NTD2955T4G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，12 A，0.155 ohm，TO-252(DPAK)，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab)DPAK T/R
- 数据手册NTD2955T4G数据手册Datasheet PDF
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NTD2955T4G概述
NTD2955T4G是一款-60V P沟道功率MOSFET，设计用于在雪崩模式和换向模式下承受高能量。它设计用于电源，转换器和功率电动机控制中的低电压，高速开关应用。该器件特别适合于二极管速度和换向安全工作区域至关重要的桥接电路，并为意外的电压瞬变提供了额外的安全裕度。
指定雪崩能量
在高温下指定IDSS和VDS（打开）
栅极至源极电压为±20V
2.73°C/W热阻，连接至外壳
应用
电源管理，电机驱动与控制
指定雪崩能量
在高温下指定IDSS和VDS（打开）
栅极至源极电压为±20V
2.73°C/W热阻，连接至外壳
应用
电源管理，电机驱动与控制
NTD2955T4G中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 0 | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | 最高工作温度 | +175 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 高度 | 2.38mm |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 长度 | 6.73mm |
| 最大功率耗散 | 55000 mW | 宽度 | 6.22mm |
NTD2955T4G引脚图
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