STP55NF06
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-220, 通孔
- 英文描述MOSFET N-Channel 60V 50A TO220 STMicroelectronics STP55NF06 N-channel MOSFET Transistor,50 A,60 V,3-Pin TO-220
- 数据手册STP55NF06数据手册Datasheet PDF
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STP55NF06概述
STP55NF06是一款60V N沟道功率MOSFET，采用独特的STripFET工艺实现。它专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此，它适合用作电信和计算机应用中先进的高效隔离DC-DC转换器的主开关。它还适用于任何需要低栅极电荷驱动的应用。改进的栅极电荷和更低的功率耗散可满足当今极具挑战性的效率要求。
100%通过雪崩测试
出色的dv/dt能力
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STP55NF06中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 产品种类: | MOSFET | 最大工作温度: | + 175 ℃ |
| 技术: | Si | Pd-功率耗散: | 110 W |
| 安装风格: | Through Hole | 通道模式: | Enhancement |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel | 下降时间: | 15 ns |
| 通道数量: | 1 Channel | 正向跨导 - 最小值: | 18 S |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | 上升时间: | 50 ns |
| Id-连续漏极电流: | 50 A | 系列: | STP55NF06 |
| Rds On-漏源导通电阻: | 18 mOhms | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | 类型: | MOSFET |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V | 典型关闭延迟时间: | 36 ns |
| Qg-栅极电荷: | 44.5 nC | 典型接通延迟时间: | 20 ns |
STP55NF06引脚图
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