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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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P沟道增强型功率场效应晶体管
型号：FDS4435-GK 编号：C42434484
封装：SOP-8
品牌：GOODWORK(固得沃克)
P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

  • 10+

    ￥0.4428 ￥0.492

  • 100+

    ￥0.35856 ￥0.3984

  • 300+

    ￥0.31644 ￥0.3516

  • 3000+

    ￥0.28485 ￥0.3165

  • 6000+

    ￥0.25956 ￥0.2884

  • 9000+

    ￥0.24687 ￥0.2743
  • 有货
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    P沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2301SM-6AF 编号：C48947224
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    P沟道 SI2301SM-6AF

    • 20+

      ￥0.1528

    • 200+

      ￥0.1178

    • 600+

      ￥0.0984

    • 3000+

      ￥0.0868

    • 9000+

      ￥0.0767

    • 21000+

      ￥0.0713
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：MMBT7002 编号：C49435597
    封装：SOT-23
    品牌：Huixin(慧芯)
    场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:60V,连续漏极电流:115mA,导通电阻5Ω@10V,500mA

    • 20+

      ￥0.213224 ￥0.2423

    • 200+

      ￥0.1672 ￥0.19

    • 600+

      ￥0.14168 ￥0.161

    • 3000+

      ￥0.126368 ￥0.1436

    • 9000+

      ￥0.11308 ￥0.1285

    • 21000+

      ￥0.105952 ￥0.1204
  • 有货
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    N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管
    型号：BSS138W 编号：C48578689
    封装：SOT-323
    品牌：LGE(鲁光)
    类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 50V；连续漏极电流(Id) 200mA；导通电阻(RDS(on)) 3.5Ω@10V,0.22A；耗散功率(Pd) 200mW；阈值电压(Vgs(th)) 1.5V；输入电容(Ciss@Vds) 50pF@10V；反向传输电容(Crss) 8pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃

    • 20+

      ￥0.2203

    • 200+

      ￥0.1728

    • 600+

      ￥0.1464
  • 有货
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    P沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2305L3-6AF 编号：C48947161
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个P沟道 SI2305L3-6AF

    • 20+

      ￥0.2278

    • 200+

      ￥0.1757

    • 600+

      ￥0.1467

    • 3000+

      ￥0.1294

    • 9000+

      ￥0.1143

    • 21000+

      ￥0.1062
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJL3134KADW 编号：C20605871
    封装：SOT-363
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    French Power LV MOSFET technology。High Power and current handling capability。Moisture Sensitivity Level 1。Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating。Halogen Free

    • 10+

      ￥0.248

    • 100+

      ￥0.1996

    • 300+

      ￥0.1754

    • 3000+

      ￥0.1573

    • 6000+

      ￥0.1428
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOS场效应晶体管
    型号：2SK3799(STA4,Q,M) 编号：C5307570
    封装：SC-67
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 720V)。增强型：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用
    数据手册

    • 1+

      ￥7.31

    • 10+

      ￥6.65

    • 50+

      ￥6.28

    • 100+

      ￥5.87

    • 500+

      ￥5.69

    • 1000+

      ￥5.61
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：2N7002KT 编号：C42429517
    封装：SOT-523
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：低导通电阻RDS(ON)。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 ESD防护高达2KV

    • 20+

      ￥0.144495 ￥0.1521

    • 200+

      ￥0.1121 ￥0.118

    • 600+

      ￥0.094145 ￥0.0991

    • 3000+

      ￥0.08341 ￥0.0878

    • 9000+

      ￥0.075905 ￥0.0799

    • 21000+

      ￥0.07087 ￥0.0746
  • 有货
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    SOT-23封装，30V N沟道ESD保护MOS场效应晶体管
    型号：2SK3018-6AF 编号：C48947180
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道 2SK3018-6AF

