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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRF5806TRPBF-VB 编号：C20417603

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：SI3590DV-T1-GE3-VB 编号：C20626256

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：FDC6333C-NL-VB 编号：C20626294

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
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￥0.58429 ￥0.6874

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3457BDV-T1-GE3-VB 编号：C7524971

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
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￥0.58429 ￥0.6874

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC634P-VB 编号：C20626369

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.61795 ￥0.727
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￥0.58429 ￥0.6874

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：QS6M4TR-VB 编号：C20755206

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：AO6401A-VB 编号：C20754972

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
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￥0.58429 ￥0.6874

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UT3443L-AG6-R-VB 编号：C20755271

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.58429 ￥0.6874

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：STS2620-VB 编号：C20755398

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
500+
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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:600mA

型号：NTZD3155CT1G-VB 编号：C20755414

封装：SC-75-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=±0.7~±2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
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￥0.58429 ￥0.6874

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：HM6602-VB 编号：C20755069

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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￥0.61795 ￥0.727
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￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
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N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：SI1972DH-T1-GE3-VB 编号：C20626254

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1914TE-VB 编号：C20755128

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
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￥0.593895 ￥0.6987
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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：ZXM62P03E6TA-VB 编号：C20755323

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
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￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：STS3621-VB 编号：C20755399

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
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￥0.593895 ￥0.6987
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￥0.58429 ￥0.6874

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：DMP3056LDM-7-VB 编号：C20755155

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：UPA1919TE-VB 编号：C20754976

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
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￥0.58429 ￥0.6874

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N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：SI1922EDH-T1-GE3-VB 编号：C18212435

封装：SC70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：SI3469DV-T1-GE3-VB 编号：C20755242

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRLMS5703TRPBF-VB 编号：C20755080

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：TPC6108-VB 编号：C20755404

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
500+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:5A

型号：BRCS1C0P06MFQ 编号：C36499025

封装：SOT-23-6

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管 P沟道 60V 5A 0.1Ω

5+
￥0.6347
50+
￥0.5017
150+
￥0.4352
500+
￥0.3854
3000+
￥0.3455

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：PMGD280UN-VB 编号：C7524968

封装：SC70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

5+
￥0.63937 ￥0.7522
50+
￥0.62492 ￥0.7352
150+
￥0.615315 ￥0.7239
500+
￥0.60571 ￥0.7126

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：IRF5803GTRPBF-VB 编号：C7524958

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.63937 ￥0.7522
50+
￥0.62492 ￥0.7352
150+
￥0.615315 ￥0.7239
500+
￥0.60571 ￥0.7126

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：HAT1044M-EL-E-VB 编号：C7524956

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.63937 ￥0.7522
50+
￥0.62492 ￥0.7352
150+
￥0.615315 ￥0.7239
500+
￥0.60571 ￥0.7126

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SPP3407DS23RGB-VB 编号：C879174

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.63973 ￥0.6734
50+
￥0.51889 ￥0.5462
150+
￥0.45847 ￥0.4826
500+
￥0.413155 ￥0.4349
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：MEM2303XG-VB 编号：C7568763

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.64258 ￥0.6764
50+
￥0.52174 ￥0.5492
150+
￥0.46132 ￥0.4856
500+
￥0.416005 ￥0.4379
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：IRF5803TRPBF-VB 编号：C558144

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：NTGS4111PT1G-VB 编号：C5878832

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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2个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：PMGD290XN-VB 编号：C693214

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

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