
MJD340T4
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类双极晶体管
- 中文描述互补硅功率晶体管<br />
- 英文描述<span>Obsolete - 0.5 A, 300 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor</span><span> </span><span></span>
- 数据手册MJD340T4数据手册Datasheet PDF
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MJD340T4概述
MJD340T4是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款NPN型功率晶体管,具有以下特点、参数、应用和封装形式:
特点
-
高电压能力:能够承受高达300V的集电极-发射极电压,适用于高电压应用场合。
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适中的电流处理能力:最大集电极电流为500mA,满足多种功率控制需求。
-
表面贴装技术(SMT):采用TO-252(DPAK)封装形式,便于自动化生产和组装,提高生产效率。
-
低饱和电压:有助于降低功率损耗,提高电路效率。
-
良好的热稳定性:能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于高温环境下的应用。
电气参数
-
集电极-发射极电压(VCEO):300V。
-
集电极电流(IC):500mA。
-
功率耗散(PD):1.56W。
-
工作温度范围(TJ):-65℃~+150℃。
应用
MJD340T4适用于多种功率控制电路,包括:
-
开关模式电源(SMPS):作为开关器件,用于电压转换和稳压。
-
电机驱动:用于控制小型电机的启动、停止和速度调节。
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低电流高电压功率开关:在需要高电压切换的电路中,如高压放大器、电源逆变器等。
-
音频放大器:用于音频信号的放大,提供足够的功率驱动扬声器。
-
射频应用:在射频电路中用于信号放大或开关。
封装形式
MJD340T4采用TO-252(DPAK)封装形式,具有以下优点:
-
紧凑尺寸:适合表面贴装,节省电路板空间,适合小型化设计。
-
良好的散热性能:TO-252封装具有较好的散热性能,确保在高功耗应用中的稳定性。
-
适合自动化生产:表面贴装技术便于自动化生产和组装,提高生产效率。
MJD340T4中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
最大直流电集电极电流:750 mA
集电极—发射极最大电压VCEO:300 V
集电极—基极电压VCBO:300 V
发射极-基极电压VEBO:3 V
集电极—射极饱和电压:-
Pd-功率耗散:15 W
增益带宽产品fT:-
最小工作温度:-
最大工作温度:+150℃
系列:MJD340
集电极连续电流:500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:30
直流电流增益hFE最大值:240
产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
最大直流电集电极电流:750 mA
集电极—发射极最大电压VCEO:300 V
集电极—基极电压VCBO:300 V
发射极-基极电压VEBO:3 V
集电极—射极饱和电压:-
Pd-功率耗散:15 W
增益带宽产品fT:-
最小工作温度:-
最大工作温度:+150℃
系列:MJD340
集电极连续电流:500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:30
直流电流增益hFE最大值:240
MJD340T4引脚图

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