igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：JNG75T120QCS2 编号：C51484278

封装：TO-247-3LPlus

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

1+
￥26.69
10+
￥22.94
25+
￥20.71

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型号：JNG75T120LZS1 编号：C51484276

封装：TO264

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 可为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

1+
￥32.41
10+
￥27.85
25+
￥25.14

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型号：NCE75TD120VTP 编号：C5124156

封装：TO-247P

品牌：NCE(无锡新洁能)

数据手册

1+
￥35.8
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￥30.76
30+
￥27.69
100+
￥25.12

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型号：GL50HF120T1UA1 编号：C51484287

封装：-

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：1200V 50A。VCE(sat)(typ.) = 2.1V。沟槽栅场截止技术。高 RBSOA 性能。低关断损耗。应用：电焊机 / 电源。不间断电源 / 逆变器

1+
￥79.43
10+
￥75.82
36+
￥69.58

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型号：FP15R12YT3 编号：C534000

封装：插件,55.9x45.6mm

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥230
20+
￥218

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型号：MG50P12E1A 编号：C2942708

封装：插件,107.5x45mm

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低开关损耗。具有正温度系数的低VCE(sat)。包含快速软恢复反并联FWD。低电感外壳。高短路能力（10μs）。最高结温175℃。应用：电机驱动器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥315.28
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￥301.38

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型号：FP50R12KT3 编号：C534046

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥378.59
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￥373.79
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￥345

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型号：SPT40N120T1B 编号：C480185

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序，变频器，电机驱动器

数据手册

1+
￥24.94
10+
￥21.32
30+
￥19.17
90+
￥16.99
510+
￥15.99
990+
￥15.54

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型号：HGTG12N60A4D 编号：C463039

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗

5+
￥19.2
450+
￥17.05
1350+
￥16.2

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型号：NGTB40N65FL2WG 编号：C184921

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供出色性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管，带有低正向电压。

数据手册

1+
￥38.14
10+
￥32.9
30+
￥29.78
100+
￥26.63
500+
￥25.18
1000+
￥24.52

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型号：STGYA75H120DF2 编号：C5199075

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、75 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装

数据手册

1+
￥20.975
20+
￥20.136
100+
￥19.297
200+
￥18.7936
500+
￥18.458

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型号：FP35R12W2T7_B11 编号：C534034

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCEsat-Trenchstop™ IGBT7。过载运行温度高达175℃。 2.5 kV AC 1min绝缘。 Al₂O₃基板，热阻低。高功率密度。紧凑设计。应用：辅助逆变器。空调

数据手册

1+
￥218.5
30+
￥207.1

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型号：MSG40T65HNC0 编号：C7424063

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：高速开关和低功率损耗。集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在集电极电流（IC）为 40A 时为 1.95V。关断损耗（Eoff）：在壳温（TC）为 25℃ 时为 0.35mJ。高输入阻抗。反向恢复时间（Trr）：典型值 80ns，在电流变化率（diF/dt）为 1000A/μs 时。最大结温（Tjmax）：175℃。应用：不间断电源（UPS）。功率因数校正（PFC）

1+
￥9.3
10+
￥7.78
30+
￥6.82
90+
￥5.84

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型号：MSG20T120HLE0 编号：C37635855

封装：TO-263

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 20A 1200V TO-263封装高压晶体管贴片封装

1+
￥9.8
10+
￥8.29
30+
￥7.35
100+
￥6.38
500+
￥5.95
800+
￥5.76

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型号：IKP20N60H3 编号：C116435

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack：采用沟槽和场截止技术的IGBT，具有软恢复、快速恢复的反并联二极管

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1+
￥17.25
10+
￥14.69
50+
￥13.08
100+
￥11.44
500+
￥10.7
1000+
￥10.38

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型号：IKW40N120CS7XKSA1 编号：C3191658

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT与全电流、软恢复和低Qrr二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175°C时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行了优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

10+
￥24
100+
￥19.8
1000+
￥18.36

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型号：STGW30NC60WD 编号：C169773

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

这款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用了先进的Power MESH™工艺，从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

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600+
￥15.618171
1200+
￥15.476187
1800+
￥15.334204

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型号：FGH75T65SQD-F155 编号：C462122

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

飞兆半导体的新型场截止第四代

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单价：
￥20.466 / 个

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型号：FGY120T65SPD-F085 编号：C898204

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：极低饱和电压：VCE(sat) = 1.5 V（典型值），IC = 120 A。最高结温：TJ = 175℃。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。 100%的部件经过动态测试。应用：混合动力/电动汽车牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

数据手册

5+
￥463.384655
10+
￥386.153879

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型号：IKQ100N120CS7XKSA1 编号：C20191008

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间8 μs。宽范围的dv/dt可控性。应用：工业驱动器。工业电源