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N 沟道点火 IGBT,用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。
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  • 1000+

    ¥8.21
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  • 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,提供了卓越导通和开关性能,以及简便的并行运行。该器件非常适合谐振或软开关应用,比如电感加热和微波炉。
    数据手册
    • 1+

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  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 8 A。 低饱和电压:VCEsat = 2 V(Tdj = 150℃时)。 短路耐用性:8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器
    • 1+

      ¥13.79
    • 10+

      ¥13.44
    • 30+

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  • KEC场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有低开关损耗、高能效和短路耐受能力强的特点。其专为电机控制、不间断电源(UPS)、通用逆变器等应用而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.01
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      ¥10.65
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      ¥12.07
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  • 订货
    • 1+

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      ¥9.59
  • 订货
  • 安森美半导体的新型场截止第 4 代 RC IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为消费和工业应用的 PFC 转换器提供最佳性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.46
    • 10+

      ¥14.07
    • 30+

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      ¥10.35
    • 1000+

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  • 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为低导通和开关损耗至关重要的消费品设备、运动控制和家用电器等应用提供最佳性能。
    数据手册
    • 720+

      ¥17.05
    • 720+

      ¥16.585
    • 1+

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    • 30+

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    • 90+

      ¥16
  • 订货
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    • 10+

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    • 30+

      ¥13.03
    • 100+

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    • 500+

      ¥10.72
    • 1000+

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      ¥17.21
    • 10+

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    • 30+

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    • 100+

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    • 500+

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    • 1000+

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  • 订货
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    • 1000+

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  • ISL9V5036S3S、ISL9V5036P3 和 ISL9V5036S3 是下一代 IGBT,提供卓越的 SCIS 能力,采用 D-Pak (TO-263) 和 TO-220 塑料封装。此类器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位,而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息,请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49443。
    数据手册
    • 单价:

      ¥14.889852 / 个
    • 1+

      ¥18.85
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    • 50+

      ¥11.25
    • 100+

      ¥8.81
    • 500+

      ¥7.69
    • 1000+

      ¥7.18
  • 订货
    • 85+

      ¥20.648508
    • 100+

      ¥19.433891
    • 1000+

      ¥17.888013
    安森美半导体的 IGBT 具有低导通和开关损耗。UF 系列设计适用于必须具备高速开关功能的应用,例如通用逆变器和 PFC。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.54
    • 10+

      ¥16.82
    • 30+

      ¥14.59
    • 100+

      ¥12.96
    • 360+

      ¥12.2
    • 1080+

      ¥11.86
  • 订货
    • 1+

      ¥20.01
    • 10+

      ¥17.1
    • 30+

      ¥15.28
    • 100+

      ¥13.42
    • 450+

      ¥12.58
    • 900+

      ¥12.21
  • 订货
  • 特性:SCIS能量:在TJ = 25°C时为335mJ。 逻辑电平栅极驱动。 符合AEC Q101标准。 符合RoHS标准。应用:汽车点火线圈驱动电路。 线圈直接点火应用
    数据手册
    • 1+

      ¥20.76
    • 10+

      ¥20.32
    • 30+

      ¥20.03
    • 100+

      ¥19.73
  • 订货
  • 安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新的场截止 IGBT 技术,为汽车充电器、逆变器和其他需要低导通和开关损耗的应用提供最佳性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.56
    • 10+

      ¥21.09
    • 30+

      ¥20.77
    • 100+

      ¥20.46
  • 订货
  • 特性:VCE = 1400V。IC = 40A。强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性,温度稳定性好。极低的VCEsat。应用:电磁炉。微波炉
    • 1+

      ¥21.71
    • 10+

      ¥21.24
    • 30+

      ¥20.92
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      ¥20.61
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      ¥21.9
    • 10+

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    • 30+

      ¥17.1
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      ¥15.29
    • 500+

      ¥14.45
    • 1000+

      ¥14.08
  • 订货
    • 1+

      ¥21.93
    • 10+

      ¥18.82
    • 25+

      ¥16.97
    • 100+

      ¥15.1
    • 400+

      ¥14.24
    • 800+

      ¥13.85
  • 订货
  • 此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.14
    • 10+

      ¥19
    • 30+

      ¥17.13
    • 100+

      ¥15.24
    • 500+

      ¥14.37
    • 1000+

      ¥13.98
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