igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥10.16
10+
￥9.94
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￥9.8
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型号：CGWT40N120F2KAD 编号：C7543665

封装：TO-247

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CGWT40N120F2KAD采用了捷捷半导体（JSCJ）的第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，集电极 - 发射极饱和电压极低，易于并联使用。

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￥23.27
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￥19.9
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型号：SPT40N120T1B 编号：C480185

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序，变频器，电机驱动器

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￥24.94
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￥21.32
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型号：IGB15N120S7ATMA1 编号：C36925719

封装：TO-263-3

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￥30.25
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￥25.63
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￥22.89
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￥20.11
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￥18.83
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￥18.26

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型号：NGTB40N65FL2WG 编号：C184921

封装：TO-247

此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供出色性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管，带有低正向电压。

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￥38.14
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￥32.9
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￥29.78
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￥24.52

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型号：IXBH14N300HV 编号：C3193876

封装：TO-247HV

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高电压封装。高阻断电压。反并联二极管。低传导损耗。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源（UPS）

单价：
￥85.02 / 个

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型号：FP25R12KT3 编号：C17244906

封装：插件,107.5x45mm

1+
￥319.7
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￥305.9

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型号：F3L100R07W2H3B11BPSA1 编号：C3171163

封装：-

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￥670.4
200+
￥259.44
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￥250.32
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￥245.82

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型号：FP100R12N3T7BPSA1 编号：C3171302

封装：-

1+
￥900
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￥348.29
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￥336.05
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￥330

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型号：STGD7NC60HT4 编号：C221505

封装：TO-252-2(DPAK)

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单价：
￥8.639182 / 个

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型号：STGW19NC60HD 编号：C2965488

封装：TO-247

这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。它们采用了先进的Power MESH™工艺，从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

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1+
￥13.99
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￥11.9
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￥10.59
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￥9.25
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￥8.65
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￥8.39

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型号：STGW80H65DFB-4 编号：C5268573

封装：TO-247-4

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

5+
￥53.782013
10+
￥50.794123
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￥43.822381
1000+
￥40.33651

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型号：IKW15N120CS7XKSA1 编号：C3191655

封装：TO-247-3

特性：VCE = 1200 V-IC = 15 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压，在 Tvj = 175℃ 时 VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。具有宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥23.06
10+
￥22.47
30+
￥22.08
100+
￥21.69

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型号：FGA40T65SHD 编号：C898159

封装：TO-3PN

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

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10+
￥33.684859
100+
￥29.061448
1000+
￥26.749741

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型号：IGW25N120H3FKSA1 编号：C17662862

封装：TO-247-3-1

特性：TRENCHSTOP™技术提供一流的开关性能：可实现低于500μJ的总开关损耗。极低的VCEsat。低EMI。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。不间断电源

1+
￥34.28
10+
￥29.08
30+
￥25.98
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￥22.85
510+
￥21.41
990+
￥20.76

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型号：FGH75T65SQD-F155 编号：C462122

封装：TO-247-3

飞兆半导体的新型场截止第四代

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单价：
￥22.6175 / 个

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型号：STGWA75H65DFB2 编号：C2971080

封装：TO-247

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT

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单价：
￥19.468261 / 个

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型号：IRGP4650D-EPBF 编号：C538100

封装：TO-247-3

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1+
￥45.68
10+
￥44.64
25+
￥43.94
100+
￥43.24

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型号：FGY40T120SMD 编号：C898205

封装：TO-247-3

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

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5+
￥79.342679
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￥69.697098
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￥64.174226

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型号：IKQ140N120CH7XKSA1 编号：C19631201

封装：TO-247-3

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。 EV 充电

单价：
￥49.05 / 个

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型号：IKY120N120CH7XKSA1 编号：C20191526

封装：TO-247-4