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  • 订货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 75 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥37.6
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      ¥36.78
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    • 1000+

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      ¥39.65
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      ¥37.81
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    • 100+

      ¥40.65
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      ¥33.24
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      ¥30.27
  • 订货
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      ¥44.24
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      ¥36.86
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      ¥33.29
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      ¥30.29
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  • N沟道,Vce=600V,Ic=60A,Vce(on)=1.85V
    数据手册
    • 1+

      ¥208.864
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      ¥205.44
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    • 100+

      ¥188.32
    • 200+

      ¥184.896
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      ¥45.68
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      ¥45.71
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    • 30+

      ¥30.17
    • 100+

      ¥25.24
  • 订货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 100 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 单价:

      ¥21.6 / 个
    • 1+

      ¥47.54
    • 10+

      ¥41.02
    • 30+

      ¥37.05
    • 100+

      ¥33.72
  • 订货
  • 安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥48.6
    • 10+

      ¥41.81
    • 30+

      ¥37.66
    • 100+

      ¥34.19
  • 订货
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      ¥50.92
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      ¥44.26
    • 30+

      ¥40.2
    • 100+

      ¥36.8
  • 订货
  • 此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管,带有较低正向电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥51.42
    • 10+

      ¥44.61
    • 30+

      ¥40.46
    • 100+

      ¥36.98
  • 订货
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      ¥61.99
    • 10+

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    • 30+

      ¥49.36
    • 100+

      ¥45.35
  • 订货
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    • 10+

      ¥55.09
    • 30+

      ¥49.97
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      ¥45.67
  • 订货
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    • 30+

      ¥50.45
    • 100+

      ¥45.92
  • 订货
    • 1+

      ¥66.15
    • 10+

      ¥56.95
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      ¥46.63
  • 订货
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      ¥66.38
    • 10+

      ¥57.59
    • 30+

      ¥49.94
    • 100+

      ¥45.45
  • 订货
  • 采用新型场截止第四代 IGBT 技术和 1.5 代 SiC 肖特基二极管技术,在各种应用中,特别是图腾柱无桥 PFC 和逆变器中,具有低导通和开关损耗,可实现高效运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥67.95
    • 10+

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    • 30+

      ¥53.47
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      ¥48.87
  • 订货
    • 1+

      ¥68.62
    • 10+

      ¥59.54
    • 30+

      ¥51.64
    • 100+

      ¥46.99
  • 订货
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