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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT

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单价：
￥15.776707 / 个

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型号：STGB10M65DF2 编号：C472577

封装：D2PAK

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低损耗

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10+
￥5.926635
100+
￥5.70713
200+
￥5.26812
1000+
￥5.048615
2000+
￥4.916912

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型号：MBQ60T65PESTH 编号：C20613156

封装：TO-247

品牌：MagnaChip(美格纳)

单价：
￥6.2595 / 个

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型号：STGW20H60DF 编号：C183256

封装：TO-247AC-3

600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT

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1+
￥14.09
10+
￥12.04
30+
￥10.76
100+
￥9.45
500+
￥8.85
1000+
￥8.6

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型号：STGWA40HP65FB2 编号：C2970569

封装：TO-247

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装

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单价：
￥12.041063 / 个

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型号：STGW30NC60WD 编号：C169773

封装：TO-247

这款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用了先进的Power MESH™工艺，从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

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1+
￥31.06
10+
￥26.45
30+
￥23.71
100+
￥20.94
500+
￥19.67
1000+
￥19.09

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型号：STGWA25H120DF2 编号：C2965321

封装：TO-247-3

1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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200+
￥18.7
1000+
￥18.19

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型号：IKW30N65H5 编号：C536214

封装：TO-247-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥31.77
10+
￥27.4
30+
￥24.8
90+
￥22.18
510+
￥20.97
990+
￥20.42

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型号：STGP20NC60V 编号：C2971741

封装：TO-220

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2500+
￥0.9912
2500+
￥0.966
10000+
￥0.9408

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型号：IKW60N60H3 编号：C536221

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的关断能量。低VCEsat。低EMI。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，无卤模塑料，符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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1+
￥37.94
10+
￥37
30+
￥36.37
100+
￥35.75

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型号：NCE40TD120VTP 编号：C5124158

封装：TO-247P

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用NCE专有的沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，1200V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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1+
￥39.51
10+
￥33.27
30+
￥29.56
90+
￥25.8
510+
￥24.07
1200+
￥23.29

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型号：STGW45HF60WD 编号：C262944

封装：TO-247-3

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1+
￥42.804
20+
￥41.064
100+
￥40.02
200+
￥38.976
500+
￥38.28

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型号：NCE75TS120VTP 编号：C5160412

封装：TO-247P

品牌：NCE(无锡新洁能)

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1+
￥54.55
10+
￥46.1
30+
￥40.95
90+
￥36.63

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型号：IKQ50N120CT2XKSA1 编号：C17436111

封装：TO-247-3

1+
￥66.15
10+
￥56.95
30+
￥51.34
90+
￥46.63

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型号：STGW40H120DF2 编号：C2971506

封装：TO-247

1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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单价：
￥36.12319 / 个

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型号：GD75HFU120C1S 编号：C25153026

封装：螺栓安装

品牌：Starpower(嘉兴斯达)

IGBT功率模块具备超低导通损耗和出色的短路耐受能力。它们专为不间断电源（UPS）和开关电源（SMPS）等应用而设计。

1+
￥141.54
30+
￥134.42

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型号：ESJ100SH60N 编号：C37635852

封装：FD7

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT模块功率模块 100A 600V FD7封装

单价：
￥142.75 / 个

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型号：IXYK140N90C3 编号：C17472653

封装：TO-264

品牌：Littelfuse/IXYS

单价：
￥150.42 / 个

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型号：MG100UZ12MRGJ 编号：C781183

封装：-

MG100UZ12MRGJ-A2-0000

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1+
￥146.35
10+
￥131.84

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型号：MG75UZ12MRGJ 编号：C781200

封装：-

MG75UZ12MRGJ-A2-0000

1+
￥148.54
10+
￥139.47

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型号：FP35R12N2T7BPSA2 编号：C17340769

封装：插件,107.5x45mm

特性：电气特性: -VCES = 1200V。 -ICnom = 35A / ICRM = 70A。 -TRENCHSTOP IGBT7。 -低Vccsat。 -过载运行温度可达175℃。机械特性: -高功率和热循环能力。应用：辅助逆变器。电机驱动器

1+
￥177.19
30+
￥169.39

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型号：MG75HF12MIC1 编号：C781196

封装：-

MG75HF12MIC1-A1-0000

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1+
￥202.02
10+
￥189.69

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型号：FS50R12W1T7_B11 编号：C535535

封装：-

特性：低 VcEsat。 Trenchstop™ IGBT7。高达 175℃ 的过载运行。 2.5 kV 交流 1 分钟绝缘。 Al₂O₃ 低热阻基板。高功率密度。应用：辅助逆变器。空调

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1+
￥315.6
24+
￥301.08

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型号：MG200HF12MRC2 编号：C781191

封装：-

MG200HF12MRC2-A1-0000

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1+
￥380.28
10+
￥357.05

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型号：MG400HF12MRC2 编号：C781195

封装：-

MG400HF12MRC2-A1-0000

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单价：
￥502.63 / 个

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型号：IXBK64N250 编号：C7424792

封装：TO-264

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高阻断电压。低开关损耗。高电流处理能力。反并联二极管。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源（UPS）

单价：
￥671.3746 / 个

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型号：NCE07T60BI 编号：C2686735

封装：TO-251

品牌：NCE(无锡新洁能)

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1+
￥3.37
10+
￥2.67
30+
￥2.31
75+
￥1.96
525+
￥1.75
975+
￥1.64

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型号：STGF6NC60HD 编号：C2971042

封装：TO-220-3

采用基于专利条形布局的最新高压技术，PowerMESH IGBT 是先进的 IGBT 系列，具有卓越的性能。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化，在保持低电压降的同时，实现了非常高的开关性能（缩短了下降时间 tfall）。

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单价：
￥4.323529 / 个

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型号：IRG4BC20KDPBF 编号：C212025

封装：TO-220AB