igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247-3

特性：强大的单片体二极管，低正向电压，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术，具有以下特点：非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性好。低集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

40+
￥45.857734
100+
￥42.389502
1000+
￥39.01761

我要订货

型号：STGWA50M65DF2 编号：C2970060

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、50 A，低损耗

数据手册

1000+
￥12.43
2000+
￥12.317
3000+
￥12.204

我要订货

型号：IKW50N120CS7XKSA1 编号：C3191676

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

240+
￥15.235
960+
￥14.8195

我要订货

型号：IKY50N120CH3 编号：C536224

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。充电器

数据手册

1+
￥71.38
10+
￥60.96
30+
￥54.6
100+
￥49.27

订货

我要订货

型号：STGW40H120DF2 编号：C2971506

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

单价：
￥36.12319 / 个

我要订货

型号：GD75HFU120C1S 编号：C25153026

封装：螺栓安装

品牌：Starpower(嘉兴斯达)

IGBT功率模块具备超低导通损耗和出色的短路耐受能力。它们专为不间断电源（UPS）和开关电源（SMPS）等应用而设计。

1+
￥141.54
30+
￥134.42

有货

立即购买

型号：2MBI600XHA120-50 编号：C18211912

封装：螺栓安装

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低VCE(sat)。高速开关。低电感。模块结构。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动器

1+
￥811.96
32+
￥772.98

订货

我要订货

型号：NGTB05N60R2DT4G 编号：C184780

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥5.21
10+
￥4.2
30+
￥3.69
100+
￥3.19
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

订货

我要订货

型号：NCE20TD60BP 编号：C502937

封装：TO-3P-3

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥8.02
10+
￥6.5
25+
￥5.67
100+
￥4.73
500+
￥4.32
1000+
￥4.13

订货

我要订货

型号：STGF19NC60KD-VB 编号：C41381227

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

IGBT；TO220F；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；

10+
￥5.157
100+
￥4.966
200+
￥4.584
1000+
￥4.393
2000+
￥4.202

我要订货

型号：IGW50N60TP 编号：C536106

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低EMI。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：驱动器。太阳能逆变器

数据手册

1+
￥11.38
10+
￥11.1
30+
￥10.91
90+
￥10.72

订货

我要订货

型号：MBQ60T65PESTH 编号：C20613156

封装：TO-247

品牌：MagnaChip(美格纳)

单价：
￥6.2595 / 个

我要订货

型号：IHW25N140R5LXKSA1 编号：C20191003

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V，IC = 25A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高坚固性，温度稳定性能。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥12.51
10+
￥12.2
30+
￥11.99
90+
￥11.79

订货

我要订货

型号：IKWH40N67PR7XKSA1 编号：C42433327

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 670V。 IC = 40A。引脚到引脚爬电距离 >4.8mm。引脚到引脚间隙距离 >3.4mm。为PFC应用优化的单片二极管。具有较低dv/dt的改善EMI性能。应用：家用空调/商用空调。家用暖通空调/商用暖通空调

1+
￥12.82
10+
￥12.5
30+
￥12.28
90+
￥12.06

订货

我要订货

型号：DGW75N65CTS2A 编号：C20600438

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高速平滑开关器件，适用于硬开关和软开关。最高结温175℃。正温度系数。高耐用性，温度稳定。应用：谐振转换器。不间断电源

1+
￥13.8
10+
￥13.49
36+
￥13.28
108+
￥13.07

订货

我要订货

型号：IGP40N65H5 编号：C536081

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。最高结温175℃。符合JEDEC目标应用标准。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥13.96
10+
￥13.64
30+
￥13.42
100+
￥13.21

订货

我要订货

型号：STGW20H60DF 编号：C183256

封装：TO-247AC-3

品牌：ST(意法半导体)

600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT

数据手册

600+
￥7.951069
1200+
￥7.809086
1800+
￥7.738094

我要订货

型号：AOTF5B65M1 编号：C17308164

封装：TO-220

品牌：AOS

1+
￥14.93
10+
￥14.61
30+
￥14.39
100+
￥14.17

订货

我要订货

型号：IRG4PH40KPBF 编号：C3193763

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥17.13
200+
￥6.63
500+
￥6.4
1000+
￥6.28

订货

我要订货

型号：IKW50N65WR5 编号：C536220

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关（ZCS）应用进行了优化。TRENCHSTOP™ 5技术应用提供：高坚固性，温度稳定性能。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和低E(max)。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰（EMI）。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正（PFC）

数据手册

240+
￥7.82
480+
￥7.48
960+
￥7.276

我要订货

型号：FGHL50T65MQDTL4 编号：C5209100

封装：TO-247-4

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥27.33
10+
￥26.63
30+
￥26.16
100+
￥25.7

订货

我要订货

型号：STGWA25H120DF2 编号：C2965321

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

1+
￥12.051
50+
￥11.124
100+
￥10.6605
500+
￥10.3824
1000+
￥10.197

我要订货

型号：IKW50N65RH5XKSA1 编号：C3191663

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

480+
￥16.5
480+
￥16.2
1920+
￥15.9
4800+
￥15.6

我要订货

型号：NCE40TD120VTP 编号：C5124158

封装：TO-247P

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用NCE专有的沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，1200V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

数据手册

1+
￥34.35
10+
￥28.93
30+
￥25.7
90+
￥22.44
510+
￥20.93
1200+
￥20.25

订货

我要订货

型号：STGP20NC60V 编号：C2971741

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

数据手册

1000+
￥10.593
2000+
￥10.4967
3000+
￥10.4004

我要订货

型号：NCE75TS120VTP 编号：C5160412

封装：TO-247P

品牌：NCE(无锡新洁能)

数据手册

1+
￥47.43
10+
￥40.09
30+
￥35.61
90+
￥31.85

订货

我要订货

型号：STGW45HF60WD 编号：C262944

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

数据手册

1+
￥42.804
20+
￥41.064
100+
￥40.02
200+
￥38.28
500+
￥37.584

我要订货

型号：IXGH48N60B3D1 编号：C3193810

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对低传导和开关损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)。反并联超快二极管。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源 (UPS)

单价：
￥54.20507 / 个

我要订货

型号：IKQ50N120CH7XKSA1 编号：C20191013

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最高结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥104.63
10+
￥101.52

订货

我要订货

型号：IKQB200N75CP2AKSA1 编号：C20191518

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 750 V。 IC = 200 A。低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。低开关损耗。短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软恢复和快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。通用驱动器 (GPD)

1+
￥136.47
10+
￥132.41

订货

我要订货

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示