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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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N沟道增强型场效应晶体管
型号：YJQD25N04A 编号：C2942404
封装：DFN3333-8L-DUal
品牌：YANGJIE(扬杰)
Trench Power LV MOSFET技术。优秀的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计

  • 5+

    ￥1.1929

  • 50+

    ￥1.0543

  • 150+

    ￥0.9949

  • 500+

    ￥0.9207

  • 2500+

    ￥0.8877
  • 有货
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    P沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2301SM-6AF 编号：C48947224
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    P沟道 SI2301SM-6AF

    • 20+

      ￥0.0756

    • 200+

      ￥0.0737

    • 600+

      ￥0.0725

    • 3000+

      ￥0.0712
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：2N7002KCT 编号：C20599364
    封装：SOT-723
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

    • 20+

      ￥0.1529

    • 200+

      ￥0.1218

    • 600+

      ￥0.1045

    • 2000+

      ￥0.0941
  • 有货
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    P沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2305L3-6AF 编号：C48947161
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个P沟道 SI2305L3-6AF

    • 10+

      ￥0.2693

    • 100+

      ￥0.211

    • 300+

      ￥0.1819

    • 3000+

      ￥0.16

    • 6000+

      ￥0.1425

    • 9000+

      ￥0.1337
  • 有货
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    60V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：AO3422M-6AF 编号：C48947165
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道 AO3422M-6AF

    • 10+

      ￥0.3468

    • 100+

      ￥0.2763

    • 300+

      ￥0.241

    • 3000+

      ￥0.2145

    • 6000+

      ￥0.1934

    • 9000+

      ￥0.1828
  • 有货
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    P沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJQ23GP06A 编号：C5339826
    封装：DFN3333-8L
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    采用分裂栅沟槽MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM。低反向传输电容Crss。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级3。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

    • 5+

      ￥2.2907

    • 50+

      ￥1.826

    • 150+

      ￥1.6268

    • 500+

      ￥1.3784
  • 有货
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    电池组前端充电/放电高端N沟道场效应晶体管驱动器
    型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640
    封装：SOP-8
    品牌：Sillumin(数明半导体)
    SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

    • 1+

      ￥3.96

    • 10+

      ￥3.19

    • 30+

      ￥2.81

    • 100+

      ￥2.42

    • 500+

      ￥2.19

    • 1000+

      ￥2.08
  • 有货
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    N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2300SM-6AF 编号：C48947214
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个N沟道 SI2300SM-6AF

    • 20+

      ￥0.1523

    • 200+

      ￥0.1175

    • 600+

      ￥0.0981

    • 3000+

      ￥0.0865

    • 9000+

      ￥0.0765

    • 21000+

      ￥0.071
  • 有货
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    场效应晶体管，硅N沟道MOS型（U-MOS III）
    型号：SSM3K15AMFV,L3NF 编号：C7421329
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V)，RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)

    • 10+

      ￥0.4559

    • 100+

      ￥0.3647

    • 300+

      ￥0.3191

    • 1000+

      ￥0.2849

    • 5000+

      ￥0.2575

    • 8000+

      ￥0.2439
  • 有货
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    带有预充电场效应晶体管 (FET)的16通道、恒定电流发光二级管(LED)驱动器
    型号：TLC59283DBQR 编号：C702075
    封装：SSOP-24-150mil
    品牌：TI(德州仪器)
    TLC59283 具有预充电 FET 的 16 通道恒流 LED 驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥3.27

    • 10+

      ￥2.56

    • 30+

      ￥2.26

    • 100+

      ￥1.88

    • 500+

      ￥1.72

    • 1000+

      ￥1.61
  • 有货
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    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：JTDBSS138 编号：C49308285
    封装：SOT-23
    品牌：JTD(晶泰达)
    50V,340MA,10V内阻2.5Ω

    • 50+

      ￥0.0459

    • 500+

      ￥0.0449

    • 3000+

      ￥0.0442
  • 有货
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    场效应晶体管，硅N沟道MOS型
    型号：2N7002K-L 编号：C41376468
    封装：SOT-23
    品牌：PIELENST(派量)
    这款是N沟道增强型MOSFET,VDS电压60V，ID电流0.3A。具备卓越的快速开关性能，它可用于多种应用场景。具备静电放电（ESD）保护功能。

    • 50+

      ￥0.0611

    • 500+

      ￥0.0476

    • 1500+

      ￥0.0401

    • 5000+

      ￥0.0356

    • 25000+

      ￥0.0317

    • 50000+

      ￥0.0296
  • 有货
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    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：MMBT7002K 编号：C49435598
    封装：SOT-23
    品牌：Huixin(慧芯)
    场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:60V,连续漏极电流:340mA,导通电阻3Ω@10V,500mA,耗散功率:350mW

    • 20+

      ￥0.074976 ￥0.0852

    • 200+

      ￥0.073304 ￥0.0833

    • 600+

      ￥0.072248 ￥0.0821

    • 3000+

      ￥0.071104 ￥0.0808
  • 有货
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    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2302CDS-T1-GE3-CN 编号：C42436846
    封装：SOT-23
    品牌：ChipNobo(无边界)

    • 50+

      ￥0.0848

    • 500+

      ￥0.0661

    • 3000+

      ￥0.0557

    • 6000+

      ￥0.0494
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：BSS123 编号：C19272195
    封装：SOT-23
    品牌：Zhengxin(正芯)

