥1.0687
150+
￥0.650946 ￥0.9434
500+
￥0.543099 ￥0.7871
2500+
￥0.495075 ￥0.7175
5000+
￥0.466233 ￥0.6757

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:90A

型号：RCQ5304 编号：C5137065

封装：PPAK-8(5x6)

品牌：RealChip(正芯半导体)

N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.9863
50+
￥0.7798
150+
￥0.6912

有货

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2个P沟道耐压:50V 电流:170mA

型号：BSS84AKV,115 编号：C456110

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.0004
50+
￥0.7868
150+
￥0.6953
500+
￥0.5811
2500+
￥0.5302
4000+
￥0.4997

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N沟道耐压:100V 电流:1A

型号：UK2962L-T9N-B 编号：C2978930

封装：TO-92-3

品牌：UTC(友顺)

UK2962是一款硅N沟道MOS型场效应晶体管，它采用先进技术，为客户提供极小的导通电阻和低漏电流等特性。UK2962适用于斩波稳压器、直流-直流转换器和电机驱动应用。

数据手册

5+
￥1.0557
50+
￥0.8685
150+
￥0.7749
500+
￥0.7047

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：IRF4435TRPBF-VB 编号：C7463688

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.12385 ￥1.183
50+
￥1.097535 ￥1.1553
150+
￥1.080055 ￥1.1369
500+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:20A

型号：STN4488L 编号：C2682798

封装：SOP-8

品牌：STANSON(司坦森)

STN4488L 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。它适用于便携式或电池供电系统中的电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.1401
50+
￥0.9952
150+
￥0.9331
500+
￥0.8556
2500+
￥0.7797
5000+
￥0.759

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:110A

型号：CMSA150N04B 编号：C6939758

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA150N04B采用先进技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管（FET）。

5+
￥1.1628 ￥1.224
50+
￥1.13563 ￥1.1954
150+
￥1.117485 ￥1.1763
500+
￥1.09934 ￥1.1572

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：IRF5851TRPBF-VB 编号：C5878801

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：SI3590DV-T1-GE3-VB 编号：C20626256

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UT3443L-AG6-R-VB 编号：C20755271

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：Si3585CDV-T1-GE3-VB 编号：C5441241

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1914TE-VB 编号：C20755128

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：ZXM62P03E6TA-VB 编号：C20755323

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
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￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：DMP3056LDM-7-VB 编号：C20755155

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.176825 ￥1.3845
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￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1919TE-VB 编号：C20754976

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3441DV-T1-E3-VB 编号：C20754960

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.924035 ￥1.0871
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1个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：SI1912EDH-T1-GE3-VB 编号：C20626280

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

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