SPP20N60C3XKSA1
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，650 V，20.7 A，0.19 ohm，TO-220，通孔
- 英文描述MOSFET，N-CH，650V，20.7A，TO-220
- 数据手册SPP20N60C3XKSA1数据手册Datasheet PDF
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SPP20N60C3XKSA1概述
SPP20N60C3是具有低特定导通电阻的650V N沟道CoolMOS?功率MOSFET。CoolMOS?MOSFET可显着降低传导、开关和驱动损耗，并为卓越的电源转换系统提供高功率密度和效率。最先进的新一代高压功率MOSFET使AC-DC电源比以往任何时候都更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
400V时输出电容(Eoss)中的能量存储非常低
低栅极电荷(Qg)
高效率和功率密度
出色的表现
高可靠性
使用方便
应用
计算机和计算机周边，通信与网络，消费电子产品，电源管理
400V时输出电容(Eoss)中的能量存储非常低
低栅极电荷(Qg)
高效率和功率密度
出色的表现
高可靠性
使用方便
应用
计算机和计算机周边，通信与网络，消费电子产品，电源管理
SPP20N60C3XKSA1中文参数
| 制造商: | Infineon | Qg-栅极电荷: | 87 nC |
| 产品种类: | MOSFET | 最小工作温度: | - 55 C |
| 技术: | Si | 最大工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | Through Hole | Pd-功率耗散: | 208 W |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | 通道模式: | Enhancement |
| 晶体管极性: | N-Channel | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel | 宽度: | 4.4 mm |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | 下降时间: | 4.5 ns |
| Id-连续漏极电流: | 20.7 A | 上升时间: | 5 ns |
| Rds On-漏源导通电阻: | 190 mOhms | 典型关闭延迟时间: | 67 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | 典型接通延迟时间: | 10 ns |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.1 V |
SPP20N60C3XKSA1引脚图
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