IRF9540NPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类mos管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, 通孔
- 英文描述Infineon IRF9540NPBF P-channel MOSFET,23 A,100 V HEXFET,3-Pin TO-220AB
- 数据手册IRF9540NPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF9540NPBF概述
IRF9540NPBF是-100V单P沟道HEXFET功率MOSFET，采用TO-220AB封装。这款MOSFET具有单位硅面积导通电阻极低、动态dv/dt额定值、坚固耐用、快速开关和完全雪崩额定值等特点，因此，功率MOSFET具有众所周知的极高能效和可靠性，可用于各种应用。
漏极至源极电压Vds为-100V
栅极至源极电压为±20V
导通电阻Rds（on）为117欧姆，Vgs为-10V
25°C时功率耗散Pd为140W
Vgs-10V和25°C时，漏极连续电流Id为-23A
工作结温范围-55°C至175°C
漏极至源极电压Vds为-100V
栅极至源极电压为±20V
导通电阻Rds（on）为117欧姆，Vgs为-10V
25°C时功率耗散Pd为140W
Vgs-10V和25°C时，漏极连续电流Id为-23A
工作结温范围-55°C至175°C
IRF9540NPBF中文参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:23 A
Rds On-漏源导通电阻:117 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:64.7 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:140 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
晶体管类型:1 P-Channel
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:23 A
Rds On-漏源导通电阻:117 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:64.7 nC
最小工作温度:-55℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:140 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
晶体管类型:1 P-Channel
IRF9540NPBF引脚图
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