STP55NF06L
- 厂商名称st意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N通道,60 V,55 A,0.014 ohm,TO-220,通孔
- 英文描述MOSFET N-Channel 60V 55A TO220 STMicroelectronics STP55NF06L N-channel MOSFET Transistor,55 A,60 V,3-Pin TO-220
- 数据手册STP55NF06L数据手册Datasheet PDF
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STP55NF06L概述
STP55NF06L是一款N沟道功率MOSFET，是意法半导体基于独特的Single Feature Size™strip工艺的最新开发成果。该晶体管具有极高的堆积密度，导通电阻低，雪崩特性稳定，关键的对准步骤少，因此具有显著的制造可重复性。
卓越的dv/dt能力
100%经过雪崩测试
面向应用的特性分析
卓越的dv/dt能力
100%经过雪崩测试
面向应用的特性分析
STP55NF06L中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:55 A
Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-16 V,+16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+175℃
Pd-功率耗散:95 W
通道模式:Enhancement
下降时间:20 ns
正向跨导-最小值:30 S
上升时间:100 ns
系列:STP55NF06L
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:40 ns
典型接通延迟时间:20 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:55 A
Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-16 V,+16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+175℃
Pd-功率耗散:95 W
通道模式:Enhancement
下降时间:20 ns
正向跨导-最小值:30 S
上升时间:100 ns
系列:STP55NF06L
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:40 ns
典型接通延迟时间:20 ns
STP55NF06L引脚图
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