TLC272BCDR

TLC272和TLC277精密双运算放大器结合了宽范围输入失调电压等级、低失调电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用双场效应晶体管器件的速度。

这些器件采用Texas Instruments的硅栅极LinCMOS™技术，其偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺。

极高的输入阻抗、低偏置电流和高压摆率使这些高性价比器件非常适合以前只用于BiFET和NFET产品的应用。从低成本的TLC272（10 mV）到高精度的TLC277（500 uV），共有四种偏移电压等级（C-缀合和I-缀合类型）可供选择。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为最新设计和现有设计升级的理想选择。

一般来说，LinCMOS™运算放大器具有许多与双极技术相关的功能，而不会受到双极技术的功耗影响。使用TLC272和TLC277可以轻松设计传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等一般应用。这两款器件还具有低压单电源工作特性，非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项，包括适用于高密度系统应用的小外型和芯片载体版本。

该器件的输入和输出可承受-100-mA的浪涌电流而不会持续闩锁。

TLC272和TLC277集成了内部ESD保护电路，经MIL-STD-883C方法3015.2测试，可防止在高达2000 V的电压下发生功能故障；但是，在处理这些器件时应小心谨慎，因为暴露在ESD下可能会导致器件参数性能下降。

C系列器件的工作温度范围为0°C至70°C。I-suffix器件的工作温度范围为-40°C至85°C。M-suffix器件的工作温度范围为-55°C至125°C。