    • 50+

      ￥0.098912 ￥0.1124

    • 500+

      ￥0.077088 ￥0.0876

    • 3000+

      ￥0.064944 ￥0.0738

    • 6000+

      ￥0.05764 ￥0.0655

    • 24000+

      ￥0.051304 ￥0.0583

    • 51000+

      ￥0.04796 ￥0.0545
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型场效应晶体管
    型号：ZXL3401A 编号：C19272191
    封装：SOT-23
    品牌：Zhengxin(正芯)

    • 20+

      ￥0.12584 ￥0.143

    • 200+

      ￥0.098032 ￥0.1114

    • 600+

      ￥0.082544 ￥0.0938

    • 3000+

      ￥0.073304 ￥0.0833

    • 9000+

      ￥0.065296 ￥0.0742

    • 21000+

      ￥0.060984 ￥0.0693
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：2N7002KCE 编号：C2942406
    封装：SOT-523
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    采用沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。无卤

    • 20+

      ￥0.1345

    • 200+

      ￥0.106

    • 600+

      ￥0.0901
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：2N7002KT 编号：C42429517
    封装：SOT-523
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：低导通电阻RDS(ON)。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 ESD防护高达2KV

    • 20+

      ￥0.13946 ￥0.1468

    • 200+

      ￥0.10716 ￥0.1128

    • 600+

      ￥0.089205 ￥0.0939

    • 3000+

      ￥0.07847 ￥0.0826

    • 9000+

      ￥0.07087 ￥0.0746

    • 21000+

      ￥0.065835 ￥0.0693
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2302L3-6AF 编号：C48947039
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个N沟道 SI2302L3-6AF

    • 20+

      ￥0.17

    • 200+

      ￥0.1311

    • 600+

      ￥0.1095

    • 3000+

      ￥0.0965

    • 9000+

      ￥0.0853

    • 21000+

      ￥0.0792
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-23封装，30V N沟道ESD保护MOS场效应晶体管
    型号：2SK3018-6AF 编号：C48947180
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道 2SK3018-6AF

    • 20+

      ￥0.1775

    • 200+

      ￥0.1369

    • 600+

      ￥0.1143

    • 3000+

      ￥0.1008

    • 9000+

      ￥0.0891

    • 21000+

      ￥0.0827
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2300SS-6AF 编号：C48947217
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    N沟道 SI2300SS-6AF

    • 20+

      ￥0.1803

    • 200+

      ￥0.1391

    • 600+

      ￥0.1161

    • 3000+

      ￥0.1024

    • 9000+

      ￥0.0905

    • 21000+

      ￥0.084
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2300SL3-6AF 编号：C48947040
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个N沟道 SI2300SL3-6AF

    • 20+

      ￥0.1912

    • 200+

      ￥0.1475

    • 600+

      ￥0.1232

    • 3000+

      ￥0.1086

    • 9000+

      ￥0.096

    • 21000+

      ￥0.0891
  • 有货
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    N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管
    型号：BSS138W 编号：C48578689
    封装：SOT-323
    品牌：LGE(鲁光)
    类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 50V；连续漏极电流(Id) 200mA；导通电阻(RDS(on)) 3.5Ω@10V,0.22A；耗散功率(Pd) 200mW；阈值电压(Vgs(th)) 1.5V；输入电容(Ciss@Vds) 50pF@10V；反向传输电容(Crss) 8pF@10V；工作温度 -55℃~+150℃

    • 20+

      ￥0.2203

    • 200+

      ￥0.1728

    • 600+

      ￥0.1464

    • 3000+

      ￥0.1306
  • 有货
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    20V N沟道增强型MOS场效应晶体管
    型号：SI2306SL3-6AF 编号：C48947191
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个N沟道 SI2306SL3-6AF

    • 20+

      ￥0.2302

    • 200+

      ￥0.1776

    • 600+

      ￥0.1483

    • 3000+

      ￥0.1308

    • 9000+

      ￥0.1155

    • 21000+

      ￥0.1073
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJL3134KAT 编号：C20605872
    封装：SOT-723
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    采用沟槽功率低压MOSFET技术。具有高功率和电流处理能力

    • 10+

      ￥0.256

    • 100+

      ￥0.207

    • 300+

      ￥0.1825

    • 1000+

      ￥0.1642

    • 5000+

      ￥0.1495

    • 8000+

      ￥0.1421
  • 订货
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    P沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJL3139KAT 编号：C20605876
    封装：SOT-723
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    Trench Power LV MOSFET技术。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

    • 10+

      ￥0.268

    • 100+

      ￥0.2167

    • 300+

      ￥0.1911

    • 1000+

      ￥0.1719

    • 5000+

      ￥0.1565

    • 8000+

      ￥0.1488
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-23-3L封装，-20V P沟道ESD保护MOS场效应晶体管
    型号：AO3415L3-6AF 编号：C48947198
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    1个P沟道 AO3415L3-6AF

    • 10+

      ￥0.2693

    • 100+

      ￥0.211

    • 300+

      ￥0.1819

    • 3000+

      ￥0.16

    • 6000+

      ￥0.1425

    • 9000+

      ￥0.1337
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    互补增强模式场效应晶体管 1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
    型号：SE4607 编号：C238650
    封装：SO-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：N-Channel。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 20mΩ @ VGS=4.5V。 P-Channel。 VDS = -20V。 RDS(ON) = 100mΩ @ VGS=4.5V。应用：台式机或DC/DC LCD显示器转换器中的电源管理
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    P沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJL3401AL 编号：C699292
    封装：SOT-23-3L
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    采用法国低电压功率MOSFET技术。高密度单元设计，实现低导通电阻。高速开关
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    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：PMBF170 编号：C703589
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N 沟道增强型场效应晶体管，采用 TrenchMOS™ 技术，封装为塑料封装。
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