igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：STGF19NC60KD-VB 编号：C41381227

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

IGBT；TO220F；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；

10+
￥5.157
100+
￥4.966
200+
￥4.584
1000+
￥4.393
2000+
￥4.2784

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型号：IRGIB15B60KD1P 编号：C500540

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥262.499
10+
￥255.6512
50+
￥251.086

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型号：GT50JR22 编号：C5151667

封装：TO-3P

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥20.85
10+
￥13.58
25+
￥8.75
100+
￥5.04

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型号：IRGB4062DPBF 编号：C500541

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥139.2386
10+
￥136.956
50+
￥131.2495
100+
￥127.8256
200+
￥125.543

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型号：IRG7PH35UD-EP 编号：C538089

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥14.125
20+
￥13.56
100+
￥13.108
200+
￥12.882
500+
￥12.656

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型号：IRGP20B60PDPBF 编号：C500539

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥656.2475
10+
￥639.128
50+
￥627.715

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型号：IHW20N120R3 编号：C350813

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

15+
￥18.069253
100+
￥15.589159
1000+
￥14.349113

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型号：STGB15H60DF 编号：C2970786

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

单价：
￥7.547609 / 个

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型号：IKW08N120CS7XKSA1 编号：C3191651

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥24.35
10+
￥23.77
30+
￥22.17
100+
￥21.79

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型号：FGHL50T65MQDTL4 编号：C5209100

封装：TO-247-4

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥27.33
10+
￥26.63
30+
￥26.16
100+
￥25.7

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型号：IKW25N120CS7XKSA1 编号：C17443267

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 25 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥27.53
10+
￥26.83
30+
￥26.36
90+
￥25.89

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型号：IGW40N65F5 编号：C536101

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥28.9
10+
￥24.93
30+
￥22.56
90+
￥20.18
510+
￥19.08
990+
￥18.58

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型号：NGTB50N65FL2WG 编号：C185013

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个柔性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

数据手册

1+
￥36.72
10+
￥31.72
30+
￥27.7
100+
￥25.15

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型号：IKW50N120CH7XKSA1 编号：C20191519

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最大结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电