IRLR3410TRPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类mos管
- 中文描述<span style="font-size:14px;">功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, 表面安装</span>
- 英文描述<span style="font-size:14px;">HEXFET N-Ch MOSFET 17A 100V DPAK International Rectifier IRLR3410TRPBF N-channel MOSFET Transistor,17 A,100 V,3-Pin DPAK</span>
- 数据手册IRLR3410TRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRLR3410TRPBF概述
IRLR3410TRPBF是HEXFET®第五代单N沟道功率MOSFET，采用先进的处理技术，单位硅面积导通电阻最低。这一优势与快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为各种应用提供了极为高效的器件。它专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。
逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
完全雪崩额定值
动态dV/dt额定值
逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
完全雪崩额定值
动态dV/dt额定值
IRLR3410TRPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
REACH-SVHC:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:DPAK-3(TO-252-3)
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:15 A
Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-16 V,+16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:22.7 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+175℃
Pd-功率耗散:52 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:26 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:53 ns
产品种类:MOSFET
REACH-SVHC:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:DPAK-3(TO-252-3)
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:15 A
Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-16 V,+16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:22.7 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+175℃
Pd-功率耗散:52 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:26 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:53 ns
IRLR3410TRPBF引脚图
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