2N7002K
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，300 mA，2 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Transistor MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23
- 数据手册2N7002K数据手册Datasheet PDF
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2N7002K概述
2N7002K是一款N沟道增强模式场效应晶体管，具有低导通电阻，低栅极阈值电压，低输入电容，快速开关速度.
低输入/输出泄漏
±20V栅-源电压
应用
电源管理，电机驱动与控制
低输入/输出泄漏
±20V栅-源电压
应用
电源管理，电机驱动与控制
2N7002K中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 1.3mm |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 1.2mm |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 Ω | 长度 | 2.92mm |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
2N7002K引脚图
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