场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2P50G-TN3-R 编号：C484516

封装：TO-252

品牌：UTC(友顺)

UTC 2P50 是一款 P 沟道 MOS 场效应晶体管。它采用 UTC 的先进技术，为客户提供高开关速度和最小导通电阻。UTC 2P50 适用于高压开关应用

数据手册

5+
￥1.5188
50+
￥1.1962
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￥1.058
500+
￥0.8855

有货

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型号：HAT1020R-VB 编号：C7524955

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥1.21958 ￥1.4348
150+
￥1.083665 ￥1.2749
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￥0.914175 ￥1.0755
2500+
￥0.838695 ￥0.9867
4000+
￥0.79339 ￥0.9334

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型号：IRF7205TRPBF-VB 编号：C7463682

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥1.21958 ￥1.4348
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￥1.083665 ￥1.2749
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￥0.914175 ￥1.0755
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￥0.838695 ￥0.9867
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型号：MDS3753EURH&30V-VB 编号：C19711372

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥1.21958 ￥1.4348
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￥1.083665 ￥1.2749
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￥0.914175 ￥1.0755
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￥0.838695 ￥0.9867
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型号：UT9435G-S08-R-VB 编号：C19711374

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥0.838695 ￥0.9867
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型号：9435SC-VB 编号：C20417585

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥0.838695 ￥0.9867
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型号：PHP109-VB 编号：C20417703

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥1.21958 ￥1.4348
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￥0.838695 ￥0.9867
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型号：DMP3037LSS-13-F-VB 编号：C19188136

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥0.838695 ￥0.9867
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型号：HM9435B-VB 编号：C19188189

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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￥1.21958 ￥1.4348
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￥1.083665 ￥1.2749
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￥0.838695 ￥0.9867
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型号：HM9435-VB 编号：C20417503

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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型号：NTMS3P03R2G-VB 编号：C20755305

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.536545 ￥1.8077
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型号：2SJ562-VB 编号：C878875

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.55724 ￥1.6392
50+
￥1.236425 ￥1.3015
150+
￥1.09896 ￥1.1568
1000+
￥0.863835 ￥0.9093
2000+
￥0.787455 ￥0.8289
5000+
￥0.74157 ￥0.7806

有货

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型号：CMU4010 编号：C7545156

封装：TO-251

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

4010是N沟道MOS场效应晶体管。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路。

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￥1.5618 ￥1.644
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￥1.232435 ￥1.2973
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￥1.091265 ￥1.1487
80+
￥0.887015 ￥0.9337
480+
￥0.808545 ￥0.8511
960+
￥0.76152 ￥0.8016

有货

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型号：SEM9435-VB 编号：C5137418

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

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￥1.56655 ￥1.843
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￥1.249585 ￥1.4701
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￥1.11367 ￥1.3102
500+
￥0.94418 ￥1.1108
2500+
￥0.83096 ￥0.9776
4000+
￥0.785655 ￥0.9243

有货

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型号：SM9435PSKC-TRG-VB 编号：C3040328

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.57284 ￥1.8504
50+
￥1.255875 ￥1.4775
150+
￥1.11996 ￥1.3176
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￥0.95047 ￥1.1182
2500+
￥0.83725 ￥0.985
4000+
￥0.791945 ￥0.9317

有货

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型号：DTM9435-VB 编号：C4355136

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

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￥1.57284 ￥1.8504
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￥1.255875 ￥1.4775
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￥1.11996 ￥1.3176
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￥0.95047 ￥1.1182
2500+
￥0.83725 ￥0.985
4000+
￥0.791945 ￥0.9317

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型号：AO4449-VB 编号：C878868

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.573095 ￥1.8507
50+
￥1.256045 ￥1.4777
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￥1.120215 ￥1.3179
500+
￥0.95064 ￥1.1184
2500+
￥0.815235 ￥0.9591
4000+
￥0.76993 ￥0.9058