    • 20+

      ￥0.1775

    • 200+

      ￥0.1369

    • 600+

      ￥0.1143

    • 3000+

      ￥0.1008

    • 9000+

      ￥0.0891

    • 21000+

      ￥0.0827
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJL3139KAT 编号：C20605876
    封装：SOT-723
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    Trench Power LV MOSFET技术。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

    • 10+

      ￥0.2574

    • 100+

      ￥0.2061

    • 300+

      ￥0.1805

    • 1000+

      ￥0.1613

    • 5000+

      ￥0.1459
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJQD25N04A 编号：C2942404
    封装：DFN3333-8L-DUal
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    Trench Power LV MOSFET技术。优秀的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计

    • 5+

      ￥1.1929

    • 50+

      ￥1.0543

    • 150+

      ￥0.9949

    • 500+

      ￥0.9207

    • 2500+

      ￥0.8877
  • 有货
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    贴片场效应晶体管
    型号：BSS84 编号：C53155322
    封装：SOT-23
    品牌：XCH(旭昌辉)

    • 20+

      ￥0.06296 ￥0.0787

    • 200+

      ￥0.06152 ￥0.0769

    • 600+

      ￥0.06064 ￥0.0758

    • 3000+

      ￥0.05968 ￥0.0746
  • 有货
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    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJL3134KA 编号：C20605870
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    采用法国功率低压MOSFET技术。具备高功率和大电流处理能力。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

    • 20+

      ￥0.0818

    • 200+

      ￥0.08

    • 600+

      ￥0.0788

    • 3000+

      ￥0.0776
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2300SM-6AF 编号：C48947214
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个N沟道 SI2300SM-6AF

    • 20+

      ￥0.1523

    • 200+

      ￥0.1175

    • 600+

      ￥0.0981

    • 3000+

      ￥0.0865

    • 9000+

      ￥0.0765

    • 21000+

      ￥0.071
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2302L3-6AF 编号：C48947039
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个N沟道 SI2302L3-6AF

    • 20+

      ￥0.17

    • 200+

      ￥0.1311

    • 600+

      ￥0.1095

    • 3000+

      ￥0.0965

    • 9000+

      ￥0.0853

    • 21000+

      ￥0.0792
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2300SS-6AF 编号：C48947217
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道 SI2300SS-6AF

    • 20+

      ￥0.1803

    • 200+

      ￥0.1391

    • 600+

      ￥0.1161

    • 3000+

      ￥0.1024

    • 9000+

      ￥0.0905

    • 21000+

      ￥0.084
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管
    型号：BSS138 编号：C18195371
    封装：SOT-23
    品牌：LJ(朗捷)
    特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏

    • 20+

      ￥0.1817

    • 200+

      ￥0.1439

    • 600+

      ￥0.1229

    • 3000+

      ￥0.104785 ￥0.1103

    • 9000+

      ￥0.094335 ￥0.0993

    • 21000+

      ￥0.08873 ￥0.0934
  • 有货
    • 立即购买
    60V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：AO3422M-6AF 编号：C48947165
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道 AO3422M-6AF

    • 10+

      ￥0.3376

    • 100+

      ￥0.267

    • 300+

      ￥0.2317

    • 3000+

      ￥0.2053

    • 6000+

      ￥0.1841

    • 9000+

      ￥0.1735
  • 有货
    • 立即购买
    场效应晶体管，硅N沟道MOS型（U-MOS III）
    型号：SSM3K15AMFV,L3NF 编号：C7421329
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V)，RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)

    • 10+

      ￥0.4559

    • 100+

      ￥0.3647

    • 300+

      ￥0.3191

    • 1000+

      ￥0.2849

    • 5000+

      ￥0.2575

    • 8000+

      ￥0.2439
  • 有货
    • 立即购买
    贴片场效应晶体管
    型号：XCH2N65M 编号：C7435477
    封装：TO-252
    品牌：XCH(旭昌辉)
    芯片采用VDMOS结构，具有较低的导通电阻，适用于各类开关电源电路。

