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  • 采用 D2PAK 封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A、高速 HB2 系列 IGBT
    • 单价:

      ¥8.154163 / 个
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      ¥5.2
  • 订货
  • 600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
    数据手册
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    • 1200+

      ¥5.35
  • 订货
  • 沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、20 A,低损耗
    数据手册
    • 1+

      ¥10.5
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      ¥8.05
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      ¥9.92
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  • 汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ
    数据手册
    • 1+

      ¥10.72
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      ¥10.31
    • 100+

      ¥10.15
  • 订货
  • 基于新的先进平面技术概念,可生产出一种绝缘栅双极晶体管(IGBT),该晶体管在不同温度下具有更稳定的开关性能(关断能量 Eoff),同时具有较低的传导损耗。
    • 单价:

      ¥2.732309 / 个
    沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、20 A,低损耗
    数据手册
    • 1+

      ¥8.69193
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      ¥8.02332
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      ¥7.51
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      ¥6.93
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  • 订货
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      ¥12.06
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      ¥10.05
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      ¥8.8
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      ¥7.51
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      ¥6.93
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      ¥6.67
  • 订货
  • 特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V @ IC = 50A 和 TC = 25℃。应用:通用逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥12.82
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      ¥10.53
    • 30+

      ¥9.09
    • 90+

      ¥7.62
  • 订货
  • 特性:高电流能力。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 50 A。 高输入阻抗。 符合RoHS标准。应用:PDP TV
    • 1+

      ¥13.54
    • 10+

      ¥11.7
    • 30+

      ¥10.55
    • 90+

      ¥9.37
  • 订货
  • 650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥12.491197 / 个
    • 1+

      ¥14.1
    • 10+

      ¥12.05
    • 30+

      ¥10.43
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      ¥9.12
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      ¥8.27
  • 订货
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  • 订货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用:太阳能转换器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥15.16
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    • 990+

      ¥8.68
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  • 1250 V、20 A IH系列沟槽栅场截止IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.61653 / 个
    特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    • 1+

      ¥16.67
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      ¥9.25
  • 订货
  • 600 V、7 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥4.268388 / 个
    采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT
    数据手册
    • 1+

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    • 50+

      ¥7.5462
    • 100+

      ¥7.42043
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