有货

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型号：PMV25ENEAR 编号：C458158

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

5+
￥1.5943
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￥1.2595
150+
￥1.116
500+
￥0.937
3000+
￥0.8573
6000+
￥0.8094

有货

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型号：PMV27UPEAR 编号：C553088

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.6016
50+
￥1.2715
150+
￥1.13
500+
￥0.9534
3000+
￥0.8748
6000+
￥0.8277

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型号：CN3387 编号：C2961778

封装：SSOP-10

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN3387是一款PFM升压型镍氢电池充电控制集成电路，可以对4节到12节镍氢电池进行充电管理。CN3387输入电压范围2.7V到6.5V，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路，输出过压保护电路，电池电压过低保护单元，控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等，非常适合5V输入，为多节镍氢电池的充电控制应用，具有外部元件少，功能多，电路简单等优点。当接入输入电源后，CN3387进入恒流充电状态，STAT管脚输出高电平，片外N沟道场效应晶体管导通，电感电流上升，输出电容中的能量转移到电池中。

数据手册

5+
￥1.6054
50+
￥1.2576
150+
￥1.1085
500+
￥0.9018
2500+
￥0.819
4000+
￥0.7693

有货

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型号：7N65F 编号：C5455846

封装：TO-220F

品牌：XCH(旭昌辉)

XCH7N65F是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准

5+
￥1.671905 ￥1.7599
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￥1.312805 ￥1.3819
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￥1.158905 ￥1.2199
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￥0.96691 ￥1.0178
2500+
￥0.88141 ￥0.9278
5000+
￥0.83011 ￥0.8738

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型号：CMB32N20P 编号：C20416968

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻。这些器件适用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

1+
￥1.691 ￥1.78
10+
￥1.653 ￥1.74
30+
￥1.6245 ￥1.71
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￥1.6055 ￥1.69

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型号：DMP6350SQ-7-VB 编号：C45662581

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-60V；-4.5A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1~-3V；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块，例如电池管理系统、DC-DC转换器和电源开关，便携式电子产品的电源管理和功率控制以及医疗器械模块

5+
￥1.717315 ￥1.8077
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￥1.36306 ￥1.4348
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￥1.211155 ￥1.2749
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￥1.021725 ￥1.0755
3000+
￥0.937365 ￥0.9867
6000+
￥0.88673 ￥0.9334

有货

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型号：PMN230ENEX 编号：C552968

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457（SC-74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

1+
￥1.7484 ￥2.82
10+
￥1.4352 ￥2.76
30+
￥1.1424 ￥2.72
100+
￥1.1256 ￥2.68

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型号：CR7N65A4K 编号：C2925581

封装：TO-252

品牌：CRMICRO(华润微)

CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率

数据手册

1+
￥1.8022
10+
￥1.4069
30+
￥1.2375
100+
￥1.0261
500+
￥0.932
1000+
￥0.9048

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型号：XCH13N50F 编号：C19712039

封装：TO-220F

品牌：XCH(旭昌辉)

XCH13N50F是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准

5+
￥1.819607 ￥2.3033
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￥1.441355 ￥1.8245
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￥1.279247 ￥1.6193
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￥1.077007 ￥1.3633
2500+
￥0.986947 ￥1.2493
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￥0.932911 ￥1.1809

有货

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型号：NTF3055-100T1G-VB 编号：C6705298

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥1.81985 ￥2.141
50+
￥1.43854 ￥1.6924
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￥1.27517 ￥1.5002
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￥1.01524 ￥1.1944
2500+
￥0.92446 ￥1.0876
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￥0.869975 ￥1.0235

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型号：BSP295-VB 编号：C7463562

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥1.81985 ￥2.141
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￥1.071255 ￥1.2603
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￥0.980475 ￥1.1535
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型号：FDG410NZ-VB 编号：C7525067

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；

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型号：SI1424EDH-T1-GE3-VB 编号：C7524908

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；

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