    • 5+

      ￥0.688137 ￥0.9973

    • 50+

      ￥0.540339 ￥0.7831

    • 150+

      ￥0.476997 ￥0.6913

    • 500+

      ￥0.397992 ￥0.5768

    • 2500+

      ￥0.362802 ￥0.5258

    • 5000+

      ￥0.341688 ￥0.4952
  • 有货
    • 立即购买
    场效应晶体管，硅N沟道MOS型
    型号：2N7002K-L 编号：C41376468
    封装：SOT-23
    品牌：PIELENST(派量)
    这款是N沟道增强型MOSFET,VDS电压60V，ID电流0.3A。具备卓越的快速开关性能，它可用于多种应用场景。具备静电放电（ESD）保护功能。

    • 50+

      ￥0.0611

    • 500+

      ￥0.0476

    • 1500+

      ￥0.0401

    • 5000+

      ￥0.0356

    • 25000+

      ￥0.0317

    • 50000+

      ￥0.0296
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2302CDS-T1-GE3-CN 编号：C42436846
    封装：SOT-23
    品牌：ChipNobo(无边界)

    • 50+

      ￥0.0848

    • 500+

      ￥0.0661

    • 3000+

      ￥0.0557

    • 6000+

      ￥0.0494
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：JTDBSS138 编号：C49308285
    封装：SOT-23
    品牌：JTD(晶泰达)
    50V,340MA,10V内阻2.5Ω

    • 50+

      ￥0.0877

    • 500+

      ￥0.0688

    • 3000+

      ￥0.0583
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：BSS123 编号：C19272195
    封装：SOT-23
    品牌：Zhengxin(正芯)

    • 50+

      ￥0.098912 ￥0.1124

    • 500+

      ￥0.077088 ￥0.0876

    • 3000+

      ￥0.064944 ￥0.0738

    • 6000+

      ￥0.05764 ￥0.0655

    • 24000+

      ￥0.051304 ￥0.0583

    • 51000+

      ￥0.04796 ￥0.0545
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型场效应晶体管
    型号：ZXL3401A 编号：C19272191
    封装：SOT-23
    品牌：Zhengxin(正芯)

    • 20+

      ￥0.12584 ￥0.143

    • 200+

      ￥0.098032 ￥0.1114

    • 600+

      ￥0.082544 ￥0.0938

    • 3000+

      ￥0.073304 ￥0.0833

    • 9000+

      ￥0.065296 ￥0.0742

    • 21000+

      ￥0.060984 ￥0.0693
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：2N7002KCE 编号：C2942406
    封装：SOT-523
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    采用沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。无卤

    • 20+

      ￥0.1264

    • 200+

      ￥0.0979

    • 600+

      ￥0.0821

    • 3000+

      ￥0.0694

    • 9000+

      ￥0.0612

    • 21000+

      ￥0.0567
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：MMBT7002K 编号：C49435598
    封装：SOT-23
    品牌：Huixin(慧芯)
    场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:60V,连续漏极电流:340mA,导通电阻3Ω@10V,500mA,耗散功率:350mW

    • 10+

      ￥0.134112 ￥0.1524

    • 100+

      ￥0.131384 ￥0.1493

    • 300+

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    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：2N7002KCT 编号：C20599364
    封装：SOT-723
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

    • 20+

      ￥0.1389

    • 200+

      ￥0.1078

    • 600+

      ￥0.0905
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    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：LM-L2N7002LT1G 编号：C5353604
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1583

    • 100+

      ￥0.1545

    • 300+

      ￥0.152
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    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2306SL3-6AF 编号：C48947191
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个N沟道 SI2306SL3-6AF

    • 20+

      ￥0.2302

    • 200+

      ￥0.1776

    • 600+

      ￥0.1483

    • 3000+

      ￥0.1308

    • 9000+

      ￥0.1155

    • 21000+

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