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首页 > 热门关键词 > igbt模块
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650V 100A IGBT
  • 1+

    ¥18.44
  • 10+

    ¥15.72
  • 30+

    ¥14.1
  • 100+

    ¥12.47
  • 450+

    ¥11.71
  • 900+

    ¥11.37
  • 订货
  • 沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、20 A,低损耗
    数据手册
    • 单价:

      ¥8.217182 / 个
    350V 120A IGBT
    • 1+

      ¥18.5
    • 10+

      ¥15.59
    • 30+

      ¥13.78
    • 300+

      ¥11.91
    • 600+

      ¥11.07
    • 900+

      ¥10.71
  • 订货
  • 600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥19.44
    • 10+

      ¥19.07
    • 30+

      ¥18.82
    • 100+

      ¥18.57
  • 订货
    • 1+

      ¥20.78
    • 10+

      ¥17.5
    • 30+

      ¥15.55
    • 90+

      ¥13.58
    • 510+

      ¥12.66
    • 990+

      ¥12.25
  • 订货
    • 1+

      ¥21.18
    • 10+

      ¥18.59
    • 30+

      ¥17.04
    • 100+

      ¥15.49
    • 500+

      ¥14.77
    • 1000+

      ¥14.44
  • 订货
  • 采用 D2PAK 封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥7.220137 / 个
    1200V 50A IGBT
    • 1+

      ¥22.89
    • 10+

      ¥19.51
    • 30+

      ¥17.5
    • 90+

      ¥15.47
    • 600+

      ¥14.54
    • 900+

      ¥14.12
  • 订货
  • 沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、50 A,低损耗
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.2 / 个
    汽车级10 A、600 V短路保护IGBT,带超高速二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥5.361087 / 个
    沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.391463 / 个
    650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥24.85
    • 10+

      ¥24.34
    • 30+

      ¥24
    • 100+

      ¥23.66
  • 订货
  • 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥19.355728 / 个
    • 1+

      ¥27.84
    • 10+

      ¥27.25
    • 30+

      ¥26.85
    • 100+

      ¥24.19
  • 订货
  • 这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。它们采用了先进的Power MESH™工艺,从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.86
    • 10+

      ¥24.03
    • 30+

      ¥21.76
    • 100+

      ¥19.45
    • 500+

      ¥18.39
    • 1000+

      ¥17.91
  • 订货
  • 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥20.255994 / 个
    600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥9.864669 / 个
    1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥30.45
    • 10+

      ¥26.26
    • 30+

      ¥23.78
    • 100+

      ¥21.26
    • 600+

      ¥20.1
    • 1200+

      ¥19.58
  • 订货
  • Vce:90V Ic:30A VCEsat:1.85V Tvj=25°C Tvjmax:175°C
    • 1+

      ¥35.69
    • 10+

      ¥30.84
    • 30+

      ¥27.89
    • 90+

      ¥25.41
  • 订货
  • 采用 TO247-4 封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥39.836789 / 个
    沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗
    数据手册
    • 10+

      ¥30.033067
    • 100+

      ¥25.910882
    • 1000+

      ¥23.849789
    汽车级650 V、120 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT,Max247长引线封装
    数据手册
    • 5+

      ¥103.110827
    • 50+

      ¥90.575787
    • 500+

      ¥83.398464
    沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、75 A,低损耗
    数据手册
    • 单价:

      ¥25.657593 / 个
    1200 V、50 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT,Max247长引线封装
    • 单价:

      ¥40.849589 / 个
    特性:VCE = 1200V。 IC = 75A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7V(Tvj = 25℃时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 单价:

      ¥56.52 / 个
  • 订货
  • 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥27.120526 / 个
    采用 TO247-4 封装的沟槽栅极场截止、650 V、100 A 高速 HB2 系列 IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥39.274123 / 个
    380V 200A IGBT
    • 1+

      ¥74
    • 10+

      ¥71.5
  • 订货
  • 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 单价:

      ¥19.909142 / 个
    特性:采用高速沟槽栅/场终止IGBT。 低开关损耗。 标准封装。应用:大功率变流器。 电机传动
    数据手册
    • 1+

      ¥91.48
    • 10+

      ¥88.75
  • 订货
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